一种半导体装置，提高半导体装置的可靠性。半导体装置具有布线基板(10)，布线基板具有：多个球栅(13A、13B)，形成在芯层(11)的下表面；阻焊膜(15)，覆盖芯层的下表面；过孔导体层(14A)，贯通芯层(11)，与球栅(13A、13B)连接；以及上表面布线(12)，形成在芯层的上表面，在一端具有键合区(12A)，另一端与过孔导体层(14A)连接。还具有配置在布线基板(10)之上的半导体芯片(1)和与球栅(13A、13B)连接的焊球(20)。阻焊膜(15)具有使芯层(11)的下表面露出的削除部(16)，上表面布线(12)具有细线部和粗线部，在俯视时，粗线部与削除部(16)重叠。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体装置，特别是涉及有效地应用于在布线基板上搭载了半导体芯片的半导体装置中的技术。
技术介绍
在日本特开2005-79129号公报(专利文献1)的摘要中公开有如下的塑料封装10，该塑料封装10具有使不与镀敷引线16连结的多个第二导体布线图案17a短路的第一引线18、连接第一引线18的连线19以及通过第二引线18a与镀敷引线16连结的第一导体布线图案17。并且，公开了如下内容：通过在将第一导体布线图案17与连线19连接的状态下进行电解镀敷，从而隔着第一导体布线图案17在第二导体布线图案17a上形成电解镀敷覆膜15；以及在形成电解镀敷覆膜15之后，通过削除部21削除连线19而使多个第二导体布线图案17a之间断线。在日本特开2014-82299号公报(专利文献2)的(0010)段落和(0012)段落中公开有如下的内容：为了防止回蚀槽(对应于专利文献1的“削除部21”)横穿半导体芯片时产生的半导体芯片的裂纹，在半导体芯片的内部区域中对横穿半导体芯片的回蚀槽进行分割。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-79129号公报专利文献2：日本特开2014-82299号公报本申请技术人对BGA(Ball Grid Array，球栅阵列)型的半导体装置进行了研究，发现了以下的问题。本申请技术人研究的BGA(Ball Grid Array，球栅阵列)型的半导体装置具有：布线基板；搭载在布线基板的上表面的半导体芯片；形成在布线基板的上表面的上表面布线和多个键合区；连接半导体芯片的键合焊盘与键合区的多个导线；以及覆盖布线基板的上表面、半导体芯片以及多个导线的密封体。而且，半导体装置具有设置在布线基板的下表面的多个球栅、与多个球栅连接的焊球。在多个键合区和多个球栅的表面上，虽然通过电解镀敷法而形成有镍和金的镀膜，但是与专利文献1或2同样，在形成镀膜之后，通过削除部(回蚀槽、开口部)削除了连线。并且，削除部配置在布线基板的下表面的没有配置有球栅的区域，各个削除部为长方形，其长边沿着布线基板的边而延伸。削除部(回蚀槽)的配置与专利文献2不同，配置在半导体芯片的内部区域或外部区域，不构成横穿半导体芯片的边的结构。根据本申请技术人的研究，在对半导体装置实施的温度循环测试中，可知产生布线基板的上表面布线断线的问题。此处，温度循环测试是，评价半导体装置是否能承受在储存中、输送中或使用中有可能会遭遇到的温度变化的可靠性测试，在半导体装置中以预定次数(循环)交替地施加最低温度和最高温度。在1循环中，使半导体装置的保存温度按照常温、最低温度、常温、最高温度、常温的顺序变化。并且，在温度循环测试中，例如，以最低温度为-60℃、最高温度为150℃、300循环的条件实施。另外，布线基板由芯层、形成在芯层的两面(上表面和下表面)的上表面布线和下表面布线、覆盖上表面布线和下表面布线的阻焊膜构成，在布线基板的下表面上设置有作为阻焊膜的开口的长方形的削除部。