【技术实现步骤摘要】
本技术属于电路保护
，具体涉及一种共地桥臂互锁保护电路。
技术介绍
在电子电路领域，场效应管的应用越来越广泛，可以应用到放大电路，整流电路或者开关电路中，在电路设计中，会同时用到多个场效应管；场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。本技术主要介绍了场效应管在共地桥臂电路保护中的应用，因为电路中存在多个场效应管，其中，有些场效应管不允许同时接通，一旦同时接通，会对电路造成毁灭性的打击，进而造成设备损坏问题。
技术实现思路
本技术针对现有技术存在电路中存在多个场效应管，其中，有些场效应管不允许同时接通，一旦同时接通，会对电路造成毁灭性的打击，进而造成设备损坏等问题，提出一种共地桥臂互锁保护电路。本技术的技术方案是：一种共地桥臂互锁保护电路，包括Q1、Q2、R1、R2、R3和R4，其中R1和R3串接后与Q1并联，Q1的栅极接在R1和R3之间；R2和R4串接后与Q2并联，Q2的栅极接在R2和R4之间，所述Q1旁设置有保护电路，该保护电路包括R5和Q3，Q3的射电极与Q1的漏极连接，Q3的集电极与Q1的栅极连接，Q3的基极串接R5后与R2上端连接；所述Q2旁设置有保护电路，该保护电路包括R6和Q4，Q4的射电极与Q2的漏极连接，Q4的集电极与Q2的...
【技术保护点】
一种共地桥臂互锁保护电路，包括Q1、Q2、R1、R2、R3和R4，其中R1和R3串接后与Q1并联，Q1的栅极接在R1和R3之间；R2和R4串接后与Q2并联，Q2的栅极接在R2和R4之间，其特征在于：所述Q1旁设置有保护电路，该保护电路包括R5和Q3，Q3的射电极与Q1的漏极连接，Q3的集电极与Q1的栅极连接，Q3的基极串接R5后与R2上端连接；所述Q2旁设置有保护电路，该保护电路包括R6和Q4，Q4的射电极与Q2的漏极连接，Q4的集电极与Q2的栅极连接，Q4的基极串接R6后与R1上端连接。
【技术特征摘要】
1.一种共地桥臂互锁保护电路，包括Q1、Q2、R1、R2、R3和R4，其中R1和R3串接后与Q1并联，Q1的栅极接在R1和R3之间；R2和R4串接后与Q2并联，Q2的栅极接在R2和R4之间，其特征在于：所述Q1旁设置有保护电路，该保护电路包括R5和Q3，Q3的射电极与Q1的漏极连接，Q3的集电极与Q1的栅极连接，Q3的基极串接R5后与R2上端连接；所述Q2旁设置有保护电路，该保护电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：周富强，李世平，米祥丽，
申请(专利权)人：河南开梦电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。