上电保护电路和电磁炉制造技术

本实用新型专利技术提供一种上电保护电路和电磁炉，该上电保护电路包括：开关电路(1)和延时关断电路(2)；开关电路(1)与延时关断电路(2)连接；开关电路(1)接收到开关电源输出的第一电压时、且延时关断电路(2)接收到开关电源输出的满足预设阈值的第二电压之前，延时关断电路(2)关闭，开关电路(1)闭合，以使绝缘栅双极型晶体管关闭；延时关断电路(2)接收到开关电源输出的满足预设阈值的第二电压并达到预设时间之后，延时关断电路(2)打开，以使开关电路(1)的输出由单片机控制。本实用新型专利技术提供的上电保护电路和电磁炉，可以避免上电过程中单片机状态不确定而导致IGBT的误导通。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及家用电器领域，尤其涉及一种上电保护电路和电磁炉。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是电磁炉的重要组成部分。然而，由于绝缘栅双极型晶体管是一个大功率的功率管，在电磁炉上电的瞬间，若IGBT得到错误的驱动信号，使得流入绝缘栅双极型晶体管的电流过大，容易使得绝缘栅双极型晶体管击穿损坏，从而导致电磁炉损坏。目前，主要是在单片机和绝缘栅双极型晶体管之间增加一个保护电路来对绝缘栅双极型晶体管进行保护，从而对电磁炉进行保护。然而，目前在单片机和绝缘栅双极型晶体管之间增加的保护电路，保护电路是由单片机控制打开和关闭，由于电磁炉在上电的时候，单片机状态是不确定的，即单片机的输入口和/或输出口的状态与预设的状态不一致，从而使得单片机无法控制保护电路的打开和关闭，使得单片机和绝缘栅双极型晶体管之间增加的保护电路失效，使得绝缘栅双极型晶体管击穿损坏，从而导致电磁炉损坏。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
中提到的至少一个问题，本技术提供一种上电保护电路和电磁，可以避免上电过程中单片机状态不确定而导致IGBT的误导通。为了实现上述目的，本技术提供一种上电保护电路，包括：开关电路和延时关断电路；开关电路，用于分别与开关电源、单片机和绝缘栅双极型晶体管连接；开关电路与延时关断电路连接；开关电路接收到开关电源输出的第一电压时、且延时关断电路接收到开关电源输出的满足预设阈值的第
二电压之前，延时关断电路关闭，以使绝缘栅双极型晶体管关闭；延时关断电路接收到开关电源输出的满足预设阈值的第二电压并达到预设时间之后，延时关断电路打开，以使开关电路的输出由单片机控制。这样采用上电保护电路防止在单片机未达到稳定状态，IGBT收到非正常的驱动信号，IGBT也不会导通，从而避免了在上电过程中单片机状态不确定而导致IGBT误导通而造成电磁炉的损坏。可选的，开关电路包括：第一三极管Q1、二极管D1、第一电阻R1和第四电阻R4；第一电阻R1的第一端用于与开关电源连接，第一电阻R1的第二端与二极管D1的正极连接；第一三极管Q1的基极分别与二极管D1的负极和单片机的控制口连接，第一三极管Q1的集电极与第四电阻R4的第一端连接，第四电阻R4的第一端和第一三极管Q1的集电极分别用于与绝缘栅双极型晶体管的驱动电路连接，第一三极管Q1的发射极接地。这样可以实现开关电路接收到开关电源输出的第一电压时、且延时关断电路接收到开关电源输出的满足预设阈值的第二电压之前，延时关断电路关闭，以使绝缘栅双极型晶体管关闭。可选的，延时切断电路包括：第二三极管Q2、第二电阻R2、第三电阻R3和电容C1；第二三极管Q2的基极与第二电阻R2的第一端连接，第二三极管Q2的集电极与第一电阻R1的第二端连接，第二三极管Q2的发射极接地；电容C1的第一端分别与第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接，电容C1的第二端与第二三极管Q2的发射极连接；第三电阻R3的第二端用于接收开关电源输出的满足预设阈值的第二电压。这样可以实现延时关断电路接收到开关电源输出的满足预设阈值的第二电压并达到预设时间之后，延时关断电路打开，以使开关电路的输出由单片机控制。可选的，预设时间满足在第三电阻R3和电容C1上的充电时间大于单片机的复位时间。这样使得在单片机复位达到稳定之后，才使得延时关断电路打开，以使开关电路的输出由单片机控制，从而避免了在上电过程中单片机状态不确定而导致IGBT误导通而造成电磁炉的损坏。可选的，预设阈值为3.3伏特或2.8伏特。这样以使单片机在加载了3.3伏特(V)或2.8伏特(V)的电压时达到稳定。可选的，电源电压为18伏特或20伏特。这样以使切换电路输出的电源
电压可以驱动IGBT，使IGBT正常工作。另一方面，本技术提供一种电磁炉，包括：开关电源、单片机、绝缘栅双极型晶体管驱动电路和上述任一实施例的上电保护电路；上电保护电路分别与开关电源、单片机和绝缘栅双极型晶体管驱动电路连接，开关电源与单片机连接。这样采用上电保护电路防止在单片机未达到稳定状态，IGBT收到非正常的驱动信号，IGBT也不会导通，从而避免了在上电过程中单片机状态不确定而导致IGBT误导通而造成电磁炉的损坏。本技术的构造以及它的其他技术目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例一提供的上电保护电路的结构示意图；图2为本技术实施例二提供的上电保护电路的结构示意图；图3为本技术实施例三提供的电磁炉电路的结构示意图。附图标记说明：开关电路—1；延时关断电路—2；开关电源—3，31；单片机—4，32；IGBT驱动电路—5，33；上电保护电路34。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一图1为本技术实施例一提供的上电保护电路的结构示意图。如图1
所示，本实施例提供的上电保护电路，包括：开关电路1和延时关断电路2。开关电路1，用于分别与开关电源、单片机和绝缘栅双极型晶体管连接。开关电路1用于与开关电源连接，可以接收开关电源输出的第一电压；开关电路1用于与单片机(Single Chip Microcomputer，简称MCU)连接，可以接收单片机输出的脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation，简称PWM)信号；开关电路1用于与绝缘栅双极型晶体管的驱动电路连接，可以输出绝缘栅双极型晶体管驱动电路的控制信号。需要说明的是，本实施例中将开关电源输出给开关电路1的电压称为第一电压，将开关电源输出给单片机和延时开关电路2的电压称为第二电压，仅是为了区分开关电源输出给开关电路、单片机和开关电路2的电压，但并不仅限于此，本实施例在此不进行限定和赘述。开关电路1与延时关断电路2连接；开关电路1接收到开关电源输出的第一电压时、且延时关断电路2接收到开关电源输出的满足预设阈值的第二电压之前，延时关断电路2关闭，以使绝缘栅双极型晶体管关闭；延时关断电路2接收到开关电源输出的满足预设阈值的第二电压并达到预设时间之后，延时关断电路2打开，以使开关电路1的输出可由单片机控制。具体的，本实施例中，上电保护电路由开关电路1和延时关断电路2组成，刚开始上电时，开关电源的电压建立并将建立的第一电压输出，单片机还处于不稳定状态，加载到单片机的电压非常小，此时，加载在单片机上的电压不能满足预设阈值，单片机处于复位状态，延时关断电路2关闭，开关电路1打开，关闭IGBT的驱动电路，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上电保护电路，其特征在于，包括：开关电路(1)和延时关断电路(2)；所述开关电路(1)，用于分别与开关电源、单片机和绝缘栅双极型晶体管IGBT连接；所述开关电路(1)与所述延时关断电路(2)连接；所述开关电路(1)接收到所述开关电源输出的第一电压时、且所述延时关断电路(2)接收到所述开关电源输出的满足预设阈值的第二电压之前，所述延时关断电路(2)关闭，开关电路(1)闭合，以使所述绝缘栅双极型晶体管IGBT关闭；所述延时关断电路(2)接收到所述开关电源输出的所述满足预设阈值的第二电压并达到预设时间之后，所述延时关断电路(2)打开，以使所述开关电路(1)的输出由单片机控制。

【技术特征摘要】
1.一种上电保护电路，其特征在于，包括：开关电路(1)和延时关断电路(2)；所述开关电路(1)，用于分别与开关电源、单片机和绝缘栅双极型晶体管IGBT连接；所述开关电路(1)与所述延时关断电路(2)连接；所述开关电路(1)接收到所述开关电源输出的第一电压时、且所述延时关断电路(2)接收到所述开关电源输出的满足预设阈值的第二电压之前，所述延时关断电路(2)关闭，开关电路(1)闭合，以使所述绝缘栅双极型晶体管IGBT关闭；所述延时关断电路(2)接收到所述开关电源输出的所述满足预设阈值的第二电压并达到预设时间之后，所述延时关断电路(2)打开，以使所述开关电路(1)的输出由单片机控制。2.根据权利要求1所述的上电保护电路，其特征在于，所述开关电路(1)包括：第一三极管Q1、二极管D1、第一电阻R1和第四电阻R4；所述第一电阻R1的第一端用于与所述开关电源(3)连接，所述第一电阻R1的第二端与所述二极管D1的正极连接；所述第一三极管Q1的基极分别与所述二极管D1的负极和所述单片机的控制口连接，所述第一三极管Q1的集电极与所述第四电阻R4的第一端连接，所述第四电阻R4的第一端和所述第一三极管Q1的集电极分别用于与所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动电路连接，所述第一三极管Q1的发射极接地。3.根据权利要求2所述的上电保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙鹏刚，赵礼荣，
申请(专利权)人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33