包括金属块的电子器件封装制造技术

本发明专利技术涉及包括金属块的电子器件封装。一种制造电子器件封装的方法包括对金属层结构化来生成具有多个开口的结构化的金属层。将半导体芯片放置到所述开口中的至少一些中。在所述结构化的金属层和所述半导体芯片上方施加密封材料来形成密封体。将所述密封体分离成多个电子器件封装。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及电子器件封装技术，并且特别地涉及封装多个半导体芯片的技术。
技术介绍
电子器件制造商不断地争取提高其产品的性能，同时降低其制造成本。电子器件封装制造中的成本密集区域是封装一个或多个电子部件，例如一个或多个半导体芯片。因此，电子器件封装和以低开支和高产出制造电子器件封装的方法是期望的。特别地，电子器件封装的性能可以依赖于该封装所提供的散热能力和/或稳定性。以低开支和改进的可靠性提供高的热鲁棒性和/或机械鲁棒性的功率器件的封装方法是期望的。附图说明附图被包括来提供对于实施例的进一步理解并且被并入本说明书中并构成其一部分。这些图图示出实施例并且连同描述一起用来解释实施例的原理。其他实施例和实施例的所意图的优点中的许多将被容易地认识到，因为通过参考以下详细描述它们变得更好理解。这些图的元素相对于彼此不一定按比例。相同的附图标记标明对应的类似部分。图1A-1D示意性地图示出制造电子器件封装的方法的实施例的横截面视图。图2A-2B示意性地图示出制造电子器件封装的方法的实施例的横截面视图。图3A-3F示意性地图示出制造电子器件封装的方法的实施例的横截面视图。图4A-4H示意性地图示出制造电子器件封装的方法的实施例的横截面视图。图5A-5I示意性地图示出制造电子器件封装的方法的实施例的横截面视图。图6示意性地图示出图4C或图5D的示例性器件封装部分的底视图。图7示意性地图示出图4D或图5E的示例性器件封装芯片部分的底视图。图8示意性地图示出图4F或图5G的示例性器件封装部分的顶视图。图9示意性地图示出图4H或图5I的示例性器件封装的顶视图。图10示意性地图示出配备有焊接停止掩模的图4H或图5I的示例性电子器件封装的顶视图。图11示意性地图示出图4H或图5I的示例性电子器件封装的底视图。图12示意性地图示出作为图7的变体的图4D或图5E的示例性电子器件封装部分的底视图。图13示意性地图示出作为图8的变体的图4F或图5G的示例性电子器件封装部分的顶视图。图14示意性地图示出电子器件封装的实施例的横截面视图。图15示意性地图示出包括第一电再分配结构的电子器件封装的实施例的横截面视图。图16示意性地图示出包括第二电再分配结构的电子器件封装的实施例的横截面视图。图17示意性地图示出包括第一和第二电再分配结构的电子器件封装的实施例的横截面视图。图18示意性地图示出包括多个半导体芯片以及第一和第二电再分配结构的电子器件封装的实施例的横截面视图。图19示意性地图示出包括多个半导体芯片和第一电再分配结构的电子器件封装的实施例的横截面视图。图20示意性地图示出包括第一电再分配结构的电子器件封装的实施例的横截面视图。图21示意性地图示出包括第一电再分配结构和嵌入式路由的电子器件封装的实施例的横截面视图。图22示意性地图示出包括第一电再分配结构和嵌入式路由的电子器件封装的实施例的横截面视图。图23示意性地图示出包括第一电再分配结构和暴露的半导体芯片以及暴露的金属块的电子器件封装的实施例的横截面视图。图24示意性地图示出包括第一和第二电再分配结构的电子器件封装的实施例的横截面视图。图25示意性地图示出包括第一和第二电再分配结构以及连接到第二电再分配结构的无源件的电子器件封装的实施例的横截面视图。图26示意性地图示出包括第一和第二电再分配结构以及在电子器件封装中设置在面朝上取向上的电子部件的电子器件封装的实施例的横截面视图。图27示意性地图示出包括了包括多个电再分配层的第一电再分配结构的电子器件封装的实施例的横截面视图。图28示意性地图示出包括了包括多个电再分配层的第一电再分配结构和第二电再分配结构的电子器件封装的实施例的横截面视图，其中第一和第二电再分配结构在位置中互换。图29示意性地图示出包括第一电再分配结构和包括多个电再分配层的第二电再分配结构的电子器件封装的实施例的横截面视图。图30示意性地图示出包括电磁屏蔽件的电子器件封装的实施例的横截面视图。图31示意性地图示出包括热沉的电子器件封装的实施例的横截面视图。图32示意性地图示出如可以被包括在本文中公开的电子器件封装的实施例中的任一个中的穿通孔矩阵的横截面视图。图33示意性地图示出图32的穿通孔矩阵当被布置在第一和第二再分配结构之间时的横截面视图。图34示意性地图示出包括多个半导体芯片的电子器件封装的实施例的横截面视图，其中所述半导体芯片分别面朝上和面朝下地取向。图35A-35L示意性地图示出制造电子器件封装的方法的实施例的横截面视图。图36示意性地图示出电子器件封装的实施例的横截面视图。具体实施方式在以下详细描述中，对附图进行参考，这些附图形成详细描述的一部分，并且在附图中以举例说明的方式示出可以在其中实践本专利技术的特定实施例。在此方面，参考正被描述的一个或多个图的取向来使用方向性术语，诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“上”、“下”等。