电光学装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能有效阻隔朝向半导体层斜向地行进的光的电光学装置以及电子设备。在电光学装置的元件基板(10)中，遮光性的第1金属层(6)之中，数据线(6a)(第1布线)在俯视下与半导体层(1a)重叠，中继电极(6b，第1中继电极)中，第1布线(6a)侧的端部(6b1)沿半导体层(1a)在Y方向(第1方向)上延伸并隔着第1间隙(g1)与数据线(6a)相对。在第1金属层(6)与像素电极(9a)的层间形成遮光性的第2金属层(8)，由第2金属层8之中的恒电位线(8a)的第1伸出部(8e)构成在俯视下与第1间隙(g1)重叠的第1遮光部(8s)。第1金属层(6)以及第2金属层(8)都包括铝层，电阻低且OD值几乎无限大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在基板上设置像素晶体管、像素电极等的电光学装置以及具备电光学装置的电子设备。
技术介绍
在液晶装置等电光学装置中，在元件基板的一面侧设置有像素晶体管、数据线等布线、像素电极，像素晶体管在选择期间内成为导通状态，从而从数据线经由像素晶体管向像素电极提供图像信号。在这样的电光学装置中，要求在各像素中扩大光透过的像素开口区域来进行明亮的显示。另一方面，若照明光入射到构成像素晶体管的半导体层，则会产生漏光电流，会成为闪烁等的原因。因此，提出了以下技术：在元件基板，通过设置在数据线与像素电极的层间的格子状的遮光层，抑制照明光向半导体层的入射(参照专利文献1)。专利文献1：JP特开2010-72661号公报但是，如专利文献1那样，在数据线与像素电极的层间使用了遮光层的情况下，半导体层与遮光层分离。因此，想要阻隔朝向半导体层在斜向上行进的光，需要使遮光层的幅度变宽，所以像素开口部会变窄。
技术实现思路
鉴于以上的问题，本专利技术的课题在于，提供一种能有效地阻隔朝向半导体层斜向行进的光的电光学装置以及电子设备。为了解决上述课题，本专利技术涉及的电光学装置的特征在于，具有：基板；像素晶体管，在所述基板的一面侧具备在第1方向上延伸的半导体层；像素电极，设置在相对于所述半导体层与所述基板相反的一侧，且导通至所述半导体层的一侧端部；遮光性的第1金属层，设置在所述像素晶体管
与所述像素电极的层间，且包括在所述第1方向上延伸且在俯视下与所述半导体层重叠的第1布线、以及从所述第1布线向与所述第1方向交叉的第2方向的一侧远离的第1中继电极；以及遮光性的第2金属层，设置在所述第1金属层与所述像素电极的层间，且包括在所述第1方向以及所述第2方向的至少一个方向上延伸的第2布线，所述第1中继电极使所述第2方向的另一侧的端部与所述第1布线隔开第1间隙地，沿着所述半导体层在所述第1方向上延伸，所述第2金属层具备在俯视下与所述第1间隙重叠的第1遮光部。在本专利技术中，第1金属层之中，第1布线在俯视下与半导体层重叠，第1中继电极使第2方向的另一侧的端部与第1布线隔开第1间隙地，沿着半导体层在第1方向上延伸。此外，第1金属层处于比第2金属层更靠近半导体层的位置。因此，能够通过第1中继电极来抑制从向第2方向的一侧斜向倾斜的方向行进的光到达半导体层。这里，第1布线和第1中继电极由于要被施加不同电位，所以需要将第1间隙的宽度设为在某种程度上足够的尺寸，但即使在这种情况下，第2金属层的第1遮光部在俯视下也与第1间隙重叠。由此，能够可靠地抑制从向第2方向的一侧斜向倾斜的方向行进的光到达半导体层。因此，能够抑制因漏光电流引起的闪烁等的产生。在本专利技术中，优选，所述第1中继电极具备：在所述第2方向上延伸的第1主体部；以及从所述第1主体部的所述第2方向的所述另一侧的端部沿着所述半导体层在所述第1方向上突出的第1突出部。根据这样的构成，由于第1突出部沿着半导体层延伸，所以与使第1中继电极整体在第1方向上延伸的情况相比，能够扩大像素开口部。在本专利技术中，优选，所述第2布线在所述第1方向上延伸且在俯视下与所述第1布线重叠，所述第1遮光部包括从所述第2布线向所述第2方向的所述一侧伸出的第1伸出部。根据这样的构成，能够以简单的构成来实现第2金属层在俯视下与第1间隙重叠的构成。在本专利技术中，优选，所述第1金属层包括从所述第1布线向所述第2方向的所述另一侧远离的第2中继电极，所述第2中继电极中，所述第2方向的所述一侧的端部与所述第1布线隔开第2间隙地，沿着所述半导体
层在所述第1方向上延伸，所述第2金属层具备在俯视下与所述第2间隙重叠的第2遮光部。根据这样的构成，能够可靠地抑制从向第2方向的另一侧斜向倾斜的方向行进的光到达半导体层。在本专利技术中，优选，所述第2中继电极具备：在所述第2方向上延伸的第2主体部；以及从所述第2主体部的所述第2方向的所述一侧的端部沿着所述半导体层在所述第1方向上突出的第2突出部。根据这样的构成，由于第2突出部沿着半导体层延伸，所以与使第2中继电极整体在第2方向上延伸的情况相比，能够扩大像素开口部。在本专利技术中，优选，所述第2布线在所述第1方向上延伸且在俯视下与所述第1布线重叠，所述第2遮光部是从所述第2布线向所述第2方向的所述另一侧伸出的第2伸出部。根据这样的构成，能够以简单的构成来实现第2金属层在俯视下与第2间隙重叠的构成。在本专利技术中，所述第1布线能够采用导通至所述半导体层的另一侧端部的数据线的形式。