【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体器件,特别是一种新型防浪涌二极管。
技术介绍
目前在二极管的封装中,广泛采用的有R-3封装形式和D0-15封装形式,但是R-3封装的产品尺寸过大,成本高且性能较低,而采用DO-15封装产品虽然具有较小的封装,但目前为适应这种小的D0-15封装而设计的芯片又存在防浪涌能力不足的问题,故急需一种同时具有小封装和较强的防浪涌能力的新型防浪涌二极管。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于,针对现有二极管R-3封装形式尺寸过大,成本高性能低,而D0-15封装形式封装尺寸虽小但防浪涌能力不总的问题,提供一种同时具有小封装和较强的防浪涌能力的新型防浪涌二极管。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为:一种新型防浪涌二极管,包括GPP芯片、包覆所述GPP芯片的塑封体,所述GPP芯片的正负端分别连接有引线,所述引线与所述GPP芯片连接的一端包覆于所述塑封体内,另一端伸出于所述塑封体其特征在于,所述GPP芯片尺寸小于或等于80mil,使得所述GPP芯片可封装到DO-15封装内;所述GPP芯片电阻率为15Ω·CM至20Ω·CM,使所述GPP芯片满足IFSM(最大允许非重复浪涌电流)>150A,即二极管可以承受大于150A的正向浪涌电流,使二极管同时具备小封装和较强的防浪涌能力。作为本技术的优选方案,一种新型防浪涌二极管,还包括焊料,用于连接引线与GPP芯片。作为本技术的优选方案,所述焊料为铅。作为本技术的优选方案,所述焊料为锡。作为本技术的优选方案,所述焊料为银。综上所述,由于采用了上述技术方案,本技术的有益效果是:通过减小了GPP芯片的尺寸和电阻率,使得 ...
【技术保护点】
一种新型防浪涌二极管,包括GPP芯片、包覆所述GPP芯片的塑封体,所述GPP芯片的正负端分别连接有引线,所述引线与所述GPP芯片连接的一端包覆于所述塑封体内,另一端伸出于所述塑封体,其特征在于,所述GPP芯片尺寸小于或等于80mil,所述GPP芯片电阻率为15Ω·CM至20Ω·CM。
【技术特征摘要】
1.一种新型防浪涌二极管,包括GPP芯片、包覆所述GPP芯片的塑封体,所述GPP芯片的正负端分别连接有引线,所述引线与所述GPP芯片连接的一端包覆于所述塑封体内,另一端伸出于所述塑封体,其特征在于,所述GPP芯片尺寸小于或等于80mil,所述GPP芯片电阻率为15Ω·CM至20Ω·CM。2.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:周杰,邱志述,谭志伟,
申请(专利权)人:乐山无线电股份有限公司,
类型:新型
国别省市:四川;51
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