保护膜形成用膜及带保护膜的半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术的保护膜形成用膜(12)用于形成对设置于半导体芯片背面的金属膜进行保护的保护膜，该保护膜即使在经过温度变化过程的情况下，也可抑制其从所述金属膜上剥离，该保护膜形成用膜由保护膜形成用组合物形成，所述保护膜形成用组合物是配合具有巯基或保护巯基的偶联剂而成的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及保护膜形成用膜、以及使用了该保护膜形成用膜的带保护膜的半导体芯片的制造方法。本申请基于2014年3月28日在日本提出申请的日本特愿2014-67468号主张优先权，并将其内容援引于本申请中。
技术介绍
以往，使用被称为倒装(face down)方式的安装法制造了半导体装置。在倒装方式中，半导体芯片的形成有凸块等电极的芯片表面与基板等对置并接合，另一方面，芯片背面露出，因此，芯片背面通过保护膜进行了保护。然后，通过激光打印等在保护半导体芯片背面的保护膜上打印标记、文字等。到目前为止，上述保护膜通过例如树脂涂敷等而形成，但近年来，为了确保保护膜的膜厚均匀性等，通过粘贴保护膜形成用膜而形成的保护膜正在被实用化(例如，参照专利文献1)。该保护膜形成用膜被设置于支撑片上，并且例如含有包含环氧树脂等的热固性成分、及包含丙烯酸类树脂等的粘合剂树脂成分。此外，公开了一种即使在严酷的温度条件下也能够实现高可靠性的保护膜形成用膜(参照专利文献2)。该保护膜形成用膜设置于剥离片(支撑片)上，并且含有环氧类热固性树脂、丙烯酸类聚合物、一个分子中具有能够与环氧基团反应的官能团及不饱和烃基的树脂。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-280329号公报专利文献2：日本特开2008-248129号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题另一方面，目前为止的保护膜形成用膜的粘贴对象主要是芯片背面的硅等半导体材料，但伴随着近年来器件的薄型化，背面具备金属膜的器件也被薄型化，因此要求对芯片背面的金属膜加以保护。但是，目前的保护膜形成用膜存在以下问题：向金属膜粘贴时的粘接力不充分，特别是在暴露于高温条件的情况下容易从金属膜上剥离。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其课题在于提供一种保护膜形成用膜，其用于形成对设置于半导体芯片背面的金属膜进行保护的保护膜，所述保护膜即使在经过温度变化的过程的情况下，也可抑制其从上述金属膜上剥离。解决课题的方法为了解决上述课题，本专利技术提供一种保护膜形成用膜，其用于形成对设置于半导体芯片背面的金属膜进行保护的保护膜，该保护膜形成用膜由保护膜形成用组合物形成，所述保护膜形成用组合物是配合具有巯基或保护巯基的偶联剂而成的。对于本专利技术的保护膜形成用膜而言，优选所述偶联剂具有保护巯基。对于本专利技术的保护膜形成用膜而言，优选所述保护膜形成用组合物含有无机填充剂，且其含量以无机填充剂的配合量相对于上述保护膜形成用组合物中溶剂以外的成分的总配合量的比例计，为55～75质量％。对于本专利技术的保护膜形成用膜而言，优选所述保护膜形成用组合物进一步含有玻璃化转变温度为-3℃以上的丙烯酸类树脂。对于本专利技术的保护膜形成用膜而言，优选所述保护膜形成用组合物进一步含有丙烯酸类树脂，且所述丙烯酸类树脂是相对于构成所述丙烯酸类树脂的单体总量以8质量％以下的比例包含(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的单体聚合而成的。另外，本专利技术涉及一种带保护膜的半导体芯片的制造方法，其是用保护膜对设置于半导体芯片背面的金属膜进行保护的带保护膜的半导体芯片的制造方法，该方法包括：利用在设置于半导体晶片背面的金属膜上叠层所述的保护膜形成用膜而成的叠层体，由所述叠层体的保护膜形成用膜形成保护膜之后进行切割，或者将所述叠层体进行切割后由保护膜形成用膜形成保护膜。专利技术的效果根据本专利技术，可提供一种保护膜形成用膜，其用于形成对设置于半导体芯片背面的金属膜进行保护的保护膜，所述保护膜即使在经过温度变化的过程的情况下，也能够抑制其从上述金属膜上剥离。附图说明[图1]是示意性地示例出使用了本专利技术的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片的剖面图。符号说明1…保护膜形成用复合片11…支撑片11a…支撑片的表面12…保护膜形成用膜具体实施方式＜保护膜形成用膜及其制造方法＞本专利技术的保护膜形成用膜是用于形成对设置于半导体芯片背面的金属膜进行保护的保护膜的保护膜形成用膜，其特征在于，该保护膜形成用膜是使用保护膜形成用组合物而形成的，所述保护膜形成用组合物是配合具有巯基(-SH)或保护巯基的偶联剂(以下，有时简称为“偶联剂(E)”)而成的。