一种石英晶体谐振器及其制作方法技术

本申请公开了一种石英晶体谐振器，用以缓解现有技术中的石英晶体谐振器产生的频率老化问题。该石英晶体谐振器包括：上电极、下电极以及石英晶片。所述上电极，包括：上电极衬底、上电极金属膜以及上电极金属引线；所述上电极衬底由绝缘材料制成；所述上电极衬底与所述下电极，分别设置在所述石英晶片的相对的两侧；所述上电极金属膜附着于所述上电极衬底；所述上电极金属膜位于所述上电极衬底与所述石英晶片之间，且所述上电极金属膜与所述石英晶片之间存在空隙；所述上电极金属引线，设置在所述上电极衬底与所述石英晶片之间存在的空隙中；所述上电极金属引线与所述上电极金属膜相连接。申请还公开了一种石英晶体谐振器的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及谐振器
，尤其涉及一种石英晶体谐振器及其制作方法。
技术介绍
石英晶体谐振器，是高精度和高稳定度的谐振器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。但是，现有技术中的石英晶体谐振器，金属膜与石英晶片之间的应力的变化会导致频率老化。其中，金属膜的氧化或脱落，以及真空蒸镀金属膜造成的污染等原因会造成金属膜与石英晶片之间的应力发生变化。另外，所述频率老化，指所述石英晶体谐振器产生的频率发生变化，偏离了预设频率。
技术实现思路
本申请实施例提供一种石英晶体谐振器，用以缓解现有技术中的石英晶体谐振器产生的频率老化问题。本申请实施例提供一种应用于石英晶体谐振器的上电极，用以缓解现有技术中的石英晶体谐振器产生的频率老化问题。本申请实施例提供一种石英晶体谐振器的制作方法，用以缓解现有技术中的石英晶体谐振器产生的频率老化问题。本申请实施例提供一种应用于石英晶体谐振器的上电极的制作方法，用以缓解现有技术中的石英晶体谐振器产生的频率老化问题。本申请实施例采用下述技术方案：一种石英晶体谐振器，包括上电极、下电极以及石英晶片：所述上电极，包括：上电极衬底、上电极金属膜以及上电极金属引线；所述上电极衬底由绝缘材料制成；所述上电极衬底与所述下电极，分别设置在所述石英晶片的相对的两侧；所述上电极金属膜附着于所述上电极衬底；所述上电极金属膜位于所述上电极衬底与所述石英晶片之间，且所述上电极金属膜与所述石英晶片之间存在空隙；所述上电极金属引线，设置在所述上电极衬底与所述石英晶片之间存在的空隙中；所述上电极金属引线与所述上电极金属膜相连接。一种应用于石英晶体谐振器的上电极，所述上电极包括上电极衬底、上电极金属膜以及上电极金属引线：所述上电极衬底由绝缘材料制成；所述上电极衬底包含上电极槽；所述上电极槽，为用于为所述上电极金属膜提供附着空间的凹槽；所述上电极金属膜，设置在所述上电极槽中；所述上电极槽的深度值大于所述上电极金属膜的厚度值；所述上电极金属引线与所述上电极金属膜相连接。一种石英晶体谐振器的制作方法，该石英晶体谐振器包括用于石英晶体谐振器的上电极、下电极以及石英晶片，所述方法包括：在上电极衬底上真空蒸镀上上电极金属膜；连接所述上电极金属膜与所述上电极金属引线；按照设定的组装方式，将附着着所述上电极金属膜以及所述上电极金属引线的上电极衬底、石英晶片以及下电极，与其他构成石英晶体谐振器的零部件组装在一起，从而得到石英晶体谐振器；其中，所述设定的组装方式包括：所述上电极衬底与所述下电极，分别组装在所述石英晶片的相对的两侧；所述设定的组装方式满足：使得所述上电极金属膜位于所述上电极衬底与所述石英晶片之间，且所述上电极金属膜与所述 石英晶片之间存在空隙。一种应用于石英晶体谐振器的上电极的制作方法，所述方法包括：在上电极衬底包含的上电极槽中真空蒸镀上上电极金属膜；其中，所述上电极槽的深度值大于所述上电极金属膜的厚度值；连接所述上电极金属膜与上电极金属引线。本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：由于所述上电极金属膜与所述石英晶片之间存在空隙，那么与现有技术中的上电极金属膜附着在石英晶片上的结构相比，上述至少一个技术方案中的上电极金属膜与石英晶片之间不存在应力，也不会产生应力变化的现象。另外上述至少一个技术方案中的上电极金属膜虽然与石英晶片之间存在空隙，但所述上电极金属膜仍能够在通电后，为所述石英晶片提供电场，使得所述石英晶片可以产生谐振。因此，采用上述至少一个技术方案能够实现低老化。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1a为本申请实施例1提供的一种石英晶体谐振器的剖面图；图1b为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的上电极剖面视图；图1c为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的上电极俯视图；图1d为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的上电极衬底剖面图；图1e为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的上电极衬底俯视图；图1f为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的石英晶片俯视图；图1g为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的石英晶片正视图；图1h为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的下电极剖面视图；图1i为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