公开了一种半导体装置和半导体装置的制作方法。该半导体装置包括：基板，包括在该基板的表面上的至少一个接地接触垫；至少一个半导体裸芯，在该基板的表面上；模塑料，封装该至少一个半导体裸芯；电磁干扰(EMI)屏蔽层，至少部分覆盖该模塑料的外表面；以及导电构件，形成在该基板上方，被封装在该模塑料内，并且具有第一端以及与该第一端相对的第二端，该第一端接合在该接地接触垫上，该第二端终止在该基板上方的模塑料的表面上的该电磁干扰屏蔽层。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体装置。
技术介绍
便携式消费电子产品需求上的快速增长驱动了高容量存储装置的需求。诸如闪存存储卡的非易失性半导体存储装置正变得广泛地用于满足日益增长的数字信息存储和交换的需求。它们的轻便性、多功能性和耐久设计以及它们的高可靠性和大容量已经使这样的存储装置理想地用于广泛种类的电子装置，例如包括数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和移动电话。尽管已知多种封装构造，但是闪存存储卡通常可制造为系统级封装(system-in-a-package，SiP)或多芯片模块(MCM)，其中多个半导体裸芯(die)以堆叠的构造安装在基板上。图1A和1B是具有不同的堆叠结构的常规半导体装置100A和100B的示意侧视图。半导体装置100A和100B均包括安装在基板110上的多个非易失性存储器裸芯120和安装在最顶部的存储器裸芯120的控制器裸芯130。存储器裸芯120彼此上下叠置，或者具有偏移构造(图1A)或者具有由分隔层122分开的垂直构造(图1B)。虽然没有在图1A和1B中显示，存储器裸芯120和控制器裸芯130形成有在裸芯的上表面上的裸芯键合垫，且基板110形成有在基板110的上表面上的接触垫。引线键合140可以形成在裸芯120、130的裸芯键合垫和基板110的接触垫之间，将裸芯120、130电连接到基板110。出于保护的目的，存储器裸芯120和控制器裸芯130被封装在模塑料150内。由于电子部件变得更小以及在更高频下运行，由电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)引起的噪声和串扰受到更多关注。电磁辐射由承载快速变化的信号的电路发射，作为其常规运行的副产物。这样的电磁辐射引起了对其他电路的EMI和/或RFI，引起不期望的干扰或者噪声。在半导体封装体级别已经对屏蔽EMI和/或RFI辐射的发送和接收做出
了努力。例如，可通过如图2和图3A-3G的常规制造方法，将EMI屏蔽层施加于如图1A和1B所示的以封装体形式单独的半导体装置。图2是制造具有EMI屏蔽的常规半导体装置的方法的流程图，以及图3A-3G是在图2示出的制造方法的不同阶段的半导体装置的示意侧视图。首先，在裸芯贴附步骤210中，如图3A所示，多个半导体裸芯330被安装在排列在基板带310中的各单独的基板320上。在基板带310中，单独的基板320由被称为划线315的保留区域分隔。接着，在引线键合步骤220中，如图3B所示，多个引线键合340形成为电连接相应的半导体裸芯330和基板320。接着，在模塑步骤230中，如图3C所示，模塑料350形成在整个基板带310上方，以封装半导体裸芯330和引线键合340。接着在单片化步骤240中，如图3D所示，通过切割穿过在相邻半导体装置360之间的模塑料350和基板320，封装后的基板带310以封装体的形式被分离为单片化的独立半导体装置360。接着，在封装体贴附步骤250中，如图3E所示，例如通过使用双面胶带(未示出)，多个封装体的形式的半导体装置360被转移并贴附在共同的载体370上。然后在EMI涂布步骤260中，如图3F所示，半导体装置360的被暴露的外表面涂布有由导电材料制成的EMI屏蔽层380。然后在封装体释放步骤270中，具有EMI屏蔽层380的独立半导体装置360从下方的载体370释放，用于进一步的工艺。这样的常规制造方法具有如下缺点，例如由于封装体级别处理带来的低效率和例如来自在封装体贴附步骤250中使用的双面胶带的附加污染。该常规方法的其他细节在WO2013/086741和WO2013/159307中描述，其全部内容通过引用并入本文。
技术实现思路
在本技术的一个方面，半导体装置包括：基板，包括在基板的表面上的至少一个接地接触垫；至少一个半导体裸芯，在基板的表面上；模塑料，封装至少一个半导体裸芯；电磁干扰(EMI)屏蔽层，至少部分覆盖模塑料的外表面；以及导电构件，形成在基板上方，被封装在模塑料内。导电构件具有第一端以及与第一端相对的第二端，第一端接合在接地接触垫上，第二端终止在基板上方的模塑料的表面上的电磁干扰屏蔽层。在实施例中，导电构件包括至少一个导电引线，导电引线的第一端引线键合在接地接触垫上并且导电引线的第二端电性地和物理地接触电磁干扰
屏蔽层。导电引线具有弧形。导电构件包括多于一个的导电引线，多个导电引线的每一个的各自第二端接触电磁干扰屏蔽层。或者，导电构件包括至少一个导电条，导电条的第一端的部分接合在接地接触垫上和导电条的第二端电地和物理地接触电磁干扰屏蔽层。导电条具有“C”形或者“S”形。在实施例中，导电构件包括银合金、金、铝或者铜。EMI屏蔽层是连续层或者网格。EMI屏蔽层包括银合金、铜或者金。在实施例中，接地接触垫位于基板的角部。该基板还包括在基板的表面下方的接地导电间层，该接地导电间层电连接至接地接触垫，以及电磁干扰屏蔽层电性地和物理地接触接地导电间层。在本技术的一个方面，公开了制造采用基板带的半导体装置的方法。基板带具有包括第一基板和与第一基板相邻的第二基板，第一基板具有在第一基板的表面上的第一接地接触垫，第二基板具有在第二基板的表面上的第二接地接触垫。第一接地接触垫与第二接地接触垫相邻。