半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区以及位于所述器件区一侧的切割道，所述半导体衬底表面依次形成有金属层、刻蚀停止层以及介质层；隔离槽，所述隔离槽位于所述器件区和所述切割道之间，并暴露所述金属层；多个通孔，所述通孔位于所述器件区上的介质层中，并暴露所述刻蚀停止层。本实用新型专利技术中，通过在器件区中不设置隔离槽，或者设置不连续的沟槽，或者减小通孔的密度，使得刻蚀通孔的过程中，刻蚀停止层不会被过刻蚀，从而防止刻蚀停止层从金属层上剥落。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
密封环(Seal Ring)是现有技术中用于芯片内部增加晶圆切割时的层间粘接力、防止边缘破裂往内部延伸的一种结构。密封环一般由介质层、钝化层、插塞、通孔和金属层等按一定规则组成，其介于芯片和切割道之间。图1a中给出了形成芯片结构的俯视图，其中包括器件区1和切割道2，器件区1和切割道2之间由隔离槽3隔开，在器件区1中形成多个通孔4，隔离槽3为形成密封环的位置。图1b为图1a形成的半导体结构中沿AA’方向的剖面图，芯片结构包括衬底11、依次位于衬底11上的金属层12、刻蚀停止层13以及介质层14，隔离槽15位于器件区1和切割道2之间，器件区1中形成通孔4，其中，隔离槽15和通孔4是同时刻蚀形成的。专利技术人发现，刻蚀形成通孔4和隔离槽15的过程中，通孔4下的刻蚀停止层13易形成过刻蚀的现象。由于刻蚀停止层13与金属层12之间的粘附力较差，从而导致刻蚀停止层13及其上的介质层14形成的结构产生剥落，即图1b中虚线框16中的结构剥落，影响芯片结构的性能。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种半导体结构，解决现有技术中刻蚀形成隔离槽和通孔时刻蚀停止层及其上的介质层发生剥落的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区以及位于所述器件区一侧的切割道，所述半导体衬底表面依次形成有金属层、刻蚀停止层以及介质层；隔离槽，所述隔离槽位于所述器件区和所述切割道之间，并暴露所述金属
层；多个通孔，所述通孔位于所述器件区上的介质层中，并暴露所述刻蚀停止层。可选的，所述通孔呈三行三列的阵列分布，相邻通孔的间距大于等于500nm。可选的，所述器件区中具有两个位于所述通孔背离所述隔离槽的一侧的第一沟槽，且分别位于所述器件区的两端，所述第一沟槽暴露所述金属层。可选的，所述器件区中具有一个位于所述通孔背离所述隔离槽的一侧的第二沟槽，且贯穿所述器件区，所述第二沟槽暴露所述金属层。可选的，所述器件区中具有两个位于所述第二沟槽与所述隔离槽之间的第三沟槽，且分别位于所述器件区的两端，所述通孔对称分布于所述第三沟槽两侧。可选的，所述第三沟槽一侧的通孔呈两行六列的阵列分布，可选的，所述第三沟槽之间的所述器件区中不设置通孔。可选的，所述器件区中具有一位于所述第二沟槽与所述隔离槽之间的第四沟槽，所述通孔对称分布于所述第四沟槽两侧，且所述第四沟槽两侧的所述器件区中不设置通孔。可选的，所述半导体衬底中还包括若干个互连结构，所述互连结构位于所述隔离槽和所述通孔的下方。可选的，所述隔离槽的形状为长方体。可选的，所述通孔的形状为圆柱体。可选的，所述介质层包括依次层叠的第一介质层和第二介质层。与现有技术相比，本技术提供的半导体结构中，半导体衬底包括器件区以及位于所述器件区一侧的切割道，半导体衬底表面依次形成有金属层、刻蚀停止层以及介质层，在所述器件区和所述切割道之间设置隔离槽，所述隔离槽并暴露所述金属层，并且，在所述器件区上的介质层中设置多个暴露所述刻蚀停止层的通孔。本技术中，通过在器件区中不设置隔离槽，或者设置不连续的沟槽，或者减小通孔的密度，使得刻蚀通孔的过程中，刻蚀停止层不会被过刻蚀，从而防止刻蚀停止层从金属层上剥落。附图说明图1a为现有技术中形成芯片结构的俯视图；图1b为现有技术中芯片结构的剖面示意图；图2a为本技术实施例一中形成半导体结构的俯视图；图2b为本技术实施例一中形成的半导体结构的剖面示意图；图3a为本技术实施例二中形成半导体结构的俯视图；图3b为本技术实施例二中形成的半导体结构的剖面示意图；图4a为本技术实施例三中形成半导体结构的俯视图；图4b为本技术实施例三中形成的半导体结构的剖面示意图；图5a为本技术实施例四中形成半导体结构的俯视图；图5b为本技术实施例四中形成的半导体结构的剖面示意图；图6为本技术实施例四中形成半导体结构的俯视图；图7a为本技术实施例四中形成半导体结构的俯视图；图7b为本技术实施例四中形成的半导体结构的剖面示意图。具体实施方式下面将结合示意图对本技术的半导体结构进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实
