麦克风放大器电路制造技术

技术编号:13734669 阅读:25 留言:0更新日期:2016-09-21 22:50
本发明专利技术提供了一种麦克风放大器电路,包括输入端、输出端、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电流源、第二电流源以及电容。与相关技术相比,本发明专利技术提供的麦克风放大器电路通过设置一个第四晶体管来改善相位补偿,因而,即使负载电容较大,也能使用较小的电容进行相位补偿,使得麦克风放大器电路具有更低的输出阻抗。同时通过添加第四晶体管也使得麦克风放大器电路既能向外输出大电流,又能向内接收大电流,实现了输出推挽式电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种麦克风电路,尤其涉及一种麦克风放大器电路
技术介绍
麦克风放大器电路主要包括MEMS传感器和ASIC(Application-Specific Integrated Circuit,专用集成电路),两者电性连接以实现将声音信号转换成电信号从而实现麦克风的功能。然而,在相关技术中,麦克风放大器电路的输出端一般用于输出大电流,由于连接输出端的负载是变化的,因此,要求该输出端也能接收向内的大电流。在相关技术中,负载电容一般不可过大,相位裕度会变差,要保持相位裕度,当负载电容过大时,需要一个较大的电容来做相位补偿,这又造成麦克风放大器电路的输出阻抗一般较大,影响麦克风放大器电路输出的电流的大小。因此,有必要提供一种新型的麦克风放大器电路以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种麦克风放大器电路,其既能向外输出大电流,又能向内接收大电流,而且输出阻抗更低。本专利技术的技术方案如下:一种麦克风放大器电路,包括输入端、输出端、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电流源、第二电流源以及电容,所述第一晶体管的栅极连接所述输入端,所述第一晶体管的源极连接所述输出端,所述第一晶体管的漏极通过所述第一电流源接地,所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极连接,所述第二晶体管的漏极通过所述第二电流源连接至工作电压,所述第二晶体管的源极接地,所述第三晶体管的漏极连接至工作电压,所述第三晶体管的源极连接所述输出端,所述第三晶体管的栅极与所述第二晶体管的漏极连接,
所述第四晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接并一起连接至第一晶体管的漏极,所述第四晶体管的源极接地,所述第四晶体管的漏极与所述输出端连接,所述电容连接于所述第二晶体管的源极与第三晶体管的栅极之间。优选地,所述第一晶体管为PMOS管。优选地,所述第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管采用NMOS管。与相关技术相比,本专利技术提供的麦克风放大器电路通过设置第四晶体管来改善相位补偿,因而,即使负载电容较大,也能使用较小的电容进行相位补偿,使得麦克风放大器电路具有更低的输出阻抗,同时使得麦克风放大器电路既能向外输出大电流,又能向内接收大电流,实现了输出推挽式电流。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:图1为本专利技术麦克风放大器电路的电路结构图,该电路中,输出端的电流是流入的;图2为本专利技术麦克风放大器电路的电路结构图,该电路中,输出端的电流是流出的。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1和图2,图1为本专利技术麦克风放大器电路的电路结构图,示出了输出端的电流是流入的。图2为本专利技术麦克风放大器电路的电路结
构图,示出了输出端的电流是流出的。在本实施例中,麦克风放大器电路包括输入端Vin、输出端Vout、第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、用于提供基准电流的第一电流源I1、用于提供基准电流的第二电流源I2以及电容C1。所述麦克风放大器电路通过所述输入端Vin接收外界电信号,所述麦克风放大器电路处理所述电信号,并将经过处理的所述电信号由所述输出端Vout输出。该输出端Vout上还设置有由负载电阻RL和负载电容CL组成的模拟负载电路。输出端Vout在驱动负载电阻RL时,流经输出端的电流是推挽的。如图1所示,输出端Vout可以接收由负载电阻RL灌入的大电流Iout,该大电流由第四晶体管M4接收。如图2所示,第三晶体管M3可以提供大电流Iout以驱动负载电阻RL。具体地,第一晶体管M1的栅极连接所述输入端Vin以接收外界电信号,所述第一晶体管M1的源极连接所述输出端Vout以输出经过放大的外界电信号,从而实现麦克风放大器的阻抗转换,即输入阻抗大,输出阻抗小,所述第一晶体管M1的漏极通过所述第一电流源I1接地。