电源芯片的测试装置及方法制造方法及图纸

本公开是关于一种电源芯片的测试装置及方法。装置包括：控制模块和至少一个开关模块，每个开关模块包括一个切换开关；其中，对于每个切换开关，包括第一端口、第二端口和第三端口，其中，第一端口在控制模块产生的控制信号的作用下，选择与第二端口接通或与第三端口接通，第一端口所在的支路与被测试电源芯片的电源输出端连接，第二端口所在的支路和第三端口所在的支路分别连接不同的负载；控制模块，用于向每个切换开关输出控制信号，控制每个切换开关对应的第一端口与第二端口接通或与第三端口接通，采集被测试电源芯片的电源输出端与不同负载连接时输出的电压值，通过电压值确定负载性能。本公开技术方案可以全自动测试电源芯片的负载性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及芯片测试
，尤其涉及一种电源芯片的测试装置及方法。
技术介绍
目前电源管理芯片(Power Management Unit，简称为PMU)所集成的电源模块越来越多，且性能要求越来越高。对于PMU的第一版芯片，需要测试人员验证第一版芯片的各路电源的性能，例如，负载从轻载到满载时芯片的性能等，由于是前期芯片的性能测试，为了降低成本，通常需要通过测试人员通过人工的方式对第一版芯片的电源性能进行测试，导致测试的效率非常的低下。
技术实现思路
为克服相关技术中存在的问题，本公开实施例提供一种电源芯片的测试装置及方法，用以提高测试电源芯片的效率。根据本公开实施例的第一方面，提供一种电源芯片的测试装置，包括：控制模块和至少一个开关模块，每个开关模块包括一个切换开关；其中，对于每个切换开关，包括第一端口、第二端口和第三端口，其中，所述第一端口在所述控制模块产生的控制信号的作用下，选择与所述第二端口接通或与所述第三端口接通，所述第一端口所在的支路与被测试电源芯片的电源输出端连接，所述第二端口所在的支路和所述第三端口所在的支路分别连接不同的负载；或者，所述第一端口所在的支路中连接负载，所述第二端口
和所述第三端口所在的支路分别连接被测试电源芯片的不同电源输出端；所述控制模块，用于向每个切换开关输出控制信号，控制所述每个切换开关对应的所述第一端口与所述第二端口接通或与所述第三端口接通，采集所述被测试电源芯片的电源输出端与不同负载连接时输出的电压值，或者，采集不同电源输出端在接同一个负载时输出的电压值，确定所述被测试电源芯片的负载性能。在一实施例中，所述每个切换开关包括：磁性线圈，所述磁性线圈的一端与供电电源连接，另一端通过控制开关与所述控制模块连接，，在所述磁性线圈通电时，第一端口与第二端口接通，在所述磁性线圈不通电时，第一端口与第三端口接通；所述控制模块，用于通过所述控制信号控制所述控制开关闭合以向所述磁性线圈通电，通过所述控制信号控制所述控制开关打开以停止向所述磁性线圈通电。在一实施例中，所述控制开关可以为NMOS管，所述NMOS管的栅极与所述控制模块连接，所述NMOS管的源极与所述磁性线圈的另一端连接，所述NMOS管的漏极与地线连接。在一实施例中，所述第一端口所在的支路与被测试电源芯片的电源输出端连接，所述第二端口所在的支路连接的负载为空载状态对应的负载，所述第三端口所在的支路连接负载为满载状态对应的负载。在一实施例中，所述NMOS管的栅极与所述控制模块连接，所述NMOS管的栅极在所述控制模块输出的控制信号的控制下，控制所述每个切换开关从第一开关状态切换到第二开关状态。在一实施例中，当所述控制信号为低电平时，所述NMOS管处于关断状态，所述被测试电源芯片处于满载状态；当所述控制信号为高电平时，所述NMOS管处于闭合状态，所述磁性线圈控制对应的切换开关的弹片从所述第三端口吸合到所述第一端口，所述被测试电源芯片处于空载状态。在一实施例中，所述每个开关模块还包括与切换开关对应的第一发光二极管，所述第一发光二极管连接在所述被测试电源芯片的电源输出端与地之间。在一实施例中，所述每个开关模块还包括与切换开关对应的第二发光二极管，所述第二发光二极管连接在用于传输所述控制信号的控制线与地之间。在一实施例中，所述控制模块，还用于将采集的各个电源输出的电压值与该电源的标准参考值进行比对，通过比对结果确定所述被测试电源芯片的负载性能。在一实施例中，所述装置还可包括：显示模块，用于显示所述被测试电源芯片的负载性能。根据本公开实施例的第二方面，提供一种电源芯片的测试方法，由上述技术方案所述的电源芯片的测试装置执行，包括：通过所述控制模块向每个切换开关输出控制信号，控制所述每个切换开关对应的所述第一端口与所述第二端口接通或与所述第三端口接通；采集所述被测试电源芯片的电源输出端与不同负载连接时的电压值，或者，采集不同电源输出端在接同一个负载时的电压值；根据所述采集的电压值确定所述被测试电源芯片的负载性能。在一实施例中，所述根据所述采集的电压值确定所述被测试电源芯片的负载性能，包括：确定所述被测试电源芯片各个电源输出的标准参考值；将采集的各个电源输出的电压值与该电源对应的标准参考值进行比对；通过比对结果确定所述被测试电源芯片的负载性能。在一实施例中，所述方法还可包括：显示所述被测试电源芯片的负载性能。本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过控制模块向每个切换开关输出控制信号，控制每个切换开关对应的不同端口之间的接通或者断开，使被测试电源芯片的电源输出端在不同负载