用新型实施例的目的。本技术的核心思想在于，提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区以及位于所述器件区一侧的切割道，所述半导体衬底表面依次形成有金属层、刻蚀停止层以及介质层；隔离槽，所述隔离槽位于所述器件区和所述切割道之间，并暴露所述金属层；多个通孔，所述通孔位于所述器件区上的介质层中，并暴露所述刻蚀停止层。本技术中，通过在器件区中不设置隔离槽，或者设置不连续的沟槽，或者减小通孔的密度，使得刻蚀通孔的过程中，刻蚀停止层不会被过刻蚀，从而防止刻蚀停止层从金属层上剥落。下文结合附图对本技术进行具体说明。实施例一图2a为形成实施例一的半导体结构的俯视图，将该半导体结构分为器件区10和切割道20，器件区10和切割道20之间形成隔离槽31，隔离槽31为形成密封环的位置，器件区10中形成若干个通孔40。图2b为图2a中形成的半导体结构沿BB’的剖面示意图。所述半导体衬底21包括器件区10以及位于所述器件区10一侧的切割道20。所述半导体衬底21表面依次具有一金属层22、一刻蚀停止层23以及介质层，所述介质层包括层叠的第一介质层24和第二介质层25。本实施例中，所述金属层22为铜金属层，所述金属层22可以是该半导体结构中的第一层金属层、第二金属层或任意一层金属层。所述刻蚀停止层23为氮化硅，在刻蚀过程中，需要将隔离槽31中的刻蚀停止层23去除，而保持器件区20中的刻蚀停止层23，用于保护器件区10中的金属层22。所述第一介质层24掺氟的氧化硅(FSG)，所述第二介质层25为氮氧化硅(SiON)。所述隔离槽31位于所述器件区10和切割道20之间，所述隔离槽31暴露所述金属层22。在本实施例中，所述隔离槽31的形状为长方体。所述通孔40分布于所述器件区10，并暴露所述刻蚀停止层23。从图2a中可知，本实施例中，所述通孔40的个数为9个，且呈三行三列的阵列分布，并且，相邻通孔40的间距L大于等于500nm。优选方案中，所述通孔40的形状为圆柱体。相对于现有技术，本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区以及位于所述器件区一侧的切割道，所述半导体衬底表面依次形成有金属层、刻蚀停止层以及介质层；隔离槽，所述隔离槽位于所述器件区和所述切割道之间，并暴露所述金属层；多个通孔，所述通孔位于所述器件区上的介质层中，并暴露所述刻蚀停止层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区以及位于所述器件区一侧的切割道，所述半导体衬底表面依次形成有金属层、刻蚀停止层以及介质层；隔离槽，所述隔离槽位于所述器件区和所述切割道之间，并暴露所述金属层；多个通孔，所述通孔位于所述器件区上的介质层中，并暴露所述刻蚀停止层。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述通孔呈三行三列的阵列分布，相邻通孔的间距大于等于500nm。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件区中具有两个位于所述通孔背离所述隔离槽的一侧的第一沟槽，且分别位于所述器件区的两端，所述第一沟槽暴露所述金属层。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件区中具有一个位于所述通孔背离所述隔离槽的一侧的第二沟槽，且贯穿所述器件区，所述第二沟槽暴露所述金属层。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述器件区中具有两个位于所述第二沟槽与所述隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈萝茜，孙强，陈思安，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12