激光多极管封装底座的刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，该激光多极管封装底座的刻蚀方法包括如下步骤：步骤1、分别取经预处理的待刻蚀组件，于其外表面上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件，置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件清洗处理；所述刻蚀液包括35～45wt%的HCl、2～5wt%的H3PO4和0.05～0.2wt%的CH3COONa，其提供了一种针对铁钴镍合金的刻蚀方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多极管制造技术，特别涉及激光多极管封装底座的刻蚀方法。
技术介绍
光收发一体模块，可用于交换机中完成电信号与光信号的转换，其是光通信中重要组成部分。多极管，包括二极管、三极管和四级管。激光多极管是目前光收发一体模块的重要组成之一，其包括单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光多极管。量子阱激光多极管具有阈值电流低、输出功率高的优点，是目前市场应用的主流产品。目前，常用封装底座来与激光多极管配合使用。图1-3为现有的封装底座。参结合图1和图2，封装底座包括设有空腔1的壳体2，壳体2的前端设有用于接收外界光线的透镜3，壳体2的后端设有固定盘4，空腔1的内壁上设有用于将光线聚集至固定盘4上的镜面5。参照图3，固定盘4上封接有多个一端伸入空腔1设置的电极导柱6。参照图2，固定盘4上远离空腔1的一侧还焊接有接地引线7。在制备封装基座时，需要先对该封装基座的由金属制成的组件分别进行刻蚀处理，使得组装后的封装基座能满足光路和/或电路关系。铁钴镍合金是现有封装基座上常用的金属，针对这一类合金的刻蚀工艺未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供激光多极管封装底座的刻蚀方法，其提供了一种针对铁钴镍合金的刻蚀方法。本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，包括如下步骤：步骤1、分别取经预处理的待刻蚀组件，于其外表面上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件，置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件清洗处理；所述刻蚀液包括35～45wt％的HCl、2～5wt％的H3PO4和0.05～0.2wt％的CH3COONa。进一步优选为：所述刻蚀液还包括0.05～0.1wt％的阴离子聚丙烯酰胺。进一步优选为：所述刻蚀液还包括0.1～0.5wt％的乙酸乙酯。进一步优选为：所述步骤1中待刻蚀组件的预处理包括如下步骤：取待刻蚀组件，依次经第一次预清洗、第一次抛光、第二次预清洗、第二次抛光、第三次预清洗、第四次预清洗处理和多次水洗。进一步优选为：所述第一次预清洗、第二次预清洗和第三次预清洗均采用水溶性表面活性剂的水溶液进行清洗。进一步优选为：所述第四次预清采用PEOm-b-PPOn-b-PEOm的水溶液进行清洗，其中m和n均为正整数且3n＞m＞1.5n＞45。进一步优选为：所述步骤3中清洗处理包括如下步骤：取经步骤2处理的待刻蚀组件置于氨水中中和至pH＝6.5～7.0，多次水洗至pH＝7.0。进一步优选为：对待刻蚀组件进行中和处理的过程中，先将经步骤2处理的待刻蚀组件置于水中，然后往内通入氨气对其进行中和。进一步优选为：所述水为经金属螯合、脱气处理的去离子水。进一步优选为：所述刻蚀方法在氮气保护条件下进行，且所有试剂和待刻蚀组件在使用前均经氮吹处理。综上所述，本专利技术具有以下有益效果：本申请的刻蚀方法处理得到的产品图形边界清楚，线条平滑，与光刻胶走势一致，且评价一致性时偏差值均小于2％，本申请的刻蚀方法适用于激光多级管封装底座；研究还发现，将本申请的所有优选方案结合后的刻蚀方法为最佳方案，其刻蚀速率快，评价一致性的偏差值极低，适用于高精密光电仪器的生产化；经大生产化后，成品率高达99％以上。附图说明图1是现有的激光多极管封装底座的主视结构示意图(
技术介绍
中)；图2是图1的A-A结构示意图；图3是现有的激光多极管封装底座的立体结构示意图。图中，1、空腔；2、壳体；3、透镜；4、固定盘；5、镜面；6、电极导柱；7、接地引线。具体实施方式本具体实施例仅仅是对本专利技术的解释，其并不是对本专利技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本专利技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。实施例1：一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，包括如下步骤：步骤1、取铁钴镍合金(即可伐合金)，制成目标尺寸的待刻蚀组件(包括壳体、固定盘、
