【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试领域，具体涉及一种通过摄像头挑选不合格晶粒的方法。
技术介绍
半导体芯片首先制作在晶圆(wafer)之上，之后会对芯片进行切割，切割成为多个还未进行封装的晶粒(die)，并对晶粒初步测试，如果晶粒在初步测试中不合格，则在下一步封装之前，就首先将不合格的晶粒挑选出来，不对其进行封装之前的移动。在现有技术中，有一种对晶粒的测试方法是，在测试发现不合格晶粒后，在此不合格晶粒上点一个墨点作为不合格记号。则此测试完的晶圆可直接运送至下游封装厂家，封装厂家需要把此不合格晶粒挑选出来。
技术实现思路
在现有技术的基础上，本专利技术公开了一种通过摄像头挑选不合格晶粒的方法。本专利技术的技术方案如下：一种通过摄像头挑选不合格晶粒的方法，包括以下步骤：步骤1、对晶圆上未切割的晶粒进行初步测试，在测试不合格的晶粒之上，点一墨点作为不合格标记；步骤2、将进行完不合格标记的晶圆放置在主工作台之上的晶圆固定槽之上；步骤3、第二步进电机控制副工作台移动至第一行晶粒；步骤4、第一步进电机控制主工作台沿横向轨道由左向右逐个晶粒移动，每移动一个晶粒的位置，摄像头拍摄一图像；并将图像传送至监控机；监控机进行图像二值化处理，如果图像中出现大面积的黑色值，则第三电机控制抓手部件向下移动，将此晶粒挑出移走；步骤5、第二步进电机控制副工作台由上至下移动一个晶粒的高度；步骤6、重复步骤4和步骤5，直至检查完此晶圆上的所有晶粒。本专利技术的有益技术效果是：本专利技术公开了一种挑选不合格晶粒的仪器，可通过摄像头，对晶圆上的每一个晶粒进行拍摄，当捕捉到有墨点的晶粒之后，就控制抓手部件，将...
【技术保护点】
一种通过摄像头挑选不合格晶粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对晶圆上未切割的晶粒进行初步测试，在测试不合格的晶粒之上，点一墨点作为不合格标记；步骤2、将进行完不合格标记的晶圆放置在主工作台之上的晶圆固定槽之上；步骤3、第二步进电机控制副工作台移动至第一行晶粒；步骤4、第一步进电机控制主工作台沿横向轨道由左向右逐个晶粒移动，每移动一个晶粒的位置，摄像头拍摄一图像；并将图像传送至监控机；监控机进行图像二值化处理，如果图像中出现大面积的黑色值，则第三电机控制抓手部件向下移动，将此晶粒挑出移走；步骤5、第二步进电机控制副工作台由上至下移动一个晶粒的高度；步骤6、重复步骤4和步骤5，直至检查完此晶圆上的所有晶粒。
【技术特征摘要】
1.一种通过摄像头挑选不合格晶粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对晶圆上未切割的晶粒进行初步测试，在测试不合格的晶粒之上，点一墨点作为不合格标记；步骤2、将进行完不合格标记的晶圆放置在主工作台之上的晶圆固定槽之上；步骤3、第二步进电机控制副工作台移动至第一行晶粒；步骤4、第一步进电机控制主工作台沿横向...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕耀安，
申请(专利权)人：无锡宏纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。