在本专利技术中，优选，所述第1金属层以及所述第2金属层都包括铝层。对铝层来说，电阻低且能够将OD(Optical Density；光学浓度)值设为几乎无限大。在本专利技术中，优选，在所述半导体层与所述第1金属层的层间，具备与所述像素电极电连接的保持电容，构成所述保持电容的电极在俯视下与所述半导体层重叠。根据这样的构成，对于构成保持电容的电极来说，也能够抑制光入射到半导体层。本专利技术涉及的电光学装置能够使用于移动电话、移动计算机、投射型显示装置等电子设备。这些电子设备之中的投射型显示装置具备：用于向电光学装置提供光的光源部；以及投射由所述电光学装置进行光调制后的光的投射光学系统。附图说明图1是应用了本专利技术的电光学装置的液晶面板的说明图。图2是表示应用了本专利技术的电光学装置的元件基板的电结构的说明图。图3是在应用了本专利技术的电光学装置的元件基板中相邻的多个像素的俯视图。图4是以图3所示的F-F′线将应用了本专利技术的电光学装置切断时的剖视图。图5是在应用了本专利技术的电光学装置的元件基板中构成像素晶体管的栅电极等的俯视图。图6是在应用了本专利技术的电光学装置的元件基板中构成保持电容的保持电容电极的俯视图。图7是在应用了本专利技术的电光学装置的元件基板形成的数据线、恒电位线等的俯视图。图8是表示应用了本专利技术的电光学装置中的针对半导体层的遮光构造的说明图。图9是表示应用了本专利技术的另一电光学装置中的针对半导体层的遮光构造的说明图。图10是应用了本专利技术的投射型显示装置(电子设备)以及光学组件的简要构成图。符号说明：1a··半导体层，1b··源极区域，1c··漏极区域，1g··沟道区域，1h，1i··低浓度区域，1j，1k··高浓度区域，2··栅极绝缘层，3a··扫描线，3b··栅电极，4a··第1电容电极，5a··第2电容电极，6··第1金属层，6a··数据线，6b··中继电极(第1中继电极)，6c··中继电极(第2中继电极)，6e··第1主体部，6f··第1突出部，6g··第2主体部，6h··第2突出部，6r··伸出部，8··第2金属层，8a··恒电位线，8b··中继电极，8d··主线部分，8e··第1伸出部，8g··第2伸出部，8s··第1遮光部，8t··第2遮光部，9a··像素电极，10··元件基板，10a··显示区域，10w··基板主体，20··对置基板，21··公共电极，30··像素晶体管，40··电介质层，50··液晶层，55··保持电容，100··电光学装置，100a··像素，100p··液晶面板，110··投射型显示装置(电子设备)，g1··第1间隙，g2··第2间隙，X1··X方向(第2方向)的一侧，X2··X方
向(第2方向)的另一侧，Y1··Y方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光学装置，其特征在于，具有：基板；像素晶体管，在所述基板的一面侧具备在第1方向上延伸的半导体层；像素电极，设置在相对所述半导体层与所述基板相反的一侧，且导通至所述半导体层的一侧端部；遮光性的第1金属层，设置在所述像素晶体管与所述像素电极的层间，包括在所述第1方向上延伸且在俯视下与所述半导体层重叠的第1布线、以及从所述第1布线向与所述第1方向交叉的第2方向的一侧远离的第1中继电极；以及遮光性的第2金属层，设置在所述第1金属层与所述像素电极的层间，包括在所述第1方向以及所述第2方向的至少一个方向上延伸的第2布线，所述第1中继电极使所述第2方向的另一侧的端部与所述第1布线隔开第1间隙地，沿着所述半导体层在所述第1方向上延伸，所述第2金属层具备在俯视下与所述第1间隙重叠的第1遮光部。

【技术特征摘要】
2015.03.23 JP 2015-0591511.一种电光学装置，其特征在于，具有：基板；像素晶体管，在所述基板的一面侧具备在第1方向上延伸的半导体层；像素电极，设置在相对所述半导体层与所述基板相反的一侧，且导通至所述半导体层的一侧端部；遮光性的第1金属层，设置在所述像素晶体管与所述像素电极的层间，包括在所述第1方向上延伸且在俯视下与所述半导体层重叠的第1布线、以及从所述第1布线向与所述第1方向交叉的第2方向的一侧远离的第1中继电极；以及遮光性的第2金属层，设置在所述第1金属层与所述像素电极的层间，包括在所述第1方向以及所述第2方向的至少一个方向上延伸的第2布线，所述第1中继电极使所述第2方向的另一侧的端部与所述第1布线隔开第1间隙地，沿着所述半导体层在所述第1方向上延伸，所述第2金属层具备在俯视下与所述第1间隙重叠的第1遮光部。2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述第1中继电极具备：在所述第2方向上延伸的第1主体部；以及从所述第1主体部的所述第2方向的所述另一侧的端部沿着所述半导体层在所述第1方向上突出的第1突出部。3.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，所述第2布线在所述第1方向上延伸且在俯视下与所述第1布线重叠，所述第1遮光部包括从所述第2布线向所述第2方向的所述一侧伸出的第1伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村定一郎，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP