【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种固定装置,具体涉及一种刻蚀样品固定装置,属于半导体干法刻蚀
技术介绍
ICP即电感耦合等离子体刻蚀,是一种干法刻蚀工艺,在微电子技术中应用广泛。ICP系统有两个独立的13.56M的射频电源,即电感线圈和电极给电感线圈加压时,反应室内产生交变电磁场,利用交变电磁场使气体放电,进入等离子态,交变电磁场使等离子体中电子路径发生改变,增加等离子体密度。反应室内的电极电压提供偏置电压,给等离子体提供能量,使等离子体垂直作用于基片,并与其反应生成可挥发的气态物质,以达到刻蚀的目的。目前ICP刻蚀样品的固定方式,将待刻蚀样品放置到承载盘上,使用镂空的石英或者金属将样品固定在承载盘上,样品边缘与石英或者金属重合0.5mm左右,保证刻蚀样品牢固固定在承载盘上,如图1所示。这种固定方式一方面由于样品边缘被遮住无法进行刻蚀,造成面积损失,另一方面由于石英或金属与样品由接触,导致电浆在接触位置形成扰流,降低刻蚀的均匀性。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题,本技术提供一种刻蚀样品固定装置,可有效提高ICP样品刻蚀面积及刻蚀均匀性。为了实现上述目的,本技术采用的一种刻蚀样品固定装置,包括控制单元、吸附单元和蚀刻单元,所述控制单元与所述吸附单元连接,控制单元控制所述吸附单元产生刻蚀样品吸附力,所述蚀刻单元对吸附单元上的样品进行蚀刻;所述控制单元包括整流器、与整流器连接的静电调节器、及分别与静电调节器连接的静电控制器和静电发生器;所述静电发生器用于发生静电;所述静电调节器用于调节静电发生器发出电量大小;所述静电控制器用于控制静电调节器来调节静电发生器产生的电 ...
【技术保护点】
一种刻蚀样品固定装置,其特征在于,包括控制单元、吸附单元和蚀刻单元,所述控制单元与所述吸附单元连接,控制单元控制所述吸附单元产生刻蚀样品吸附力,所述蚀刻单元对吸附单元上的样品进行蚀刻;所述控制单元包括整流器(1)、与整流器(1)连接的静电调节器(2)、及分别与静电调节器(2)连接的静电控制器(3)和静电发生器(4);所述静电发生器(4)用于发生静电;所述静电调节器(2)用于调节静电发生器(4)发出电量大小;所述静电控制器(3)用于控制静电调节器(2)来调节静电发生器(4)产生的电量大小;所述蚀刻单元包括上电极(5)、与上电极(5)配合的下电极(6),所述上、下电极配合产生蚀刻电浆;所述吸附单元包括设置在上、下电极间的刻蚀基板(7)和支撑台(8),所述刻蚀基板(7)设置在支撑台(8)上方,所述刻蚀基板(7)与静电发生器(4)连接,刻蚀基板(7)接收静电发生器(4)产生的静电,使所述刻蚀基板(7)得到吸附力。
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀样品固定装置,其特征在于,包括控制单元、吸附单元和蚀刻单元,所述控制单元与所述吸附单元连接,控制单元控制所述吸附单元产生刻蚀样品吸附力,所述蚀刻单元对吸附单元上的样品进行蚀刻;所述控制单元包括整流器(1)、与整流器(1)连接的静电调节器(2)、及分别与静电调节器(2)连接的静电控制器(3)和静电发生器(4);所述静电发生器(4)用于发生静电;所述静电调节器(2)用于调节静电发生器(4)发出电量大小;所述静电控制器(3)用于控制静电调节器...
【专利技术属性】
技术研发人员:涂亮亮,刘亚坤,林建男,魏明德,
申请(专利权)人:徐州同鑫光电科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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