电极导柱和接地引线)，氮吹除去表面的空气，将待刻蚀组件按如下顺序进行预处理：用浓度为0.1～1wt％的十二烷基苯磺酸钠水溶液进行第一次预清洗→氮吹干表面溶剂后进行第一次抛光→用浓度为0.1～1wt％的十二烷基苯磺酸钠水溶液进行第二次预清洗→氮吹干表面溶剂后进行第二次抛光→用浓度为0.1～1wt％的十二烷基苯磺酸钠水溶液进行第三次预清洗→用浓度为0.1～1wt％的PEO50-b-PPO31-b-PEO50的水溶液进行第四次预清洗→水洗，氮吹干表面溶剂待用；分别取经预处理的待刻蚀组件，于其外表面上涂覆德国Micro resist technology GmbH品牌的光刻胶，并将光刻胶图形化；步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件，置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；其中，刻蚀液包括40wt％的HCl、4wt％的H3PO4、0.1wt％的CH3COONa、0.08wt％的阴离子聚丙烯酰胺、0.3wt％的乙酸乙酯，余量为水；步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件置于水中，往内通入氨气对其进行中和至pH＝6.5～7.0，之后多次水洗至pH＝7.0，氮吹干，即可；其中，刻蚀过程在氮气保护下进行；制备过程中所用的水为经金属螯合、脱气处理的去离子水，所有试剂和待刻蚀组件在使用前均经氮吹处理。实施例2：一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，包括如下步骤：步骤1、取铁钴镍合金(即可伐合金)，制成目标尺寸的待刻蚀组件(包括壳体、固定盘、电极导柱和接地引线)，氮吹除去表面的空气，将待刻蚀组件按如下顺序进行预处理：用浓度为0.1～1wt％的司盘40水溶液进行第一次预清洗→氮吹干表面溶剂后进行第一次抛光→用浓度为0.1～1wt％的司盘40水溶液进行第二次预清洗→氮吹干表面溶剂后进行第二次抛光→用浓度为0.1～1wt％的司盘40水溶液进行第三次预清洗→用浓度为0.1～1wt％的PEO80-b-PPO38-b-PEO80的水溶液进行第四次预清洗→水洗，氮吹干表面溶剂待用；分别取经预处理的待刻蚀组件，于其外表面上涂覆美国Futurrex品牌的光刻胶，并将光刻胶图形化；步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件，置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；其中，刻蚀液包括35wt％的HCl、5wt％的H3PO4、0.05wt％的CH3COONa、0.05wt％的阴离子聚丙烯酰胺、0.1％的乙酸乙酯，余量为水；步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件置于水中，往内通入氨气对其进行中和至pH＝6.5～7.0，之后多次水洗至pH＝7.0，氮吹干，即可；其中，刻蚀过程在氮气保护下进行；制备过程中所用的水为经金属螯合、脱气处理的去离子水，所有试剂和待刻蚀组件在使用前均经氮吹处理。实施例3：一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，包括如下步骤：步骤1、取铁钴镍合金(即可伐合金)，制成目标尺寸的待刻蚀组件(包括壳体、固定盘、电极导柱和接地引线)，氮吹除去表面的空气，将待刻蚀组件按如下顺序进行预处理：用浓度为0.1～1wt％的聚乙二醇水溶液进行第一次预清洗→氮吹干表面溶剂后进行第一次抛光→用浓度为0.1～1wt％的聚乙二醇水溶液进行第二次预清洗→氮吹干表面溶剂后进行第二次抛光→用浓度为0.1～1wt％的聚乙二醇水溶液进行第三次预清洗→用浓度为0.1～1wt本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、分别取经预处理的待刻蚀组件，于其外表面上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件，置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件清洗处理；所述刻蚀液包括35～45wt%的HCl、2～5wt%的H3PO4和0.05～0.2wt%的CH3COONa。

【技术特征摘要】
1.一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、分别取经预处理的待刻蚀组件，于其外表面上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件，置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件清洗处理；所述刻蚀液包括35～45wt%的HCl、2～5wt%的H3PO4和0.05～0.2wt%的CH3COONa。2.根据权利要求1所述的激光多极管封装底座的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀液还包括0.05～0.1wt%的阴离子聚丙烯酰胺。3.根据权利要求2所述的激光多极管封装底座的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀液还包括0.1～0.5wt%的乙酸乙酯。4.根据权利要求1所述的激光多极管封装底座的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤1中待刻蚀组件的预处理包括如下步骤：取待刻蚀组件，依次经第一次预清洗、第一次抛光、第二次预清洗、第二次抛光、第三次预清洗、第四次预清洗和水洗。5.根据权利要求4所述的激光多极管封装底座的刻蚀方法，其特征在于，所述第一次预清洗、...

【专利技术属性】
技术研发人员：林一东，毛红卫，
申请(专利权)人：杭州华锦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33