一种白光LED升压转换系统技术方案

技术编号:13781138 阅读:95 留言:0更新日期:2016-10-04 17:17
本发明专利技术公开了一种白光LED升压转换系统,其特征在于,主要由处理芯片U,二极管D1,场效应管MOS,与处理芯片U的VOUT管脚相连接的恒流输出电路,一端与二极管D1的N极相连接、另一端经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接的电感L1等组成。本发明专利技术独创的采用TPS61200集成芯片与新颖的外围电路相结合,从而确保本发明专利技术可以输出恒定的电流,为白光LED提供恒流驱动,避免电压变化而引起白光LED的亮度变化,使不同白光LED之间的亮度一致。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及温度控制领域,具体是指一种白光LED升压转换系统
技术介绍
目前,便携式产品广泛使用彩色LCD显示器,并用白光LED作为背光。为了使白光LED工作,现在通常采用升压转换系统为白光LED供电。然而,现有的升压转换系统无法输出恒定的电流,即无法给白光LED提供恒流驱动,从而导致白光LED的亮度在电源电压变化时发生变化,或者多个白光LED之间的亮度不匹配。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的现有的升压转换系统无法输出恒定的电流的缺陷,提供一种白光LED升压转换系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种白光LED升压转换系统,主要由处理芯片U,二极管D1,场效应管MOS,与处理芯片U的VOUT管脚相连接的恒流输出电路,一端与二极管D1的N极相连接、另一端经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接的电感L1,正极与二极管D1的N极相连接、负极经电阻R2后与电感L1和电阻R5的连接点相连接的电容C2,串接在处理芯片U的VAUX管脚和场效应管MOS的栅极之间的电阻R3,正极与场效应管MOS的源极相连接、负极接地的电容C3,一端与处理芯片U的PGND管脚相连接、另一端接地的电阻R4,一端与处理芯片U的VIN管脚相连接、另一端则与二极管D1的P极共同形成输入端的电阻R1,以及正极经电感L2后与处理芯片U的L管脚相连接、负极则与处理芯片U的PS管脚相连接的电容C1组成;所述处理芯片U的FB管脚与恒流输出电路相连接、其GND管脚接地、其EN管脚和UVLO管脚均与电容C1的正极相连接;所述恒流输出电路还与电阻R5和电感L1的连接点相连接。进一步的,所述恒流输出电路由三极管VT1,三极管VT2,放大器P,P极
与处理芯片U的VOUT管脚相连接、N极与三极管VT1的基极相连接的二极管D2,N极与放大器P的负极相连接、P极接地的二极管D3,一端与三极管VT1的发射相连接、另一端经电阻R7后与二极管D3的P极相连接的电阻R6,串接在三极管VT2的发射极和放大器P的正极之间的电阻R9,一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端则与电感L1和电阻R5的连接点相连接的电阻R8,以及P极与三极管VT2的集电极相连接、N极与放大器P的输出端相连接的二极管D4组成;所述电阻R6和电阻R7的连接点与处理芯片U的FB管脚相连接;所述三极管VT1的集电极与三极管VT2的基极相连接;所述放大器P的输出端与电阻R5和电感L1的连接点共同形成输出端。所述处理芯片U为TPS61200集成芯片。本专利技术较现有技术相比,具有以下优点及有益效果:本专利技术独创的采用TPS61200集成芯片与新颖的外围电路相结合,从而确保本专利技术可以输出恒定的电流,为白光LED提供恒流驱动,避免电压变化而引起白光LED的亮度变化,使多个白光LED之间的亮度一致。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明,但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示,本专利技术主要由处理芯片U,恒流输出电路,二极管D1,场效应管MOS,电阻R1,电阻R2,电阻R3,电阻R4,电阻R5,电容C1,电容C2,电容C3,电感L1以及电感L2组成。其中,恒流输出电路与处理芯片U的VAUX管脚相连接。电感L1的一端与二极管D1的N极相连接、其另一端经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接。电容C2的正极与二极管D1的N极相连接、其负极经电阻R2后与电感L1和电阻R5的连接点相连接。电阻R3串接在处理芯片U的VAUX管脚和场