的下电极俯视图；图1j为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的下电极衬底剖面图；图1k为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的下电极衬底俯视图；图1L为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的上电极、石英晶片以及下电极组装在一起后形成的整体结构的剖面图；图1m为本申请实施例1提供的一种应用于石英晶体谐振器的上电极、石英晶片以及下电极组装在一起后形成的整体结构的俯视图；图2为本申请实施例3提供的一种石英晶体谐振器的制作方法的实现流程示意图；图3为本申请实施例4提供的一种应用于石英晶体谐振器的上电极的制作方法的实现流程示意图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。实施例1为实现低老化，本申请实施例1提供一种石英晶体谐振器。该石英晶体谐振器的剖面图如图1a所示。其中，所述石英晶体谐振器，可以包括但不限于上电极1、石英晶片2以及下电极3等元器件。上电极1的具体结构参见图1b和图1c。其中，图1b为沿着图1c中的1-1方向的上电极1的剖面图，图1c是上电极1的俯视图。 石英晶片2的具体结构参见图1f和图1g。其中，图1f为石英晶片2的俯视图，图1g是沿着图1f中的1-1方向上的石英晶片2的剖面图。 下电极3的具体结构参见图1h和图1i。其中，图1h为沿着图1i中的1-1方向的下电极3的剖面图，图1i是下电极3的俯视图。 其中，所述上电极1以及下电极3，用于在通电后，为石英晶片2提供电场，使得所述石英晶片2因压电效应产生谐振。下面分别介绍所述上电极1、石英晶片2以及所述下电极3：(1)所述上电极1所述上电极1，可以包括但不限于：上电极衬底4、上电极金属膜5(参见图1b与图1c)以及上电极金属引线6(参见图1b与图1c)。其中，上电极衬底4的具体结构参见图1d和图1e。其中，图1d为沿着图1e中的1-1方向上的上电极衬底4的剖面图，图1e为上电极衬底4的俯视图。所述上电极衬底4由绝缘材料制成，比如，该绝缘材料可以为石英等材料。所述上电极衬底4为圆形，外径为D1，内径为D2(参见图1d)。其中D1-D2>0.5毫米。所述上电极衬底4，可以包括第一定位结构与上电极槽8(参见图1e)。所述第一定位结构，用于上电极1与下电极3包含的用于与所述第一定位结构相 契合的第二定位结构榫接在一起。若所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石英晶体谐振器，包括上电极、下电极以及石英晶片，其特征在于：所述上电极，包括：上电极衬底、上电极金属膜以及上电极金属引线；所述上电极衬底由绝缘材料制成；所述上电极衬底与所述下电极，分别设置在所述石英晶片的相对的两侧；所述上电极金属膜附着于所述上电极衬底；所述上电极金属膜位于所述上电极衬底与所述石英晶片之间，且所述上电极金属膜与所述石英晶片之间存在空隙；所述上电极金属引线，设置在所述上电极衬底与所述石英晶片之间存在的空隙中；所述上电极金属引线与所述上电极金属膜相连接。

【技术特征摘要】
1.一种石英晶体谐振器，包括上电极、下电极以及石英晶片，其特征在于：所述上电极，包括：上电极衬底、上电极金属膜以及上电极金属引线；所述上电极衬底由绝缘材料制成；所述上电极衬底与所述下电极，分别设置在所述石英晶片的相对的两侧；所述上电极金属膜附着于所述上电极衬底；所述上电极金属膜位于所述上电极衬底与所述石英晶片之间，且所述上电极金属膜与所述石英晶片之间存在空隙；所述上电极金属引线，设置在所述上电极衬底与所述石英晶片之间存在的空隙中；所述上电极金属引线与所述上电极金属膜相连接。2.如权利要求1所述的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上电极衬底，包括第一定位结构；所述下电极，包括与所述第一定位结构相契合的第二定位结构；所述第一定位结构与所述第二定位结构榫接在一起。3.如权利要求2所述的石英晶体谐振器，其特征在于：所述第一定位结构包含卡槽部分，所述第二定位结构包含与所述第一定位结构包含的卡槽部分相契合的凸起部分；或所述第一定位结构包含凸起部分，所述第二定位结构包含与所述第一定位结构包含的凸起部分相契合的卡槽部分；或所述第一定位结构包含卡槽部分和凸起部分，所述第二定位结构包含与所述第一定位结构包含的卡槽部分和凸起部分分别相契合的凸起部分与卡槽部分。4.如权利要求3所述的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上电极衬底为圆形；所述上电极衬底包含的第一定位结构的数量为四个；且所述第一定位结构
\t平均分布于所述上电极衬底边缘。5.如权利要求1所述的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上电极衬底，包括上电极槽；所述上电极槽，为用于为所述上电极金属膜提供附着空间的凹槽；所述上电极槽的深度值大于所述上电极金属膜的厚度值；所述上电极金属膜，位于所述上电极槽中。6.如权利要求1所述的石英晶体谐振器，其特征在于，所述下电极，包括：下电极衬底、下电极金属膜以及下电极金属引...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔巍，潘立虎，叶林，周伟平，郑文强，王作羽，刘小光，哈斯图亚，
申请(专利权)人：北京无线电计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11