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一种硬盘意外断电保护器制造技术

技术编号:13689603 阅读:86 留言:0更新日期:2016-09-09 04:20
本实用新型专利技术公开了一种硬盘意外断电保护器,包括电压比较模块、MOSFET、MCU、5V电容模块、12V电容模块、升压模块和输出滤波模块。本实用新型专利技术硬盘意外断电保护器使用超级电容组储存电力,而不是蓄电池,寿命长危险小。使用低导通内阻的MOSFET代替二极管,压降几乎为0,效率更高。使用MCU智能控制,还可以添加其它功能方便后期改进。内置限流电阻,让充电电流降至合理范围,电源负载低,用于台式电脑,用来在电脑突然断电时给硬盘提供缓冲时间以安全关闭,不丢失数据。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种断电保护器,尤其涉及一种硬盘意外断电保护器
技术介绍
现有的技术主要是用电池来储存电力,UPS虽然安全但价格高,体积大,电池需要过几年换一次,还需要经常给电池充放电一下。而硬盘卡的电池虽然体积小,但依然寿命不长需要经常维护,而且长期处在高温的机箱内部容易发生危险。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种硬盘意外断电保护器,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案: 一种硬盘意外断电保护器,包括电压比较模块、MOSFET、MCU、5V电容模块、12V电容模块、升压模块和输出滤波模块,所述MOSFET分别连接电压输入端IN、MCU、电压比较模块、5V电容模块和12V电容模块,MCU还连接电压比较模块,5V电容模块还分别连接12V电容模块和升压模块,升压模块还连接输出滤波模块,输出滤波模块还连接电压输出端OUT。作为本技术的优选方案:所述电压比较模块选用LM393芯片。作为本技术的优选方案:所述5V电容模块和12V电容模块内部均设有限流电阻。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术硬盘意外断电保护器使用超级电容组储存电力,而不是蓄电池,寿命长危险小。使用低导通内阻的MOSFET代替二极管,压降几乎为0,效率更高。使用MCU智能控制,还可以添加其它功能方便后期改进。内置限流电阻,让充电电流降至合理范围,电源负载低,用于台式电脑,用来在电脑突然断电时给硬盘提供缓冲时间以安全关闭,不丢失数据。附图说明图1为本技术的方框图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。 请参阅图1,一种硬盘意外断电保护器,包括电压比较模块、MOSFET、MCU、5V电容模块、12V电容模块、升压模块和输出滤波模块,所述MOSFET分别连接电压输入端IN、MCU、电压比较模块、5V电容模块和12V电容模块,MCU还连接电压比较模块,5V电容模块还分别连接12V电容模块和升压模块,升压模块还连接输出滤波模块,输出滤波模块还连接电压输出端OUT。电压比较模块选用LM393芯片。5V电容模块和12V电容模块内部均设有限流电阻。本技术的工作原理是:本技术使用两组超级电容用来储存电力,有电压比较器接在电源输入检测电压,当电压过低时,MCU控制MOSFET开路(防止电力倒灌回电源),超级电容输出并通过升压板升至12v和5v供应硬盘使用。此装置可使硬盘延长工作3到5秒,从而使磁头回到正常位置,安全关闭,避免划伤盘片。在输入上并联比较器检测电压,如果电压低于标准,则输出低电平给MCU,MCU接到低电平信号之后给MOSFET高电平使DS端开路(断开)用于防止电力回流。而输入持续给超级电容供电,所以在断电瞬间超级电容的电经升压板之后供给硬盘使其持续工作。输出滤波用来抑制电源中的高频噪声。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硬盘意外断电保护器,包括电压比较模块、MOSFET、MCU、5V电容模块、12V电容模块、升压模块和输出滤波模块,其特征在于,所述MOSFET分别连接电压输入端IN、MCU、电压比较模块、5V电容模块和12V电容模块,MCU还连接电压比较模块,5V电容模块还分别连接12V电容模块和升压模块,升压模块还连接输出滤波模块,输出滤波模块还连接电压输出端OUT。

【技术特征摘要】
1.一种硬盘意外断电保护器,包括电压比较模块、MOSFET、MCU、5V电容模块、12V电容模块、升压模块和输出滤波模块,其特征在于,所述MOSFET分别连接电压输入端IN、MCU、电压比较模块、5V电容模块和12V电容模块,MCU还连接电压比较模块,5V电容模块还分别连接12V电容模...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨嘉铭
申请(专利权)人:杨嘉铭
类型:新型
国别省市:北京;11

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