效应管MOS的栅极之间。电容C3的正极与场效应管MOS的源极相连接、其负极接地。电阻R4的一端与处理芯片U的PGND管脚相连接、其另一端接地。电阻R1的一端与处理芯片U的VIN管脚相连接、其另一端则与二极管D1的P极共同形成输入端。电容C1的正极经电感L2后与处理芯片U的L管脚相连接、其负极则与处理芯片U的PS管脚相连接。同时,所述处理芯片U的FB管脚与恒流输出电路相连接、其GND管脚接地、其EN管脚和UVLO管脚均与电容C1的正极相连接。所述恒流输出电路还与电阻R5和电感L1的连接点相连接。为了更好的实施本专利技术所述处理芯片U优选TPS61200集成芯片。另外,所述恒流输出电路由三极管VT1,三极管VT2,放大器P,二极管D2,二极管D3,二极管D4,电阻R6,电阻R7,电阻R8以及电阻R9组成。连接时,二极管D2的P极与处理芯片U的VOUT管脚相连接、其N极与三极管VT1的基极相连接。二极管D3的N极与放大器P的负极相连接、其P极接地。电阻R6的一端与三极管VT1的发射相连接、其另一端经电阻R7后与二极管D3的P极相连接。电阻R9串接在三极管VT2的发射极和放大器P的正极之间。电阻R8的一端与三极管VT2的集电极相连接、其另一端则与电感L1和电阻R5的连接点相连接。二极管D4的P极与三极管VT2的集电极相连接、其N极与放大器P的输出端相连接。该电阻R6和电阻R7的连接点与处理芯片U的FB管脚相连接。所述三极管VT1的集电极与三极管VT2的基极相连接。所述放大器P的输出端与电阻R5和电感L1的连接点共同形成输出端。本专利技术独创的采用TPS61200集成芯片与新颖的外围电路相结合,从而确保本专利技术可以输出恒定的电流,为白光LED提供恒流驱动,避免电压变化而引起白光LED的亮度变化,使多个白光LED之间的亮度一致。如上所述,便可很好的实现本专利技术。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种白光LED升压转换系统,其特征在于,主要由处理芯片U,二极管D1,场效应管MOS,与处理芯片U的VOUT管脚相连接的恒流输出电路,一端与二极管D1的N极相连接、另一端经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接的电感L1,正极与二极管D1的N极相连接、负极经电阻R2后与电感L1和电阻R5的连接点相连接的电容C2,串接在处理芯片U的VAUX管脚和场效应管MOS的栅极之间的电阻R3,正极与场效应管MOS的源极相连接、负极接地的电容C3,一端与处理芯片U的PGND管脚相连接、另一端接地的电阻R4,一端与处理芯片U的VIN管脚相连接、另一端则与二极管D1的P极共同形成输入端的电阻R1,以及正极经电感L2后与处理芯片U的L管脚相连接、负极则与处理芯片U的PS管脚相连接的电容C1组成;所述处理芯片U的FB管脚与恒流输出电路相连接、其GND管脚接地、其EN管脚和UVLO管脚均与电容C1的正极相连接;所述恒流输出电路还与电阻R5和电感L1的连接点相连接。

【技术特征摘要】
1.一种白光LED升压转换系统,其特征在于,主要由处理芯片U,二极管D1,场效应管MOS,与处理芯片U的VOUT管脚相连接的恒流输出电路,一端与二极管D1的N极相连接、另一端经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接的电感L1,正极与二极管D1的N极相连接、负极经电阻R2后与电感L1和电阻R5的连接点相连接的电容C2,串接在处理芯片U的VAUX管脚和场效应管MOS的栅极之间的电阻R3,正极与场效应管MOS的源极相连接、负极接地的电容C3,一端与处理芯片U的PGND管脚相连接、另一端接地的电阻R4,一端与处理芯片U的VIN管脚相连接、另一端则与二极管D1的P极共同形成输入端的电阻R1,以及正极经电感L2后与处理芯片U的L管脚相连接、负极则与处理芯片U的PS管脚相连接的电容C1组成;所述处理芯片U的FB管脚与恒流输出电路相连接、其GND管脚接地、其EN管脚和UVLO管脚均与电容C1的正极相连接;所述恒流输出电路还与电阻R5和电感L1的连接点相连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:成都特普瑞斯节能环保科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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