PIP电容的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种PIP电容的工艺方法，包含如下步骤：步骤1，在浅槽隔离结构上淀积M‑Poly并回刻；步骤2，在M‑Poly上再依次进行氧化层淀积及一层氮化硅的淀积；步骤3，回刻氮化硅，湿法刻蚀氧化层；步骤4，淀积高压氧化层；步骤5，淀积沟槽栅多晶硅；步骤6，沟槽栅多晶硅回刻。本发明专利技术通过淀积氧化层和氮化硅形成侧墙来增厚M‑Poly侧壁底端的介质层，在几乎不减小电容的情况下提高击穿电压，减小漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计制造领域，特别是指一种PIP电容的工艺方法。
技术介绍
电容是集成电路芯片中常用的无源器件，比如在一种E-Flash器件(FS115)中，为了节省成本，用到PIP电容(Poly-Insolator-Poly，多晶硅-介质层-多晶硅，即M-Poly/HV Oxide/GT-Poly)的剖面结构如图1所示，是一种上下结构，浅槽隔离结构STI上是一层M-Poly(即Memory Poly,存储器存储管多晶硅)作为PIP电容的下极板，M-Poly上为高压氧化层(HV Oxide)作为电容极板之间的绝缘介质层，上极板为沟槽栅多晶硅(GT-Poly)构成，形成PIP结构。上下极板通过接触孔引出。该结构的制造方法包括：M-Poly淀积及回刻；高压氧化层淀积；沟槽栅多晶硅淀积；沟槽栅多晶硅回刻。该制造工艺的缺陷在于：在M-Poly刻蚀后，电容边缘底部会形成尖端空间并且会有一定的氧化层损失，如图2中所示，后续的HV HTO Oxide在这个区域容易偏薄，如图3所示，在GT-Poly形成以后，这个区域就容易因为形貌很尖并且Oxide偏薄导致击穿电压不达标的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种PIP电容的工艺方法，具有较高的击穿电压。为解决上述问题，本专利技术所述的PIP电容的工艺方法，包含如下步骤：步骤1，在浅槽隔离结构上淀积M-Poly并回刻；步骤2，在M-Poly上再依次进行氧化层淀积及一层氮化硅的淀积；步骤3，回刻氮化硅，湿法刻蚀氧化层；步骤4，淀积高压氧化层；步骤5，淀积沟槽栅多晶硅；步骤6，沟槽栅多晶硅回刻。所述步骤1中，淀积的M-Poly厚度为所述步骤2中，淀积的氧化层厚度为淀积的氮化硅厚度为所述步骤4中，淀积的高压氧化层厚度为所述步骤5中，淀积的沟槽栅多晶硅厚度为本专利技术所述的PIP电容的工艺方法，利用氧化硅与氮化硅在M-Polyc侧壁形成侧墙，来增厚M-Ploy侧壁底端的氧化层厚度，消除了传统工艺在M-Poly底端形成尖端而使氧化层变薄导致的击穿电压偏低的问题。工艺简单易于实施。附图说明图1是PIP电容的剖面结构图。图2是PIP电容传统工艺M-Poly回刻之后的剖面示意图，在侧壁底端形成尖端。图3是PIP电容的剖面显微形貌图。图4～9是本专利技术PIP电容的工艺步骤示意图。图10是本专利技术PIP电容的工艺步骤流程图。具体实施方式本专利技术所述的PIP电容的工艺方法，包含如下步骤：步骤1，在浅槽隔离结构STI上淀积厚度为的M-Poly并回刻，典型厚度为如图4所示。步骤2，在M-Poly上再依次进行氧化层淀积及一层氮化硅的淀积；氧化层厚度为淀积的氮化硅厚度为本实施例氧化层厚度取值氮化硅层厚度取值如图5所示。步骤3，回刻氮化硅，对氮化硅层做干法刻蚀，把表面的氮化硅层以及逻辑区的氮化硅和部分氧化层刻蚀掉。湿法刻蚀掉剩余的氧化层。在M-Poly侧壁形成侧墙。如图6所示。步骤4，淀积厚度为的高压氧化层HV Oxide，比如淀积厚度为如图7所示。步骤5，淀积厚度为的沟槽栅多晶硅GT-Poly，本实施例选择厚度为如图8所示。步骤6，沟槽栅多晶硅GT-Poly回刻，所述的PIP电容制作完成。最终完成如图9所示。本专利技术实施例通过淀积左右的氧化层和左右的氮化硅形成侧墙来增厚
M-Poly侧壁底端的介质层，在几乎不减小电容的情况下(仅影响侧面电容，并且侧面电容远小于正面电容)提高击穿电压，减小漏电流。以上仅为本专利技术的优选实施例，并不用于限定本专利技术。对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PIP电容的工艺方法，其特征在于：包含如下步骤：步骤1，在浅槽隔离结构上淀积M‑Poly并回刻；步骤2，在M‑Poly上再依次进行氧化层淀积及一层氮化硅的淀积；步骤3，回刻氮化硅，湿法刻蚀氧化层；步骤4，淀积高压氧化层；步骤5，淀积沟槽栅多晶硅；步骤6，沟槽栅多晶硅回刻。

【技术特征摘要】
1.一种PIP电容的工艺方法，其特征在于：包含如下步骤：步骤1，在浅槽隔离结构上淀积M-Poly并回刻；步骤2，在M-Poly上再依次进行氧化层淀积及一层氮化硅的淀积；步骤3，回刻氮化硅，湿法刻蚀氧化层；步骤4，淀积高压氧化层；步骤5，淀积沟槽栅多晶硅；步骤6，沟槽栅多晶硅回刻。2.如权利要求1所述的PIP电容的工艺方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：林益梅，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31