一种晶振及晶振制造方法技术

本发明专利技术提供的一种晶振及其制造方法，所述晶振包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘，所述基座于导电上盖下设有容置腔，容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接，所述晶片设在所述容置腔内，晶片表面设有电极与其中一个所述连接焊点连接，其中，所述导电上盖底面、于所述晶片上方设有预设位置，预设位置上涂布有绝缘漆。通过所述预设位置上的绝缘漆，使晶片与导电上盖绝缘，有效解决在跌落、滚筒等过程中，晶片与导电上盖碰撞导致对地短路，从而导致手机时序混乱等不良问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，尤其是一种晶振及其制造方法。
技术介绍
晶振是石英晶体谐振器和石英晶体振荡器的统称，它是利用具有压电效应的石英晶体片制造的，其作用是产生原始的时钟频率，经过不同的频率发生器的放大或缩小后产生不同的总线频率。由于晶振具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点，被应用于手机、pad等消费类电子中。目前晶振的结构如图1所示，包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘，所述基座于导电上盖下设有容置腔，容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接，所述晶片设在所述容置腔内，晶片表面设有电极与其中一个连接焊点连接，所述导电上盖焊接在基座上。其制造工艺是将陶瓷基座、晶片和导电上盖通过胶黏剂或者焊料按照生产制程连接在一起。但是导电上盖是导体，在跌落、滚筒等应力测试中，晶振整体变形导致晶片与上盖瞬间碰撞导致对地短路，从而导致手机时序混乱等不良现象；因此，需要寻找一种新的方案改善晶片变形与导电上盖短路的问题。
技术实现思路
为了克服现有技术中在在跌落、滚筒过程中晶片容易与导电上盖碰撞短路的问题，本专利技术实施例提供的一种晶振及其生产方法，能有效地对晶片和导电
上盖进行绝缘处理，防止晶片与导电上盖碰撞导致对地短路，从而导致手机时序混乱等不良现象。本专利技术提供的一种晶振，包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘，所述基座于导电上盖下设有容置腔，容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接，所述晶片设在所述容置腔内，晶片表面设有电极与其中一个所述连接焊点连接，其中，所述导电上盖底面、于所述晶片上方设有预设位置，预设位置上涂布有绝缘漆。本专利技术实施例提供的一种晶振，通过所述预设位置上的绝缘漆，使晶片与导电上盖绝缘，有效解决在跌落、滚筒等过程中，晶片与导电上盖碰撞导致对地短路，从而导致手机时序混乱等不良问题。本专利技术提供的一种晶振的制造方法，其包括：将合成水晶制成晶片；在晶片表面镀金属层，形成电极，并使金属层厚度达到预设范围；将已形成电极的晶片固定在基座的容置腔内，并固化晶片；调整晶片表面电极的厚度，使晶振的频率达到预设要求；在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化；对基座与导电上盖进行封焊。本专利技术实施例提供的一种晶振的制造方法，通过在所述导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆；绝缘漆使晶片与导电上盖绝缘，方法简单，能有效解决在跌落、滚筒等过程中，晶片与导电上盖碰撞导致对地短路，从而导致手机时序混乱等不良问题。上述所述在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化的步骤中，所述预设位置位于所述晶片上方，预设位置的面积小于容置腔的开口
面积，且大于所述晶片的上表面面积。上述所述在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化的步骤，具体为用点胶机对所述预设位置涂布绝缘漆。上述所述在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化的步骤，具体为用紫外线进行固化。上述所述将合成水晶制成晶片的步骤,包括：将合成水晶按预设切割角度切割成薄晶片；将所述薄晶片研磨至预设频率的对应厚度；将所述薄晶片切割成预设尺寸大小的晶片；去除晶片表面不光滑部分。上述所述去除晶片表面不光滑部分的步骤，具体为用化学蚀刻法去除晶片表面不光滑部分。上述所述在晶片表面镀金属层，形成电极，并使金属层厚度达到一定范围的步骤，具体为，用离子轰击金靶溅射晶片表面形成镀金层或用蒸镀法在晶片表面形成镀银层。上述所述将已形成电极的晶片固定在基座的容置腔内，并固化晶片的步骤，具体为，用导电银胶将所述晶片的电极与容置腔底部的任意一个连接焊点连接，并用烘烤固化法固化导电银胶。上述所述对基座与导电上盖进行封焊的步骤，具体为将基座与导电上盖放置在充满氮气的环境或真空环境中进行封焊。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中晶振的结构示意图；图2为本专利技术实施例一提供的晶振的结构示意图；图3为本专利技术实施例二提供的晶振制造方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例二提供的晶振制造方法中所述将合成水晶制成晶片步骤的流程示意图。具体实施方式：为了使本专利技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一：图2为本专利技术实施例提供的晶振的结构示意图，如图2所示，本专利技术提供的一种晶振，包括基座3、设在基座3顶部的导电上盖1、设在基座3内的晶片2以及设在基座3底部的两个焊盘4，所述基座3于导电上盖1下设有容置腔5，容置腔5底部设有两个连接焊点6与所述焊盘4对应连接，所述晶片2设在所述
