【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种像素驱动电路、驱动方法、显示面板和装置。
技术介绍
现有的为像素驱动电路提供第一电源信号ELVDD和第二电源信号ELVSS的直流变换器的驱动时序为ELVDD由低电平跳变为高电平后又经过预定时间(例如可以为10ms),直流变换器才输出ELVSS(即ELVSS由高电平跳变为低电平)。但是该预定时间内,由于第一电源信号由低电平跳变为高电平,可能会导致像素驱动电路包括的驱动晶体管误导通,从而由于该驱动晶体管的漏电缺陷会引起直流变换器中的SSD(Start-up Short Detection,启动短路检测)电路在直流变换器启动后的预定时间内会检测到第二电源信号输入端有电源信号输入,从而导致直流变换器无法启动,并且该驱动晶体管误导通也会导致出现像素电路固有的开机闪屏重大不良问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种像素驱动电路、驱动方法、显示面板和装置,解决现有技术中由于驱动晶体管的漏电缺陷从而引起直流变换器中的SSD电路在直流变换器启动后的预定时间内会检测到第二电源信号输入端有电源信号输入,从而致使直流变换器无法启动的问题,同时可以解决像素电路固有的开机闪屏重大不良的问题。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种像素驱动电路,包括:存储电容;驱动晶体管,栅极与所述存储电容的第一端连接,第一极与第一电源信号输入端连接;数据写入单元,分别与扫描线、数据线、所述存储电容的第二端、所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极连接;发光控制单元,分别与发光控制线、所述驱动晶体管的第二极和发光元件的第一极连接;以及,参考电压控制 ...
【技术保护点】
一种像素驱动电路,其特征在于,包括:存储电容;驱动晶体管,栅极与所述存储电容的第一端连接,第一极与第一电源信号输入端连接;数据写入单元,分别与扫描线、数据线、所述存储电容的第二端、所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极连接;发光控制单元,分别与发光控制线、所述驱动晶体管的第二极和发光元件的第一极连接;以及,参考电压控制单元,分别与所述发光控制线、所述参考电压线和所述存储电容的第二端连接,用于当所述发光控制线上的发光控制信号为第一电平时控制对所述参考电压线上的参考电压进行升压而得到输出电压后,将该输出电压发送至所述存储电容的第二端,当所述发光控制信号为第二电平时控制所述参考电压线与所述存储电容的第二端连接;所述发光元件的第二极与第二电源信号输入端连接;在与所述第一电源信号输入端和所述第二电源信号输入端连接的直流变换器开启后的预定时间内,所述输出电压与所述参考电压的电压差值大于预定电压差值;在该预定时间内,所述直流变换器输出的第一电源信号从低电平跳变为高电平。
【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:存储电容;驱动晶体管,栅极与所述存储电容的第一端连接,第一极与第一电源信号输入端连接;数据写入单元,分别与扫描线、数据线、所述存储电容的第二端、所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极连接;发光控制单元,分别与发光控制线、所述驱动晶体管的第二极和发光元件的第一极连接;以及,参考电压控制单元,分别与所述发光控制线、所述参考电压线和所述存储电容的第二端连接,用于当所述发光控制线上的发光控制信号为第一电平时控制对所述参考电压线上的参考电压进行升压而得到输出电压后,将该输出电压发送至所述存储电容的第二端,当所述发光控制信号为第二电平时控制所述参考电压线与所述存储电容的第二端连接;所述发光元件的第二极与第二电源信号输入端连接;在与所述第一电源信号输入端和所述第二电源信号输入端连接的直流变换器开启后的预定时间内,所述输出电压与所述参考电压的电压差值大于预定电压差值;在该预定时间内,所述直流变换器输出的第一电源信号从低电平跳变为高电平。2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述参考电压控制单元包括:第一控制晶体管,栅极与所述发光控制线连接,第一极与所述参考电压线连接,第二极与所述存储电容的第二端连接;第二控制晶体管,栅极与所述发光控制线连接,第一极与所述存储电容的第二端连接;以及,电压控制电路,输入端与所述参考电压线连接,输出端与所述第二控制晶体管的第二极连接,用于将所述参考电压进行升压而得到输出电压。3.如权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,当所述第一控制晶
\t体管为n型晶体管时,所述第二控制晶体管为p型晶体管;当所述第一控制晶体管为p型晶体管时,所述第二控制晶体管为n型晶体管。4.如权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述电压控制电路包括:倍压电路,用于对所述参考电压进行倍压操作而得到输出电压;所述倍压电路包括第一二极管模块、倍压电容和第二二极管模块,其中,第一二极管模块的第一极与所述参考电压线连接,所述第一二极管模块的第二极与所述倍压电容的第一端连接;所述倍压电容的第二端接入倍压控制信号;所述第二二极管模块的第一极与所述倍压电容的第二端连接,所述第二二极管模块的第二极与所述存储电容的第二端连接。5.如权利要求4所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一二极管模块包括第一导通晶体管和第二导通晶体管,其中,所述第一导通晶体管的栅极与第一电平线连接,所述第一导通晶体管的第一极与所述第二导通晶体管的栅极连接,所述第一导通晶体管的第二极与所述第二导通晶体管的第一极连接;所述第二导通晶体管的第二极与所述参考电压线连接;所述第二二极管模块包括第三导通晶体管和第四导通晶体管,其中,所述第三导通晶体管的栅极与所述第一电平线连接,所述第三导通晶体管的第一极与所述第四导通晶体管的栅极连接,所述第三导通晶体管的第二极与所述第四导通晶体管的第一极连接;所述第四导通晶体管的第二极与所述倍压电容的第一端连接,所述倍压电容的第一端还与所述第二导通晶体管的第一极连接;在第一电平的控制下,所述第一导通晶体管和所述第三导通晶体管处于常开状态。6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括:复位单元,分...
【专利技术属性】
技术研发人员:孟昭晖,陈东,孙伟,董学,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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