【技术实现步骤摘要】
本技术涉及稳压电源，特别涉及一种基于运放形式的低噪声线性稳压电源。
技术介绍
低噪声晶体振荡器的设计除了要求晶体具有较高在线Q值、要有较好的级间匹配外，还需要具有良好的电源噪声。对于电源部分的处理，传统的一般用稳压IC进行稳压，相位噪声一般；目前常用的是用低噪声LDO器件稳压处理，比传统的形式有较好的改善，但也有他的不足之处。1、LDO器件输出一般为5V以下的低压输出，当产品需要高输出幅度时，低稳压是不能有效解决的；2、LDO器件的低噪声还得不到极致体现，有待进一步改进。
技术实现思路
针对上述不足，本技术的目的在于，提供一种基于运放形式的低噪声线性稳压电源；利用运放提升LDO的稳压电压；利用运放、NPN调整管以及LDO组成线性电源电路利用于OCXO产品中，整体效果更佳。本技术采用的技术方案为：一种基于运放形式的低噪声线性稳压电源，包括 IC1、IC2、Q1、CE1、CE2、L1、R1、R2、R3、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、VCC及VDC，其特征在于，所述 IC1为LDO低压差线性稳压器，固定稳压输出5V；所述IC2为低噪声运算放大器；所述Q1为NPN半导体三极管；所述CE1和CE2为钽电容；所述L1为磁珠电感；所述R1、R2、R3为电阻；所述C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8为电容；所述VCC为外接电源输入；所述VDC为稳压电源输出；其中，所述C1、L1和C2组成前置输入滤波电路，滤除纹波及提升抗干扰能力；C3、IC1、C4、C5和CE1组成基准LDO电路，为IC2提供低噪声基准电压；Q1、IC2、R1、C7、R2、C6组成线...
【技术保护点】
一种基于运放形式的低噪声线性稳压电源，包括 IC1、IC2、Q1、CE1、CE2、L1、R1、R2、R3、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、VCC及VDC，其特征在于，所述 IC1为LDO低压差线性稳压器，固定稳压输出5V；所述IC2为低噪声运算放大器；所述Q1为NPN半导体三极管；所述CE1和CE2为钽电容；所述L1为磁珠电感；所述R1、R2、R3为电阻；所述C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8为电容；所述VCC为外接电源输入；所述VDC为稳压电源输出；其中，所述C1、L1和C2组成前置输入滤波电路，滤除纹波及提升抗干扰能力；C3、IC1、C4、C5和CE1组成基准LDO电路，为IC2提供低噪声基准电压；Q1、IC2、R1、C7、R2、C6组成线性调整电路；C8和CE2组成输出滤波电路；使VDC输出电压满足如下关系式：VDC=V0*（1+R2/R1），其中V0为LDO输出的基准电压值，当R1=R2时，VDC为2倍V0值。
【技术特征摘要】
1.一种基于运放形式的低噪声线性稳压电源，包括 IC1、IC2、Q1、CE1、CE2、L1、R1、R2、R3、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、VCC及VDC，其特征在于，所述 IC1为LDO低压差线性稳压器，固定稳压输出5V；所述IC2为低噪声运算放大器；所述Q1为NPN半导体三极管；所述CE1和CE2为钽电容；所述L1为磁珠电感；所述R1、R2、R3为电阻；所述C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8为电容；所述VCC为外接电源输入；所述VDC为稳压电源输出；其中，所述C1、L1和C2组成前置输入滤波电路，滤除纹波及提升抗干扰能力；C3、IC1、C4、C5和CE1组成基准LDO电路，为IC2提供低噪声基准电压；Q1、IC2、R1、C7、R2、C6组成线性调整电路；C8和CE2组成输出滤波电路；使VDC输出电压满足如下关系式：VDC=V0*（1+R2/R1），其中V0为LDO输出的基准电压值，当R1=R2时，VDC为2倍V0值。2.根据权利要求1所述的基于运放形式的低噪声线性稳压电源，其特征在于，所述C1、L1和C2串联，C1、C2分...
【专利技术属性】
技术研发人员：饶棣，王子胜，冯振军，胡勇，
申请(专利权)人：东莞市金振电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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