因为实施例的部件可以被定位在很多不同取向上，所以出于举例说明的目的并且绝不作为限制来使用方向性术语。应理解的是，可以利用其他实施例，并且可以在不偏离本专利技术的范围的情况下做出结构或逻辑的改变。因此，不应在限制意义上理解以下详细描述，并且本专利技术的范围由所附的权利要求限定。应理解的是，本文中描述的各种示例性实施例的特征可以相互组合，除非另有具体说明。另外，如本说明书中采用的，术语“接合的”、“附接的”、“连接的”、“耦合的”和/或“电连接/电耦合的”并不意在意指这些元件或层必须直接接触在一起；可以在“接合的”、“附接的”、“连接的”、“耦合的”和/或“电连接/电耦合的”元件之间分别提供中间元件或层。然而，根据本公开，上述术语也可以可选地具有特定含义：这些元件或层直接接触在一起，即在“接合的”、“附接的”、“连接的”、“耦合的”和/或“电连接/电耦合的”元件之间不分别提供中间元件或层。另外，关于形成或位于表面“上方”的部分、元件或材料层而使用的措词“在……上方”在本文中可以用来意指该部分、元件或材料层“直接”位于（例如，置于、形成于、沉积于等）隐含的表面上，例如与其直接接触。关于形成或位于表面“上方”的部分、元件或材料层而使用的措词“在……上方”在本文中可以用来意指该部分、元件或材料层“间接”位于（例如，置于、形成于、沉积于等）隐含的表面上，其中一个或多个附加的部分、元件或层被布置在隐含的表面和该部分、元件或材料层之间。下面描述包含一个或多个电子部件的器件。电子部件可以是半导体芯片。半导体芯片可以具有不同类型，可以由不同技术制造，并且可以包括例如集成的电、光-电或机-电电路或无源件。集成电路可以例如被设计为逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路、存储器电路或集成无源件。电子部件还可以是诸如例如电阻器、电容器或电感的无源件或诸如例如电池、DCB（直接铜接合的）模块、陶瓷基模块等的其他电子部件。特别地，可以包括一个或多个功率半导体芯片。功率半导体芯片可以例如被配置为功率MISFET（金属绝缘体半导体场效应晶体管）、功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、JFET（结型栅场效应晶体管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）、功率双极型晶体管或功率二极管，诸如例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造电子器件封装的方法，包括：对金属层结构化来生成具有多个开口的结构化的金属层；将电子部件放置到所述开口中的至少一些中；在所述结构化的金属层和所述电子部件上方施加密封材料来形成密封体；以及将所述密封体分离成多个电子器件封装。

【技术特征摘要】
2014.05.16 US 14/2797521. 一种制造电子器件封装的方法，包括：对金属层结构化来生成具有多个开口的结构化的金属层；将电子部件放置到所述开口中的至少一些中；在所述结构化的金属层和所述电子部件上方施加密封材料来形成密封体；以及将所述密封体分离成多个电子器件封装。2. 权利要求1所述的方法，还包括：在对所述金属层结构化之前将所述金属层施加到第一临时载体；将所述结构化的金属层转移到第二临时载体；以及将所述电子部件放置在所述第二临时载体上。3. 权利要求2所述的方法，其中，在已经将所述结构化的金属层转移到所述第二临时载体之后将所述电子部件放置在所述第二临时载体上。4. 权利要求2所述的方法，其中，在已经将所述结构化的金属层转移到所述第二临时载体之前将所述电子部件放置在所述第二临时载体上。5. 权利要求1所述的方法，还包括：在对所述金属层结构化之前将所述金属层施加到第一临时载体；以及在对所述金属层结构化之后将所述电子部件放置在所述第一临时载体上。6. 权利要求1所述的方法，还包括：使所述密封体的表面变薄。7. 权利要求6所述的方法，其中，通过变薄，所述结构化的金属层的至少一部分被暴露。8. 权利要求6所述的方法，其中，通过使所述密封体的被变薄的表面开口，所述电子部件中的至少一些被暴露。9. 权利要求2所述的方法，还包括：从所述第二临时载体移除所述密封体；以及在从所述第二临时载体移除的所述密封体的表面上形成第一电再分配结构。10. 权利要求9所述的方法，还包括：将焊接沉积物附接到所述第一电再分配结构。11. 权利要求5所述的方法，还包括：从所述第一临时载体移除所述密封体；以及在从所述第一临时载体移除的所述密封体的表面上形成第一电再分配结构。12. 权利要求6所述的方法，还包括：在所述密封体的变薄的表面上形成第二电再分配结构。13. 一种电子器件封装，包括：至少一个金属块，该至少一个金属块具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；至少一个电子部件，其邻近于所述至少一个金属块横向布置，所述至少一个电子部件具有第一表面和与所述第一表面相对的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：I埃舍尔珀佩尔，E福伊尔古特，P帕尔姆，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE