【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用2015年2月25日提出的日本专利申请No.2015-035377的公开,包括说明书、附图和摘要,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
本专利技术涉及一种半导体存储器装置,尤其涉及一种三态内容可寻址存储器(TCAM)。
技术介绍
近年来,随着互联网的广泛使用,增加了对具有地址检索功能的内容可寻址存储器(CAM)、特别是对包括每个都能保持三个值0、1和X的存储器单元的三态内容可寻址存储器(TCAM)的需求。在许多情况下,将TCAM用于片上系统(SoC)领域中,特别是用于系统LSI诸如路由器、网络交换机中(见日本未审专利申请公开No.2003-272386和2002-373494、美国专利No.6154384、日本未审专利申请公开No.2003-141879和平7(1995)-220483、日本未审专利申请公开(PCT申请的译本)No.2005-501369)。
技术实现思路
近年来,TCAM的存储器容量不断增加和TCAM需要更高的集成密度来制造。TCAM包括用于传送检索数据的检索线,并根据保持在存储器单元中的数据和检索数据之间的比较结果是否匹配,通过检测其电位的变化的匹配线的电位的变化能够确定数据检索结果。在上述方面,存在匹配线的电位受匹配线和传送检索数据的检索线之间的耦合电容的影响而变化的可能性。这可能会使数据检索结果难以确定。由于TCAM具有更大的存储器容量,所以增加了耦合到匹配线的存储器单元的数量,以致匹配线的电位的上述变化变得更大。鉴于上述问题做出了本公开,且本公开的目的在于提供一种能进行高精度数据检索操作的半导体存储器装置。从本说明书 ...
【技术保护点】
一种半导体存储器装置,包括被排列成矩阵的多个存储器单元,每个所述存储器单元被配置为能保持两位信息并且包括第一单元和第二单元,其中,所述第一单元被配置为能保持一位信息,所述第二单元在列方向上邻近所述第一单元并且被配置为能保持另一位信息,所述半导体存储器装置进一步包括:位线对,所述位线对在所述列方向上延伸,并且被耦合到所述第一单元和所述第二单元这两者;第一字线和第二字线,所述第一字线和所述第二字线沿行方向延伸,并且被耦合到所述第一单元和所述第二单元中的每一个;匹配线,所述匹配线在所述行方向上延伸;检索线对,所述检索线对在所述列方向上延伸,以传送用于数据检索的检索数据;逻辑运算单元,所述逻辑运算单元被耦合到所述检索线对和所述匹配线,以基于在所述第一单元以及所述第二单元中保持的信息和由所述检索线对传送的检索数据之间的比较结果来驱动所述匹配线;以及检索线驱动器,所述检索线驱动器以对应于所述检索线对的方式来被提供,以驱动所述检索线对,其中,在使所述检索线对被预充电到在第一电压和第二电压之间的第三电压的状态下,所述检索线驱动器根据所述检索数据来分别将包括在所述检索线对中的一个检索线和另一个检索线驱动 ...
【技术特征摘要】
2015.02.25 JP 2015-0353771.一种半导体存储器装置,包括被排列成矩阵的多个存储器单元,每个所述存储器单元被配置为能保持两位信息并且包括第一单元和第二单元,其中,所述第一单元被配置为能保持一位信息,所述第二单元在列方向上邻近所述第一单元并且被配置为能保持另一位信息,所述半导体存储器装置进一步包括:位线对,所述位线对在所述列方向上延伸,并且被耦合到所述第一单元和所述第二单元这两者;第一字线和第二字线,所述第一字线和所述第二字线沿行方向延伸,并且被耦合到所述第一单元和所述第二单元中的每一个;匹配线,所述匹配线在所述行方向上延伸;检索线对,所述检索线对在所述列方向上延伸,以传送用于数据检索的检索数据;逻辑运算单元,所述逻辑运算单元被耦合到所述检索线对和所述匹配线,以基于在所述第一单元以及所述第二单元中保持的信息和由所述检索线对传送的检索数据之间的比较结果来驱动所述匹配线;以及检索线驱动器,所述检索线驱动器以对应于所述检索线对的方式来被提供,以驱动所述检索线对,其中,在使所述检索线对被预充电到在第一电压和第二电压之间的第三电压的状态下,所述检索线驱动器根据所述检索数据来分别将包括在所述检索线对中的一个检索线和另一个检索线驱动到所述第一电压和所述第二电压。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,所述逻辑运算单元被耦合在所述匹配线和电源线之间,并且包括第一逻辑单元和第二逻辑单元,以在所述数据检索期间基于在所述第一单元以及所述第二单元中保持的信息和所述检索数据之间的各自比较结果来驱动所述匹配线,以及其中,在数据检索之前,所述电源线被设置为所述第三电压,并且在所述数据检索时,所述电源线被设置为所述第二电压。3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置,其中,所述第一逻辑单元包括被串联耦合在所述电源线和所述匹配线之间的第一晶体管和第二晶体管,其中,所述第二逻辑单元包括被串联耦合在所述电源线和所述匹配线之间的第三晶体管和第四晶体管,其中,所述第一晶体管和所述第三晶体管的栅极分别接收在所述第一单元和所述第二单元中保持的信息,以及其中,所述第二晶体管和所述第四晶体管的栅极接收所述检索数据。4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置,其中,所述第一晶体管和所述第三晶体管的源极被耦合到所述电源线。5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置,其中,所述第二晶体管和所述第四晶体管的源极被耦合到所述电源线。6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,进一步包括以对应于所述检索线对的方式来被提供的以在数据检索之前均衡所述检索线对的均衡器电路。7.一种半导体存储器装置,包括被排列成矩阵的多个存储器单元,每个所述存储器单元被配置为能保持两位信息并且包括第一单元和第二单元,其中,所述第一单元被配置为能保持一位信息,所述第二单元在列方向上邻近所述第一单元并且被配置为能保持另一位信息,所述半导体存储器装置进一步包括:位线对,所述位线对在所述列方向上延伸,并且被耦合到所述第一单元和所述第二单元这两者;第一字线和第二字线,所述第一字线和第二字线沿行方向延伸,并且被耦合到所述第一单元和所述第二单元中的每一个;匹配线,所述匹配线在所述行方向上延伸;逻辑运算单元,所述逻辑运算单元被耦合到所述匹配...
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