状态之间切换，从而可以全自动测试被测试电源芯片的负载性能，提高电源芯片的测试效率，简化测试人员的工作量，降低了测试人员的人力成本，解决了高集成度的电源芯片由于人工测试费用昂贵及人工操作复杂耗时的问题。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1A是根据一示例性实施例示出的电源芯片的测试装置的结构示意图。图1B是根据一示例性实施例示出的切换开关与负载的连接关系的示意图之一。图1C是根据一示例性实施例示出的切换开关与负载的连接关系的示意图之二。图1D是根据一示例性实施例示出的电源芯片的测试装置的电路系统图。图2是根据一示例性实施例一示出的电源芯片的测试装置的结构示意图。图3是根据一示例性实施例二示出的电源芯片的测试装置的结构示意图。图4是根据一示例性实施例三示出的电源芯片的测试装置的结构图。图5是根据一示例性实施例示出的一种电源芯片的测试方法的流程图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所
有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。图1A是根据一示例性实施例示出的电源芯片的测试装置的结构示意图，图1B是根据一示例性实施例示出的切换开关与负载的连接关系的示意图之一，图1C是根据一示例性实施例示出的切换开关与负载的连接关系的示意图之二，图1D是根据一示例性实施例示出的电源芯片的测试装置的电路系统图；该电源芯片的测试装置100可以应用在测试设备上，如图1A所示，该电源芯片的测试装置100可包括：控制模块11和至少一个开关模块(例如，开关模块21、开关模块22、…、开关模块2n，n表示开关模块的个数)，开关模块21、开关模块22、…、开关模块2n可集成在开关电路120中，开关模块21、开关模块22、…、开关模块2n均可包括一个切换开关，本领域技术人员可以理解的是，本申请的开关电路120中所包括的开关模块21、开关模块22、…、开关模块2n仅为示例性说明，开关电路120中可以根据被测试电源芯片的电源输出的个数来设置不同个数的开关模块，本申请对开关电路120中所包括的开关模块的个数不做限制。如图1B和图1C所示，以开关模块21包括的切换开关210为例进行示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源芯片的测试装置，其特征在于，所述装置包括：控制模块和至少一个开关模块，每个开关模块包括一个切换开关；其中，对于每个切换开关，包括第一端口、第二端口和第三端口，其中，所述第一端口在所述控制模块产生的控制信号的作用下，选择与所述第二端口接通或与所述第三端口接通，所述第一端口所在的支路与被测试电源芯片的电源输出端连接，所述第二端口所在的支路和所述第三端口所在的支路分别连接不同的负载；或者，所述第一端口所在的支路中连接负载，所述第二端口和所述第三端口所在的支路分别连接被测试电源芯片的不同电源输出端；所述控制模块，用于向每个切换开关输出控制信号，控制所述每个切换开关对应的所述第一端口与所述第二端口接通或与所述第三端口接通，采集所述被测试电源芯片的电源输出端与不同负载连接时输出的电压值，或者，采集不同电源输出端在接同一个负载时输出的电压值，通过所述电压值确定所述被测试电源芯片的负载性能。

【技术特征摘要】
1.一种电源芯片的测试装置，其特征在于，所述装置包括：控制模块和至少一个开关模块，每个开关模块包括一个切换开关；其中，对于每个切换开关，包括第一端口、第二端口和第三端口，其中，所述第一端口在所述控制模块产生的控制信号的作用下，选择与所述第二端口接通或与所述第三端口接通，所述第一端口所在的支路与被测试电源芯片的电源输出端连接，所述第二端口所在的支路和所述第三端口所在的支路分别连接不同的负载；或者，所述第一端口所在的支路中连接负载，所述第二端口和所述第三端口所在的支路分别连接被测试电源芯片的不同电源输出端；所述控制模块，用于向每个切换开关输出控制信号，控制所述每个切换开关对应的所述第一端口与所述第二端口接通或与所述第三端口接通，采集所述被测试电源芯片的电源输出端与不同负载连接时输出的电压值，或者，采集不同电源输出端在接同一个负载时输出的电压值，通过所述电压值确定所述被测试电源芯片的负载性能。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述每个切换开关包括：磁性线圈，所述磁性线圈的一端与供电电源连接，另一端通过控制开关与所述控制模块连接，在所述磁性线圈通电时，所述第一端口与所述第二端口接通，在所述磁性线圈不通电时，所述第一端口与所述第三端口接通；所述控制模块，用于通过所述控制信号控制所述控制开关闭合以向所述磁性线圈通电，通过所述控制信号控制所述控制开关打开以停止向所述磁性线圈通电。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述控制开关为NMOS管，所述NMOS管的栅极与所述控制模块连接，所述NMOS管的源极与所述磁性线圈的另一端连接，所述NMOS管的漏极与地线连接。4.根据权利要求1～3任一所述的装置，其特征在于，所述第一端口所在的支路与被测试电源芯片的电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：范杰，底浩，石新明，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11