上述保护膜形成用膜通过使用具有巯基(-SH)或保护巯基的偶联剂，在将该保护膜形成用膜粘贴到金属膜上并使其固化而形成的保护膜可充分提高对金属膜的粘接力。另外，该保护膜不仅初期粘接力优异，而且即使在经过温度变化的过程的情况下，也可抑制其从金属膜上剥离，具有高可靠性。[偶联剂(E)]偶联剂(E)在其一分子中具有巯基及保护巯基中的至少一者，还具有能够与其它分子反应(偶合)的官能团。这里，例如在后面叙述的在保护膜形成用组合物中配合有填充材料的情况下，“其它分子”也包括构成该填充材料的分子。需要说明的是，在本说明书中，所谓“保护巯基”是指，巯基(-SH)的氢原子被氢原子以外的基团(保护基团)所取代而得到的被保护的基团。作为上述保护巯基中的保护基团(取代了巯基的氢原子的基团)，可以示例出三烷氧基甲硅烷基、三烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷氧基、氨基甲酸酯基(carbamate group)、碳酸酯基(carbonate group)、乙酰基等。构成上述保护基团的烷基可以为直链状、支链状及环状中的任意形态，其碳原子数优选为1～10。作为偶联剂(E)，可以使用公知的偶联剂。一分子偶联剂(E)中所具有的巯基及保护巯基的总数没有特别限定，优选为1～3个，更优选为1或2个。作为偶联剂(E)，优选在分子的末端具有巯基或保护巯基的物质。另外，偶联剂(E)优选用碳原子数为2以上的2价有机基团将能够与其它分子反应的官能团和巯基或保护巯基连结而成的物质。另外，上述2价的有机基团优选为亚烷基，更优选碳原子数为3以上的亚烷基，特别优选碳原子数为3～10的亚烷基。作为优选的偶联剂(E)，可以示例出下述通式(1)所示的化合物。(R1O)3-Si-X1-S-Y1....(1)(式中，R1为烷基，3个R1可以相同也可以互不相同；X1为亚烷基；Y1为氢原子、三烷氧基甲硅烷基、三烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷氧基、氨基甲酸酯基或碳酸酯基。)上述通式(1)中，R1为烷基，该烷基可以为直链状、支链状及环状中的任意形态，为环状的情况下，上述烷基可以为单环状及多环状中的任意形态。上述R1中的直链状或支链状的烷基优选碳原子数为1～10，作为该烷基，可以示例出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基丁基、正己基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、正庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、2,2-二甲基戊基、2,3-二甲基戊基、2,4-二甲基戊基、3,3-二甲基戊基、3-乙基戊基、2,2,3-三甲基丁基、正辛基、异辛基、壬基、癸基。上述R1中的环状的烷基优选碳原子数为3～10，作为上述烷基，可以示例出环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、降冰片基、异冰片基、1-金刚烷基、2-金刚烷基、三环癸基。此外，R1中的环状的烷基可以示例出上述环状的烷基的1个以上氢原子被直链状、支链状或环状烷基取代而得到的基团。这里，作为取代氢原子的直链状、支链状及
环状的烷基，可以举出作为R1中的烷基所示例出的上述基团。需要说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护膜形成用膜，其用于形成对设置于半导体芯片背面的金属膜进行保护的保护膜，该保护膜形成用膜由保护膜形成用组合物形成，所述保护膜形成用组合物是配合具有巯基或保护巯基的偶联剂而成的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.28 JP 2014-0674681.一种保护膜形成用膜，其用于形成对设置于半导体芯片背面的金属膜进行保护的保护膜，该保护膜形成用膜由保护膜形成用组合物形成，所述保护膜形成用组合物是配合具有巯基或保护巯基的偶联剂而成的。2.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其中，所述偶联剂具有保护巯基。3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，所述保护膜形成用组合物含有无机填充剂，且其含量以无机填充剂的配合量相对于所述保护膜形成用组合物中溶剂以外的成分的总配合量的比例计为55～75质量％。4.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野健，佐伯尚哉，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP