具有设置在封装体内的无源微电子器件的微电子封装件制造技术

一种微电子封装件，包括设置在封装体内的无源微电子器件，其中，封装体是微电子封装件的部分，封装体为微电子封装件提供支撑和/或刚性。在倒装芯片类型的微电子封装件中，封装体可以包括微电子基板，有源微电子器件电附接至微电子基板。在嵌入式器件类型的微电子封装件中，封装体可以包括其中嵌入有源微电子器件的材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书的实施例总体上涉及微电子封装件制造的领域，并且具体而言，涉及包括表面安装器件和/或设置在封装体内的集成无源器件的微电子封装件。
技术介绍
微电子产业继续努力生产用在各种电子产品(包括但不限于计算机服务器产品和诸如便携式计算机、电子平板设备、蜂窝电话、数字相机等等之类的便携式产品)中的越来越快和越来越小的微电子封装件。随着实现这些目标，微电子封装件的制造变得更加具有挑战性。一个这种挑战性领域与减小微电子封装件的高度/厚度有关。尽管有源微电子器件(诸如微电子管芯)的厚度已经减小，但是用在微电子封装件中的无源微电子器件(诸如集成无源器件和表面安装器件)难以在尺寸上减小。这种困难起因于通常这些无源微电子器件需要特定量(例如，体积)的部件材料以便实现期望的功能(例如，电容值、电感值等)的事实。由此，制造更薄的无源微电子器件将需要减小部件材料的体积(其将阻碍性能)或使用非常规的部件材料(其可以减小将需要的部件材料的体积，但可能过高地增加无源微电子器件的成本)。附图说明在说明书的结束部分中特别地指出并且明确地要求保护本公开内容的主题。根据下面的描述和所附权利要求并且结合附图考虑，本公开内容的前述特征和其它特征将变得更加充分地显而易见。应当理解的是，附图仅仅描绘了根据本公开内容的几个实施例，并且因此不被认为限制其范围。本公开内容将通过使用附图被描述为具有附加的特征和细节，以使得本公开内容的优点可以更容易确定，在附图中：图1A-1F示出了根据本说明书的实施例的制造倒装芯片类型的微电子封装件的工艺的横截面视图。图2A-2F示出了根据本说明书的另一个实施例的制造嵌入式技术类型的微电子封装件的工艺的横截面视图。图3A-3F示出了根据本说明书的又一个实施例的制造嵌入式技术类型的微电子封装件的工艺的横截面视图。图4是根据本说明书的实施例的制造微电子结构的工艺的流程图。图5示出了根据本说明书的一个实施方式的计算设备。具体实施方式在下面的具体实施方式中，对附图进行了参考，附图通过例示的方式示出了其中可以实施所要求保护的主题的具体实施例。足够详细地描述了这些实施例，以使得本领域技术人员能够实施主题。应当理解的是，各个实施例(尽管不同)不必相互排斥。例如，在不脱离所要求保护的主题的精神和范围的情况下，本文结合一个实施例所描述的特定特征、结构或特性可以在其它实施例内实施。此说明书内对“一个实施例”或“实施例”的提及意指结合实施例所描述的特定特征、结构或特性包括在包含在本书明书内的至少一个实施方式中。因此，使用短语“一个实施例”或“在实施例中”不必指代相同实施例。另外，应当理解的是，每一个所公开的实施例内单独元件的位置或布置可以在不脱离所要求保护的主题的精神和范围的情况下得以修改。下面的具体实施方式因此不认为是限制意义，并且主题的范围仅仅由适当解释的所附权利要求连同所附权利要求所赋予的等同形式的全部范围来限定。在附图中，类似的附图标记指代遍及几个视图的相同或类似的元件或功能，并且其中所描绘的这些元件不必彼此按比例缩放，而是单独的元件可以放大或缩小以便在本说明书的背景下更容易地理解元件。如本文中所使用的术语“在……上方”、“至”、“在……之间”和“在……上”可以指代一层相对于其它层的相对位置。一层“在”另一层“上方”或“在”另一层“上”或键合“至”另一层可以直接与另一层接触或可以具有一个或多个中间层。层“之间”的一层可以直接与这些层接触或可以
具有一个或多个中间层。本说明书的实施例包括具有设置在封装体内的无源微电子器件的微电子封装件，其中，封装体是微电子封装件的一部分，其为微电子封装件提供支撑和/或刚性。在倒装芯片类型的微电子封装件中，封装体可以包括微电子基板，有源微电子器件电附接至该微电子基板。在嵌入式器件类型的微电子封装件中，封装体可以包括其中嵌入了有源微电子器件的材料。图1A-1F示出了本说明书的实施例，其中无源器件设置在倒装芯片类型的微电子封装件的封装体内。如在图1A中示出的，可以形成封装体110。封装体110可以是具有第一表面112和相对的第二表面114的微电子基板，诸如母板、内插器(interposer)等。封装体110可以具有形成在封装体的第一表面112中或第一表面112上的多个焊盘116、以及形成在封装体的第二表面114中或第二表面112上的多个焊盘118。封装体110可以包括具有由形成在电介质层中的至少一个电介质层上(示出为形成在第二电介质层1222上)的导电迹线124构成的多个导电路径130的多个电介质层(示出为第一电介质层1221和第二电介质层1222)，其中，连接形成在诸如导电迹线124、封装体的第一表面焊盘116、以及封装体的第二表面焊盘118之类的结构之间，其中导电过孔126形成为穿过各个电介质层(示出为第一电介质层1221和第二电介质层1222)。应当理解的是，导电路径130可以包括封装体的第一表面焊盘116和封装体的第二表面焊盘118。