一种隔离电源过流关断延迟保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种隔离电源过流关断延迟保护电路，包括采样电路、电压门限电路、充电延迟电路和供电稳压电路；采样电路采用采样电阻；电压门限电路采用MOS管；充电延迟电路包括第四电阻、稳压管和电容；供电稳压电路包括供电三极管；采样电阻一端接输入地，另一端连接电源主开关管源极和MOS管的栅极；MOS管的源极、稳压管的正极以及电容的一端共连后连接到输入地GND，MOS管的漏极、稳压管的负极、电容的另一端与第四电阻的一端共连后连接到供电三极管的基极，第四电阻的另一端连接到电源输入电压和供电三极管的集电极上，供电三极管的发射极连接到电源控制器的供电电压。本发明专利技术的电路具有结构简单、成本低、可靠性高等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种隔离电源过流关断延迟保护电路，属于电路

技术介绍
隔离开关电源过流保护电路一般都是由采样电阻、基准源、比较器和MOS开关构成的，比较器和基准源都需要电源供电，且结构复杂，成本较高；有的采用低损耗设计的电路但成本较高；有的采用控制电源控制器占空比，但供电电路损耗较大；有的采用控制MOS管来进行关断保护，但由于开关管导通电阻的存在，大电流时导致电源损耗较大。如以下申请号的中国专利，201320347931.X，缺点：电路中有控制集成电路芯片，成本较高； 201420557248.3，缺点：电路中有控制集成电路芯片，成本较高； 201220572956.5，缺点：电路结构复杂，成本较高； 201120508714.5，缺点：电路结构复杂，成本较高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种隔离电源过流关断延迟保护电路，结构简单，成本低，可靠性高。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种隔离电源过流关断延迟保护电路，其特征是，包括采样电路、电压门限电路、充电延迟电路和供电稳压电路；采样电路采用采样电阻；电压门限电路采用MOS管V1；充电延迟电路包括第四电阻R4、稳压管V2和电容C1；供电稳压电路包括供电三极管V3；采样电阻一端接输入地，另一端连接电源主开关管源极和MOS管的栅极；MOS管V1的源极、稳压管V2的正极以及电容C1的一端共连后连接到输入地GND，MOS管V1的漏极、稳压管V2的负极、电容C1的另一端与第四电阻R4的一端共连后连接到供电三极管V3的基极，第四电阻R4的另一端连接到电源输入电压Vin和供电三极管V3的集电极上，供电三极管V3的发射极连接到电源控制器的供电电压VDD1。还包括第三电阻，采样电阻一端接输入地GND，另一端连接电源主开关管源极和第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接MOS管V1的栅极。采样电路由第一采样电阻R1、第二采样电阻R2并联构成。还包括一第五电阻，第四电阻R4的另一端连接到电源输入电压Vin和第五电阻的一端，第五电阻的另一端连接至供电三极管V3的集电极。电源过流保护后的延迟开启时间t=R*C*ln(Vin/(Vin-Vth－0.7))，式中R为第四电阻R4的阻值，C为电容C1的容值， Vin是电源输入电压，Vth是电源控制器的开启门限电压，0.7V是供电三极管的基射极压降。本专利技术所达到的有益效果：本专利技术采用电源原边采样电阻上电压作为过流电压信号来开启MOS开关管，MOS管的漏级连接供电电路的三极管基极对电源控制芯片进行供电关断，同时供电电路信号控制部分有延迟电路，从而电源重启时起到延迟开启的功能。此电路具有：结构简单、成本低、可靠性高等优点。附图说明图1是本专利技术的原理框图；图2是本专利技术的电路图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。本专利技术原理框图如图1所示，电路主要由采样电路、电压门限电路、充电延迟电路、供电稳压电路等单元构成。如图2所示，采样电路为采样电阻R1、R2并联形成的并联电路。电压门限电路采用MOS管V1。充电延迟电路由电阻R4、稳压管V2和电容C1构成。供电稳压电路由电阻R5和供电三极管V3构成。采样电阻R1，R2并联后，一端接输入地GND，另一端连接电源主开关管源极和电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接MOS管V1的栅极。MOS管V1的源极、稳压管V2的正极以及电容C1的一端共连后连接到输入地GND，MOS管V1的漏极、稳压管V2的负极、电容C1的另一端与电阻R4的一端共连后连接到供电三极管V3的基极，电阻R4的另一端与电阻R5的一端共连到电源输入电压Vin上，电阻 R5的另一端连接到供电三极管V3的集电极，供电三极管V3的发射极连接到电源控制器的供电电压VDD1。本实施例中MOS管V1采用NMOS管。当流过电阻R1和电阻R2组成的采样电路的电流达到设定的过流保护电流数值时，电阻R1和R2上电压就达到MOS管V1构成的电压门限电路的开启门限电压，MOS管V1开启，稳压管V2上的电压瞬间降为0V左右，电阻R5和供电三极管V3构成的供电稳压电路就断开，电源控制器的供电电压VDD1就开始下降，当下降到电源控制器的关断门限电压时，电源停止工作，隔离输出电压数值就降为0V，因电源停止工作，所以流过电阻R1和R2上的电压就开始下降，当降为MOS管V1的关断门限时，MOS管V1断开，输入电压Vin通过电阻R4开始对电容C1充电，当电压充到电源控制器的开启门限电压时，电源又开始工作。设电源停止到开始工作的时间间隔为t，则t=R*C*ln(Vin/(Vin-Vth－0.7))，也就是电源过流保护后的延迟开启时间，式中R为电阻R4的阻值，C为电容C1的容值， Vin是电源输入电压，Vth是电源控制器的开启门限电压，0.7V是供电电路三极管的基射极压降。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种隔离电源过流关断延迟保护电路，其特征是，包括采样电路、电压门限电路、充电延迟电路和供电稳压电路；采样电路采用采样电阻；电压门限电路采用MOS管V1；充电延迟电路包括第四电阻R4、稳压管V2和电容C1；供电稳压电路包括供电三极管V3；采样电阻一端接输入地，另一端连接电源主开关管源极和MOS管的栅极；MOS管V1的源极、稳压管V2的正极以及电容C1的一端共连后连接到输入地GND，MOS管V1的漏极、稳压管V2的负极、电容C1的另一端与第四电阻R4的一端共连后连接到供电三极管V3的基极，第四电阻R4的另一端连接到电源输入电压Vin和供电三极管V3的集电极上，供电三极管V3的发射极连接到电源控制器的供电电压VDD1。

【技术特征摘要】
1. 一种隔离电源过流关断延迟保护电路，其特征是，包括采样电路、电压门限电路、充电延迟电路和供电稳压电路；采样电路采用采样电阻；电压门限电路采用MOS管V1；充电延迟电路包括第四电阻R4、稳压管V2和电容C1；供电稳压电路包括供电三极管V3；采样电阻一端接输入地，另一端连接电源主开关管源极和MOS管的栅极；MOS管V1的源极、稳压管V2的正极以及电容C1的一端共连后连接到输入地GND，MOS管V1的漏极、稳压管V2的负极、电容C1的另一端与第四电阻R4的一端共连后连接到供电三极管V3的基极，第四电阻R4的另一端连接到电源输入电压Vin和供电三极管V3的集电极上，供电三极管V3的发射极连接到电源控制器的供电电压VDD1。2.根据权利要求1所述的一种隔离电源过流关断延迟保护电路，其特征是，还包括第三电阻，采样电阻一...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑泉，
申请(专利权)人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心，
类型：发明
国别省市：江苏;32