该方法包括：布置导电构件，桥接在第一基板上方和第二基板上方，导电构件的第一端接合至该第一接地接触垫以及导电构件的第二端接合至第二接地接触垫；封装第一半导体裸芯、第二半导体裸芯和导电构件在模塑料内；在第一基板和第二基板之间形成凹槽，从而分离导电构件并且暴露在模塑料中的凹槽的侧壁上的导电构件的两个平滑端；将电磁干扰(EMI)屏蔽层至少施加在包括凹槽的侧壁的模塑料的被暴露的表面上，从而物理地和电地接触导电构件的两个平滑端；以及通过形成从该凹槽延伸的开槽，完全分离第一基板和第二基板。在实施例中，使用具有第一宽度的第一切割工具形成凹槽；以及使用具有小于第一宽度的第二宽度的第二切割工具完全分离第一基板和第二基板。在实施例中，导电构件包括至少一个导电引线。该方法还包括在布置导电引线之前，在第一基板的表面上布置至少一个第一半导体裸芯，以及在第二基板的表面上布置至少一个第二半导体裸芯。导电引线在用于电连接第一半导体裸芯和第一基板以及电连接第二半导体裸芯和第二基板的同一引线键合工艺中布置。或者，导电构件包括导电条，且在布置第一半导体裸芯和第二半导体裸芯之前，以表面安装技术(SMT)工艺布置该导电条。通过溅射或者镀层工艺施加该电磁干扰屏蔽层。附图说明图1A和图1B是常规半导体装置的示意侧视图。图2是具有EMI屏蔽层的常规半导体装置的制造方法的流程图。图3A至图3G是在图2示出的制造方法的不同步骤的半导体装置的示意侧视图。图4是根据本技术的一个实施例的具有EMI屏蔽层的半导体装置的制造方法的流程图。图5A至图5H是在图4示出的制造方法的不同步骤的半导体装置的示意侧视图。图6A至图6C是在图5D中示出的步骤的半导体装置的三个实施例的示意侧视图。图7A和图7B是在图5H中示出的步骤的半导体装置的两个实施例的放大示意侧视图。图8A和图8B分别是根据本技术的导电条形式的导电构件的两个实施例的示意透视图。图9A至图9H是示出使用在图4中示出的制造方法的不同步骤的图8A示出的导电条本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：基板，包括在该基板的表面上的至少一个接地接触垫；至少一个半导体裸芯，在该基板的表面上；模塑料，封装该至少一个半导体裸芯；电磁干扰(EMI)屏蔽层，至少部分覆盖该模塑料的外表面；以及导电构件，形成在该基板上方，被封装在该模塑料内，并且具有第一端以及与该第一端相对的第二端，该第一端接合在该接地接触垫上，该第二端终止在该基板上方的模塑料的表面上的该电磁干扰屏蔽层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：基板，包括在该基板的表面上的至少一个接地接触垫；至少一个半导体裸芯，在该基板的表面上；模塑料，封装该至少一个半导体裸芯；电磁干扰(EMI)屏蔽层，至少部分覆盖该模塑料的外表面；以及导电构件，形成在该基板上方，被封装在该模塑料内，并且具有第一端以及与该第一端相对的第二端，该第一端接合在该接地接触垫上，该第二端终止在该基板上方的模塑料的表面上的该电磁干扰屏蔽层。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电构件包括至少一个导电引线，该导电引线的第一端引线键合在该接地接触垫上并且该导电引线的第二端电性地和物理地接触该电磁干扰屏蔽层。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该导电引线具有弧形。4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该导电构件包括多于一个的导电引线，该多个导电引线的每一个的各自第二端接触该电磁干扰屏蔽层。5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电构件包括至少一个导电条，该导电条的第一端的部分接合在该接地接触垫上，且该导电条的第二端电地和物理地接触该电磁干扰屏蔽层。6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该导电条具有“C”形或者“S”形。7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电构件包括银合金、金、铝或者铜。8.如权利要求1所述的半导体装置，其中该接地接触垫位于该基板的角部。9.如权利要求1所述的半导体装置，其中该基板还包括在该基板的表面下方的接地导电间层，该接地导电间层电连接至该接地接触垫，以及该电磁干扰屏蔽层电性地和物理地接触该接地导电间层。10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该电磁干扰屏蔽层是连续层或者网格。11.如权利要求1所述的半导体装置，其中该电磁干扰屏蔽层包括银合
\t金、铜或者金。12.一种采用基板带制备半导体装置的方法，该基板带具有包括第一基板和与该第一基板相邻的第二基板，该第一基板具有在该第一基板的表面上的第一接地接触垫，该第二基板具有在该第二基板的表面上的第二接地接触垫，该第一接地接触垫与该第二接地接触垫相邻，该方法包括：布置导电构件，桥接在该第一基板上方和第二基板上方，该导电构件的第一端接合至该第一接地接触垫以及该导电构件的第二端接合至该第二接地接触垫；封装该第一半导体裸芯、该第二半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈昌恩，莫金理，徐辉，S厄帕德海尤拉，严俊荣，邱进添，郑永康，
申请(专利权)人：晟碟信息科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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