封装体电介质层(示出为第一电介质层1221和第二电介质层1222)可以包括任何适当的电介质材料，包括但不限于液晶聚合物、环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、聚苯并恶唑、聚酰亚胺材料、二氧化硅填充的环氧树脂(诸如可从日本的Ajinomoto Fine-Techno Co.,Inc.,1-2Suzuki-cho,Kawasaki-ku,Kawasaki-shi,210-0801获得的材料，(例如，Ajinomoto ABFGX 13和Ajinomoto GX92))等等。导电路径130可以由任何适当的导电材料构成，包括但不限于铜、银、金、镍、钛、钨及其合金。用于形成封装体110的工艺对于本领域技术人员是公知的，并且为了简洁和简明将不在本文中进行描述或示出。应当理解的是，封装体110可以由任何数量的电介质层构成，可以包含刚性芯(未示出)，并可以包含形成在其中的有源和/或无源微电子器件(未示出)。还应当理解的是，导电路径130可以在封装体110
内形成任何期望的电路线和/或利用附加的外部部件(未示出)来形成任何期望的电路线。还应当理解的是，如本领域技术人员将理解的，可以在封装体的第一表面122和/或封装体的第二表面124上利用阻焊层(未示出)。如在图1B中示出的，可以在封装体110中形成腔132。如所示出的，封装体的腔132可以形成为穿过封装体110，从封装体的第一表面112延伸至封装体的第二表面114并且在它们之间形成腔侧壁134。封装体的腔132可以通过本领域中公知的任何技术来形成，包括但不限于冲压、碾磨、钻孔、夹持(pinching)、蚀刻等。如在图1C中示出的，在通常被称为倒装芯片或可控塌陷芯片连接(“C4”)的配置中，有源微电子器件140可以利用多个互连件150(诸如可回流的焊接凸点或焊球)附接至对应的封装体的第一表面焊盘116。互连件150可以在封装体的第一表面焊盘116与有源微电子器件140的有源表面144上的镜像焊盘142之间延伸以便在它们之间形成电连接。应当理解的是，有源微电子器件的焊盘142可以与有源微电子器件140内的集成电路(未示出)进行电通信。有源微电子器件140可以是任何适当的微电子器件，包括但不限于微处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微电子封装件，包括：有源微电子器件，所述有源微电子器件与封装体接触；以及无源微电子器件，所述无源微电子器件被设置在形成于所述封装体中的腔内；其中，所述有源微电子器件和所述无源微电子器件通过形成在所述封装体中或所述封装体上的导电路径来电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子封装件，包括：有源微电子器件，所述有源微电子器件与封装体接触；以及无源微电子器件，所述无源微电子器件被设置在形成于所述封装体中的腔内；其中，所述有源微电子器件和所述无源微电子器件通过形成在所述封装体中或所述封装体上的导电路径来电连接。2.根据权利要求1所述的微电子封装件，其中，所述腔从所述封装体的第一表面至所述封装体的第二表面延伸穿过所述封装体。3.根据权利要求1或权利要求2所述的微电子封装件，其中，所述有源微电子器件包括倒装芯片微电子器件，并且所述封装体包括微电子基板，其中，所述倒装芯片微电子器件通过在所述倒装芯片微电子器件与所述微电子基板之间延伸的多个互连件与所述微电子基板接触。4.根据权利要求1或权利要求2所述的微电子封装件，其中，所述有源微电子器件嵌入在所述封装体中，并且其中，所述有源微电子器件的有源表面与所述封装体的第二表面实质上成平面。5.根据权利要求4所述的微电子封装件，其中，所述导电路径形成在再分布层中，所述再分布层形成在所述有源微电子器件的有源表面和所述封装体的第二表面上。6.根据权利要求1所述的微电子封装件，其中，所述封装体包括支撑板和电介质密封剂，其中，所述有源微电子器件的背面粘附至所述支撑板，并且其中，所述有源微电子器件嵌入在所述电介质密封剂中，其中所述电介质密封剂的一部分在所述有源微电子器件的有源表面上方延伸。7.根据权利要求6所述的微电子封装件，其中，所述导电路径形成在再分布层中，所述再分布层形成在所述封装体的第二表面上。8.根据权利要求7所述的微电子封装件，其中，所述腔延伸穿过所述再分布层、穿过所述电介质密封剂，并且部分地延伸到所述支撑板中。9.一种用于制造微电子封装件的方法，包括：形成有源微电子器件；形成封装体；使所述封装体与所述有源微电子器件接触；在所述封装体中或所述封装体上形成导电路径；在所述封装体中形成腔；在所述腔内设置无源微电子器件；以及利用所述导电路径电连接所述有源微电子器件与所述无源微电子器件。10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述封装体中形成所述腔包括：形成所述腔以便从所述封装体的第一表面至所述封装体的第二表面延伸穿过所述封装体。11.根据权利要求9或权利要求10所述的方法，其中，形成所述微电子器件包括形成倒装芯片微电子器件，其中，形成所述封装体包括形成微电子基板，并且其中，所述微电子器件通过在所述倒装芯片微电子器件与所述微电子基板之间延伸的多个互连件与所述微电子基板接触。12.根据权利要求9或权利要求10所述的方法，其中，形成所述封装体以及使所述封装体与所述有源微电子器件接触包括：将所述微电子器件嵌入在所述封装体中，以使得所述微电子器件的有源表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·迈尔，G·奥夫纳，A·沃尔特，G·塞德曼，S·阿尔贝斯，C·盖斯勒，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US