【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及照明或显示领域,尤其涉及一种基于碳化硅衬底的LED照明结构。
技术介绍
当前,国内也有LED照明公司首先研发碳化硅技能应用于LED照明。选用碳化硅技能后,能将原先LED灯光学元件运用数量下降三分之一,成本下降近50%而亮度却进步两倍,导热功能进步10倍以上。福斯特电子副总经理卢志森表明,碳化硅LED灯替代蓝宝石衬底LED灯是未来开展趋势。 以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体资料的研讨和开发已经得到世界各国的高度重视。因为碳化硅半导体衬底资料可制作大功率、高热导率的高频率微波器材、功率器材和照明器材,具有十分明显的功能优势和无穷的工业股动效果,欧美日等兴旺国家和地区都把开展碳化硅半导体技能列入国家战略,投入巨资支撑开展。据悉,这一新资料首要用于太阳能光伏、风力发电、电动汽车、智能电网以及节能家电产品等。日前,日经新闻报导指出,鉴于全球半导体工业掀起碳化硅晶片潮流,日本电子业亦活跃开展碳化硅晶片科技,并已运用于多项范畴。预估日本国内电力半导体商场年产值可达约3000亿日圆(28.8亿美元)至4000亿日圆间,碳化硅晶片商场料将上看100亿日圆。除日本外,美国、欧洲国家也将碳化硅晶片视为重要趋势,并推广有关国家计划。别的南韩、台湾晶圆大厂亦活跃拓展至有关范畴。美国科锐公司,并称其将引领美国的制作业完成清洗动力革新。不久前更是亲自发起建立美国碳化硅半导体工业联盟,设立专项资金支撑全工业链疾速打破开展。1.4亿美元的总支撑额用于提高美国在该新兴工业方面的国际竞争力。
技术实现思路
本专利技术提供了一种基于碳化硅衬底的LED照明结构,其通过多层外延拓 ...
【技术保护点】
一种基于碳化硅衬底的LED照明结构,其特征在于,包括:由碳化硅衬底封装的芯片组件和LED结构组件;所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极;所述外延层包括AlN缓冲层、及沉积于该缓冲层上的AlN晶体、n型GaN接触层、InGaN/GaN 多量子阱发光层以及p型GaN接触层。
【技术特征摘要】
1.一种基于碳化硅衬底的LED照明结构,其特征在于,包括:由碳化硅衬底封装的芯片组件和LED结构组件;所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极;所述外延层包括AlN缓冲层、及沉积于该缓冲层上的AlN晶体、n型GaN接触层、InGaN/GaN 多量子阱发光层以及p型GaN接触层。2.根据权利要求1所述的一种基于碳化硅衬底的LED照明结构,其特征在于,所述LED结构组件包括用于固定芯片组件的支架、...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢文浩,王华,黄映仪,张剑平,
申请(专利权)人:佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心,
类型:发明
国别省市:广东;44
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