容置腔5内，晶片2表面设有电极8与其中一个所述连接焊点6连接，其中，所述导电上盖1底面、于所述晶片2上方设有预设位置7，预设位置7上涂布有绝缘漆。通过所述预设位置7上的绝缘漆，使晶片2与导电上盖1绝缘，能有效解决在跌落、滚筒等过程中，晶片2与导电上盖1碰撞导致对地短路的问题。实施例二：图3为本专利技术实施例提供的晶振制造方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的晶振制造方法中所述将合成水晶制成晶片步骤的流程示意图。如图2所示，本专利技术提供的一种晶振的制造方法，其包括：步骤301将合成水晶制成晶片2；步骤302在晶片2表面镀金属层，形成电极8，并使金属层厚度达到预设范围；步骤303将已形成电极8的晶片2固定在基座3的容置腔5内，并固化晶片2；步骤304调整晶片2表面电极8的厚度，使晶振的频率达到预设要求；步骤305在导电上盖1底面的预设位置7涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化；步骤306对基座3与导电上盖1进行封焊。本专利技术实施例提供的一种晶振的制造方法，通过在所述导电上盖1底部的预设位置7涂布绝缘漆，绝缘漆使所述晶片2与导电上盖1绝缘，方法简单，能有效解决在跌落、滚筒等过程中，所述晶片2与导电上盖1碰撞导致对地短路从而导致手机时序混乱等不良问题。上述所述步骤305在导电上盖1底面的预设位置7涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化的步骤，具体为用点胶机对所述预设位置7涂布绝缘漆。上述所述步骤305在导电上盖1底面的预设位置7涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化的步骤，具体为用紫外线进行固化。上述所述步骤305在导电上盖1底面的预设位置7涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化的步骤中，所述预设位置7位于所述晶片2上方，其面积小于容置腔5的开口面积，且大于所述晶片2的上表面面积。上述所述步骤301将合成水晶制成晶片2的步骤,包括：步骤3011将合成水晶按预设切割角度切割成薄晶片；步骤3012将所述薄晶片研磨至预设频率的对应厚度；步骤3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶振，包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘，所述基座于导电上盖下设有容置腔，容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接，所述晶片设在所述容置腔内，晶片表面设有电极与其中一个所述连接焊点连接，其特征在于，所述导电上盖底面、于所述晶片上方设有预设位置，预设位置上涂布有绝缘漆。

【技术特征摘要】
1.一种晶振，包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘，所述基座于导电上盖下设有容置腔，容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接，所述晶片设在所述容置腔内，晶片表面设有电极与其中一个所述连接焊点连接，其特征在于，所述导电上盖底面、于所述晶片上方设有预设位置，预设位置上涂布有绝缘漆。2.一种晶振的制造方法，其特征在于，包括:将合成水晶制成晶片；在晶片表面镀金属层，形成电极，并使金属层厚度达到预设范围；将已形成电极的晶片固定在基座的容置腔内，并固化晶片；调整晶片表面电极的厚度，使晶振的频率达到预设要求；在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化；对基座与导电上盖进行封焊。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化的步骤中，所述预设位置位于晶片上方，预设位置的面积小于所述容置腔的开口面积，且大于所述晶片的上表面面积。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化的步骤，具体为用点胶机对所述预设位置涂布绝缘漆。5.根据权利要求2所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙学彪，吉圣平，李明，周伟杰，羿冬冬，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44