【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件制造设备，即离子注入机，特别地涉及一种用于低能大束流离子注入机的绝缘环组件结构，属半导体设备领域。
技术介绍
半导体器件制造技术与工艺都非常复杂，离子注入掺杂属于半导体器件制造过程中非常关键的一道工艺。离子注入掺杂工艺与常规热掺杂工艺相比具有高精度的剂量均匀性与重复性，横向扩散小等优点，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。低能大束流离子注入机主要作用是将指定的原子以一定剂量和一定深度注入到硅片之中，该型号注入机要求到达硅片的离子能量很低，较低能量的离子束传输时不利于控制与引出，所以就需要先将离子能量提高到一定级别再进行减速降低能量，减速就需要给离子束施加一个与运动方向相反的电场来实现，这时就需要用绝缘环组件将光路束线隔离开来，施加一个合适的负电源进行减速。
技术实现思路
本专利技术公开了一种离子注入机绝缘环组件，可以隔离离子束光路传输系统从而对高能量的离子束进行减速。本专利技术涉及一种离子注入机绝缘环组件，其特征在于包括，绝缘环(4)将整体束线光路部分物理分隔成为两个电位区域，绝缘环内外表面加工成重复的凹槽和凸起结构，增加绝缘距离；低压区(1)和高压区(5)构成光路两个电位区，当离子束从高压区运动到低压区，在电场所作用下离子能量降低；屏蔽筒(2)和屏蔽筒(3)将离子束线与绝缘环隔开，屏蔽筒(2)与屏蔽筒(3)为相互嵌套结构，屏蔽筒(2)在外侧。当离子束从高压区运动到低压区时，正离子在负电场的作用下减速，多数离子减速后可以规则向后运动，在没有安装屏蔽筒(2)和屏蔽筒(3)时，少数离子会撞击...
【技术保护点】
一种离子注入机绝缘环组件，其特征在于包括，绝缘环(4)将整体束线光路部分物理分隔成为两个电位区域，绝缘环内外表面加工成重复的凹槽和凸起结构，增加绝缘距离；低压区(1)和高压区(5)构成光路两个电位区，当离子束从低压区运动到高压区，在电场作用下离子能量降低；屏蔽筒(2)和屏蔽筒(3)将离子束线与绝缘环隔离，屏蔽筒(2)与屏蔽筒(3)为相互嵌套结构，它们的制作材料为导电材料，屏蔽筒(2)在外侧。
【技术特征摘要】
1.一种离子注入机绝缘环组件，其特征在于包括，绝缘环(4)将整体束线光路部分物理分隔成为两个电位区域，绝缘环内外表面加工成重复的凹槽和凸起结构，增加绝缘距离；低压区(1)和高压区(5)构成光路两个电位区，当离子束从低压区运动到高压区，在电场作用下离子能量降低；屏蔽筒(2)和屏蔽筒(3)将离子束线与绝缘环隔离，屏蔽筒(2)与屏蔽筒(3)为相互嵌套结构，它们的制作材料为导电材料，屏...
【专利技术属性】
技术研发人员：马国宇，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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