一种超极结MOS应用的保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWM IC1的公共端电性连接，所述PWM IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连接，IC1 Comp 1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1脚引脚。本实用新型专利技术电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOS RDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于LED电源
，尤其涉及一种超极结MOS应用的保护电路，具体应用到可以用到超极结MOS的电路里，保护超极结MOS。
技术介绍
随着技术的进步，现在的CoolMOS 的发展朝着Rds(ON)小，电流大，芯片小，生产工艺更成熟，成本更低的方向发展，但因为芯片面积小，其耐冲击电流的能力，抗雪崩的能力也会随着下降。高温下的电流冲击及生产中的打火电流冲击等等会产生不良，在实际应用过程中，会因此而受到限制，更严重时产生相当严重的客户投诉或赔款，在此情况下，现已技术一种CoolMOS(超极结MOS)的保护电路，可以有效的保护到CoolMOS. 有效的解决此问题。
技术实现思路
本技术技术是提供一种超极结MOS应用的保护电路，特别是应用在单级PFC LED电源里的CoolMOS(超极结MOS)提供保护电路，防止MOS在生产及测试及客户端因各种较恶劣的应用情况下对MOS提供保护，防止CoolMOS因此情况下的崩溃，而产生不良，充分用到CoolMOS优式，使产品竞争能力强。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联，所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联，所述电阻R10与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWM IC(SD6**)的公共端电性连接，所述PWM IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连接，IC1 Comp 1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1脚引脚。优选的，所述电阻R3与电容C12并联，所述电容C12连接于地线和PWM IC1的公共端。本技术提供的一种超极结MOS应用的保护电路，与LED电路相比，本技术通过增加的电路较好的保护CoolMOS在异常情况下对MOS的电压电流冲击，防止变压器饱和，减小CoolMOS的雪崩机会，有效的保护CoolMOS不至于损坏；本技术电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS 同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOS RDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。请参照图1，本技术采用了如下技术方案：一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联，所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联，所述电阻R10与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电阻R3与电容C12并联，所述电容C12连接于地线和PWM IC1的公共端，所述电容C3与PWM IC1的公共端电性连接，所述PWM IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连接，IC1 Comp 1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1脚引脚。本技术通过增加的电路较好的保护CoolMOS在异常情况下对MOS的电压电流冲击，防止变压器饱和，减小CoolMOS的雪崩机会，有效的保护CoolMOS不至于损坏；本技术增加了防雷电路能有效保护MOS ，以免MOS在电压应力电流应力超标，而损坏。 700V CoolMOS应用了防雷击电路后，由超过电压应力785V降到574V，完全可以满足设计余量的10%电压应力要求；本技术电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS 同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOS RDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，其特征在于：所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联，所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联，所述电阻R10与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWM IC1的公共端电性连接，所述PWM IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连接，IC1 Comp 1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1脚引脚。

【技术特征摘要】
1.一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，其特征在于：所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联，所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联，所述电阻R10与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱俊高，王斌，黄斌，
申请(专利权)人：深圳市莱福德光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44