所述第二晶体管M2的栅极与所述第一晶体管M1的漏极连接,所述第二晶体管M2的漏极经所述第二电流源I2连接至工作电压VDD,所述第二晶体管M2的源极接地。所述第三晶体管M3的漏极连接至工作电压VDD,所述第三晶体管M3的源极与所述第一晶体管M1的源极连接并连接至输出端Vout,所述第三晶体管M3的栅极与所述第二晶体管M2的漏极连接。所述第四晶体管M4的栅极与所述第二晶体管M2的栅极连接,所述第四晶体管M4的源极与所述第二晶体管M2的源极连接并接地,所述第四晶体管M4的漏极与所述输出端Vout连接。所述电容C1一端连接于所述第三晶体管M3的栅极,另一端连接于所述第二晶体管M2的源极,并与第二晶体管M2的源极一起接地。所述电容C1用于进行相位补偿。所述第二晶体管M2的漏极与所述第三晶体管M3的栅极的连接点为第一
连接点V1,所述第二晶体管M2的栅极与所述第一晶体管M1的漏极的连接点为第二连接点V2,通过设置所述第四晶体管M4,可以提供从所述第二连接点V2、所述第四晶体管M4到所述输出端Vout的一个负反馈,该负反馈改善了从第二连接点V2、第二晶体管M2、第一连接点V1至所述输出端Vout这个负反馈的相位补偿。因而,即使所述负载电容CL较大,例如2nF,仍然可以使用较小的电容C1进行相位补偿。另外,由于多了从所述第二连接点V2、第四晶体管M4到输出端Vout的负反馈,使得所述麦克风放大器电路的输出阻抗变得更低。由于PMOS管相对NMOS管具有更低的闪烁噪声,因此,本实施例中的第一晶体管M1采用PMOS管。所述第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管采用NMOS管。在本实施例中,第一电流源I1、第二电流源I2为可以提供需要的电流值的器件。所述第二晶体管M2的静态电流ID2由所述第二电流源I2定义。所述第四晶体管M4的静态电流ID4由所述第二电流源I2通过所述第二晶体管M2与所述第四晶体管M4构成的电流镜来定义。当负载电阻RL变化时,需要向所述麦克风放大器电路输入较大的负载电流Iout时,所述第一晶体管M1的电流不变,多出的电流由所述第四晶体管M4接收,从而实现了输出推挽式电流。与相关技术相比,本专利技术提供的麦克风放大器电路通过设置第四晶体管M4来改善相位补偿,因而,即使负载电容CL较大,也能使用较小的电容C1进行相位补偿,使得麦克风放大器电路具有更低的输出阻抗,同时使得麦克风放大器电路既能向外输出大电流,又能向内接收大电流,实现了输出推挽式电流。以上所述的仅是本专利技术的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本专利技术创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种麦克风放大器电路,其特征在于,包括输入端、输出端、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电流源、第二电流源以及电容,所述第一晶体管的栅极连接所述输入端,所述第一晶体管的源极连接所述输出端,所述第一晶体管的漏极通过所述第一电流源接地,所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极连接,所述第二晶体管的漏极通过所述第二电流源连接至工作电压,所述第二晶体管的源极接地,所述第三晶体管的漏极连接至工作电压,所述第三晶体管的源极连接所述输出端,所述第三晶体管的栅极与所述第二晶体管的漏极连接,所述第四晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接并一起连接至第一晶体管的漏极,所述第四晶体管的源极接地,所述第四晶体管的漏极与所述输出端连接,所述电容连接于所述第二晶体管的源极与第三晶体管的栅极之间。

【技术特征摘要】
1.一种麦克风放大器电路,其特征在于,包括输入端、输出端、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电流源、第二电流源以及电容,所述第一晶体管的栅极连接所述输入端,所述第一晶体管的源极连接所述输出端,所述第一晶体管的漏极通过所述第一电流源接地,所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极连接,所述第二晶体管的漏极通过所述第二电流源连接至工作电压,所述第二晶体管的源极接地,所述第三晶体管的漏极连接至工作电压,所述第三晶体管的源极连接所...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩冬蔡东记戴有祥
申请(专利权)人:瑞声声学科技深圳有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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