【技术实现步骤摘要】
本技术涉及运算放大器领域,特别是一种带输入电流补偿电路的低失调运算放大器。
技术介绍
运算放大器是模拟信号系统中一个重要的组成单元。在模拟及混合信号的处理中扮演着各种不同的角色,包括放大、滤波以及偏振的产生等。随着科技的进步,运算放大器在通讯系统、光学系统、传感器系统以及仪器仪表领域应用越来越广泛。但随着科技进步对信号精度的要求越来越高,而要实现高精度信号,均需要具有较低失调电压和较低失调电流的运算放大器。双极型运算放大器具有驱动能力强、速度快、噪声小等特点,有很广泛的应用空间。但传统双极型运算放大器因没有输入补偿电流,因此其输入电流较大,因此不能满足高精度的要求。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是,提供一种带输入电流补偿电路的低失调运算放大器,从而实现双极型运算放大器输入电流的优化,
在保留双极型运算放大器优点的基础上,降低输入电流,并改善输入失调电流,从而使运算放大器更加稳定高效。为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案,包括输入电流补偿单元、输入放大级单元、输出级单元以及相位补偿单元。所述输入电流补偿单元通过MP3和MP4分别与输入放大级单元的NPN2和NPN3连接;所述输入放大级单元通过MP5、MP6和MN5、MN6分别与输出级单元的NPN4和NPN5连接;所述输出级单元NPN4的集电极与电源电位连接,NPN4的发射极与输入放大级电路的正向输出端Vop连接,NPN4的发射极NPN5的集电极连接,作为运算放大器的输出端Vout,NPN5的基极与输入放大级电路的反向输出端Von连接,NPN5的发射极与地电位连接;相位补偿电路一端与运 ...
【技术保护点】
一种带输入电流补偿电路的低失调运算放大器,包括输入电流补偿单元、输入放大级单元、相位补偿单元以及输出级单元,其特征在于:所述输入电流补偿单元通过MP3和MP4分别与输入放大级单元的NPN2和NPN3连接;所述输入放大级单元通过MP5、MP6和MN5、MN6分别与输出级单元的NPN4和NPN5连接;所述输出级单元NPN4的集电极与电源电位连接,NPN4的发射极与输入放大级电路的正向输出端Vop连接,NPN4的发射极NPN5的集电极连接,作为运算放大器的输出端Vout,NPN5的基极与输入放大级电路的反向输出端Von连接,NPN5的发射极与地电位连接;相位补偿电路一端与运算放大器的输出端Vout连接,另一端与输入放大级电路的反向输出端Von连接。
【技术特征摘要】
1.一种带输入电流补偿电路的低失调运算放大器,包括输入电流补偿单元、输入放大级单元、相位补偿单元以及输出级单元,其特征在于:所述输入电流补偿单元通过MP3和MP4分别与输入放大级单元的NPN2和NPN3连接;所述输入放大级单元通过MP5、MP6和MN5、MN6分别与输出级单元的NPN4和NPN5连接;所述输出级单元NPN4的集电极与电源电位连接,NPN4的发射极与输入放大级电路的正向输出端Vop连接,NPN4的发射极NPN5的集电极连接,作为运算放大器的输出端Vout,NPN5的基极与输入放大级电路的反向输出端Von连接,NPN5的发射极与地电位连接;相位补偿电路一端与运算放大器的输出端Vout连接,另一端与输入放大级电路的反向输出端Von连接。2.根据权利要求1所述的一种带输入电流补偿电路的低失调运算放大器,其特征在于:所述电流补偿单元包括四个P型MOS管、两个N型MOS管和一个NPN型三极管。3.根据权利要求2所述的一种带输入电流补偿电路的低失调运算放大器,其特征在于:所述电流补偿单元其第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第四P型MOS管MP4的源极和电源电位连接;第一P型MOS管MP1的栅极、第一P型MOS管MP1的漏极与第一NPN型三极管NPN1的集电极连接;第二P型MOS管MP2的栅极、第二P型MOS管MP2的漏极、第
\t三P型MOS管MP3的栅极、第四P型MOS管MP4的栅极与第一NPN型三极管NPN1的基极连接;第一NPN型三极管NPN1的发射极与第一N型MOS管MN1的漏极连接;第一N型MOS管MN1的栅极与偏置电压Vb1连接;第一N型MOS管MN1的源极与第二N型MOS管MN2的漏极连接;第二N型MOS管MN2的栅极与偏置电压Vb2连接;第二N型MOS管MN2的源极与地电位连接;第三P型MOS管MP3的漏极与运算放大器的正向输入端VP连接;第四P型MOS管MP4的漏极与运算放大器的反向输入端VN连接。4.根据权利要求1所述的一种带输入电流补偿电路的低失调运算放大器,其特征在于:所述输入放大级单元包括四个P型MOS管、六个N型MOS管和两个NPN型三极管。5.根据权利要求4所述的一种带输入电流补偿电路的低失调运算放大器,其特征在于:所述输入放大级单元其第五P型MOS管MP5的源极、第六P型MOS管MP6的源极与电源电位连接;第五P型MOS管MP5的栅极、第六P型MOS管MP6的栅极与偏置电压Vb3连接;第五P型MOS管MP5的漏极...
【专利技术属性】
技术研发人员:王振,孙权,
申请(专利权)人:西安航天民芯科技有限公司,
类型:新型
国别省市:陕西;61
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