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一种MOS管开关变压器控制电路制造技术

技术编号:13758976 阅读:45 留言:0更新日期:2016-09-26 21:16
本实用新型专利技术公开了一种MOS管开关变压器控制电路,包括二极管D1、MOS管VT1、MOS管VT2、变压器T和二极管D2,所述二极管D1负极分别连接输入电压Ui一端和MOS管VT1的D极,MOS管VT1的S极分别连接变压器T线圈L1、二极管D5正极和二极管D2负极,二极管D5负极连接二极管D6负极,二极管D6正极分别连接变压器T线圈L1另一端、MOS管VT2的D极和二极管D1正极。本实用新型专利技术MOS管开关变压器控制电路,能有效防止MOS管VT1和VT2中的应力过大的问题,提升了MOS管的使用寿命,电路结构简单,成本低,适用范围广。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种控制电路,具体是一种MOS管开关变压器控制电路
技术介绍
随着器件、工艺水平的飞速发展,开关型功率变换器已发展成高效、轻型的直流电源,空间飞行器(星、箭、船等)DC/DC变换器(又称二次电源)也采用该项技术。主要原因是卫星电子设备对电源的效率、重量、体积和可靠性的要求越来越高,而传统的线性电源方案几乎无法满足飞行器系统的需要。在各种类型的DC/DC变换器中,PWM型DC/DC变换器因结构种类多,技术领先,便于实现,已经得到广泛应用。多路输出的开关电源,大多数采用的是两级式变换器,如Buck+推挽两级式变换器,先通过Buck电路将母线电压降压,这样母线电压要经过二次调整,使电压调整率降低;再从器件数量上来说,两级拓扑,功率开关管至少需要3个,电源体积大且功率密度低,从整体分析不是很理想;而对于可以承受高压输入的双管正激开关电源来说,电路结构相对简单,但其不适合用于多路输出的场合,输出交叉调整率较低,稳定度差;适合用于中小功率多路输出DC-DC变换器的电路拓扑还有是单管反激电路,其电路结构简单,成本低,但在高输入电压场合中单管反激电路主开关管的电压应力非常高,选用一般耐压的MOSFET管根本无法满足降额的要求,如果选用更高耐压的MOSFET管,由于其导通电阻更高,势必影响电源的转换效率,同时还可能带来真空环境下的低气压放电问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种MOS管开关变压器控制电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种MOS管开关变压器控制电路,包括二极管D1、MOS管VT1、MOS管VT2、变压器T和二极管D2,所述二极管D1负极分别连接输入电压Ui一端和MOS管VT1的D极,MOS管VT1的S极分别连接变压器T线圈L1、二极管D5正极和二极管D2负极,二极管D5负极
连接二极管D6负极,二极管D6正极分别连接变压器T线圈L1另一端、MOS管VT2的D极和二极管D1正极,MOS管VT2的S极分别连接二极管D2正极和输入电压Ui另一端,变压器T线圈L2一端连接二极管D3正极,二极管D3负极分别连接二极管D4负极和输出电压Uo一端,输出电压Uo另一端分别连接二极管D4正极和变压器T线圈L2另一端。作为本技术进一步的方案:所述MOS管VT1的G极连接控制信号V1。作为本技术再进一步的方案:所述MOS管VT2的G极连接控制信号V2。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术MOS管开关变压器控制电路,能有效防止MOS管VT1和VT2中的应力过大的问题,提升了MOS管的使用寿命,电路结构简单,成本低,适用范围广。附图说明图1为MOS管开关变压器控制电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。请参阅图1,本技术实施例中,一种MOS管开关变压器控制电路,包括二极管D1、MOS管VT1、MOS管VT2、变压器T和二极管D2,所述二极管D1负极分别连接输入电压Ui一端和MOS管VT1的D极,MOS管VT1的S极分别连接变压器T线圈L1、二极管D5正极和二极管D2负极,二极管D5负极连接二极管D6负极,二极管D6正极分别连接变压器T线圈L1另一端、MOS管VT2的D极和二极管D1正极,MOS管VT2的S极分别连接二极管D2正极和输入电压Ui另一端,变压器T线圈L2一端连接二极管D3正极,二极管D3负极分别连接二极管D4负极和输出电压Uo一端,输出电压Uo另一端分别连接二极管D4正极和变压器T线圈L2另一端;所述MOS管VT1的G极连接控制信号V1;所述MOS管VT2的G极连接控制信号V2。本技术的工作原理是:请参阅图1,VT1和VT2分别串接于变压器T的顶端和底端,变压器T线圈L1上端和线圈L2下端为同名端,V1和V2控制VT1和VT2同时导通和关断,当它们导通时,变压器T线圈L1和线圈L2的同名端为正,此时D3反偏,变压器T线圈L2中无电流流通,变压器T线圈L1储存能量;当VT1和VT2关断时,存储于变压器T线圈L1上的电流使变压器T线圈L1和L2电压极性反向,D3正偏,变压器T线圈L1中储存的能量被传输到输出电压Uo连接的负载,而此时变压器T同名端电位被二极管D2钳位至地,变压器T异名端电位被二极管D1钳位至输入电压Ui.所以,VT1的源极电压不会超过Ui,VT2的漏极电压也不会超过Ui,漏感尖峰被钳位,使VT1和VT2任一开关管的最大电压应力都不会超过最大直流输入电压,从而使VT1和VT2的使用寿命得到延长;另外二极管D5和稳压二极管D也6能将变压器线圈因漏感产生的尖峰电压进行钳位,进一步提升了电路的安全性。对于本领域技术人员而言,显然本技术不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本技术。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种MOS管开关变压器控制电路,包括二极管D1、MOS管VT1、MOS管VT2、变压器T和二极管D2,其特征在于,所述二极管D1负极分别连接输入电压Ui一端和MOS管VT1的D极,MOS管VT1的S极分别连接变压器T线圈L1、二极管D5正极和二极管D2负极,二极管D5负极连接二极管D6负极,二极管D6正极分别连接变压器T线圈L1另一端、MOS管VT2的D极和二极管D1正极,MOS管VT2的S极分别连接二极管D2正极和输入电压Ui另一端,变压器T线圈L2一端连接二极管D3正极,二极管D3负极分别连接二极管D4负极和输出电压Uo一端,输出电压Uo另一端分别连接二极管D4正极和变压器T线圈L2另一端。

【技术特征摘要】
1.一种MOS管开关变压器控制电路,包括二极管D1、MOS管VT1、MOS管VT2、变压器T和二极管D2,其特征在于,所述二极管D1负极分别连接输入电压Ui一端和MOS管VT1的D极,MOS管VT1的S极分别连接变压器T线圈L1、二极管D5正极和二极管D2负极,二极管D5负极连接二极管D6负极,二极管D6正极分别连接变压器T线圈L1另一端、MOS管VT2的D极和二极管D1正极,MOS管VT2的S极分别连接二极...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴辉进
申请(专利权)人:吴辉进
类型:新型
国别省市:福建;35

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