在上述的温度循环测试中，虽然布线基板和半导体芯片膨胀、收缩重复，但是布线基板与半导体芯片的热膨胀系数不同，因此在布线 基板上产生应力。并且，该应力集中在长方形的削除部的角部而在角部的阻焊膜上产生裂纹。接着，沿着长方形的削除部的长边，在布线基板的芯层上产生裂纹，该芯层的裂纹到达上表面布线，产生上表面布线的断线。即，可知产生在俯视时位于削除部的(重叠、交叉)上表面布线断线的问题。关于上表面布线的断线，在俯视时，在与半导体芯片重叠的削除部中显著地产生。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供防止布线基板的上表面布线的断线而可靠性高的半导体装置。从本说明书的记载和附图可以明确本技术的上述以及其他的目的和新的特征。如果简单说明公开于本申请的技术中的代表性的技术的概要，则如下所述。即，作为本申请技术的一方式的半导体装置具有布线基板、半导体芯片、导线、密封体以及焊球，所述布线基板具有：芯层，具有上表面和下表面；多个球栅，形成在所述芯层的所述下表面；阻焊膜，覆盖所述芯层的所述下表面；过孔导体层，贯通所述芯层，与所述球栅连接；以及上表面布线，形成在所述芯层的所述上表面，在所述上表面布线的一端具有键合区，所述上表面布线的另一端与所述过孔导体层连接，所述半导体芯片配置在所述布线基板之上，且具有键合焊盘，所述导线连接所述键合焊盘与所述键合区，所述密封体对所述半导体芯片和所述导线进行密封，所述焊球与所述球栅连接，所述阻焊膜具有使所述芯层的所述下表面露出的削除部，所述上表面布线具有：细线部，具有第一布线宽度；以及粗线部，具有比所述第一布线宽度大的第二布线宽度，在俯视时所述粗线部与所述削除部重叠。此外，优选所述削除部为角部呈圆弧状的大致四边形。此外，优选所述削除部为圆形。此外，优选在所述上表面布线的延伸方向上，所述上表面布线的所述粗线部横穿所述削除部。此外，优选所述削除部在俯视时与所述半导体芯片重叠。作为本申请技术的另一方式的半导体装置具有布线基板、半导体芯片、导线、密封体以及焊球，所述布线基板具有：芯层，具有上表面和下表面；多个球栅，形成在所述芯层的所述下表面；阻焊膜，覆盖所述芯层的所述下表面；过孔导体层，贯通所述芯层，与所述球栅连接；以及第一上表面布线和第二上表面布线，形成在所述芯层的所述上表面，在所述第一上表面布线和第二上表面布线的一端具有键合区，所述第一上表面布线和第二上表面布线的另一端与所述过孔导体层连接，所述半导体芯片配置在所述布线基板之上，并具有键合焊盘，该键合焊盘形成在具有第一边、第二边、第三边以及第四边的四边形的主面上，所述导线连接所述键合焊盘与所述键合区，所述密封体对所述半导体芯片和所述导线进行密封，所述焊球与所述球栅连接，所述阻焊膜具有使所述芯层的所述下表面露出的第一削除部和第二削除部，所述第一上表面布线横穿所述第一削除部而延伸，所述第二上表面布线横穿所述第二削除部而延伸，所述第一削除部和所述第二削除部沿着所述半导体芯片的所述第一边，在所述第一边的延伸方向上并列配置。此外，优选在所述第一边的延伸方向上，所述第一削除部的宽度比所述第一削除部与所述第二削除部的间隔小。此外，优选从所述第一边到所述第一削除部为止的距离比从所述 第一边到所述第二削除部为止的距离小。此外，优选所述第一削除部和所述第二削除部在俯视时与所述半导体芯片重叠。此外，优选所述第一削除部和所述第二削除部为角部呈圆弧状的大致四边形。此外，优选所述第一上表面布线具有：细线部，具有第一布线宽度；以及粗线部，具有比所述第一布线宽度大的第二布线宽度，在俯视时，所述粗线部横穿所述第一削除部。如果简单说明通过公开于本申请的技术中的代表性的技术得到的效果，则如下所述。即，根据本申请技术的一方式，能够提高半导体装置的可靠性。附图说明图1是本技术的实施方式的半导体装置的主要部分剖视图。图2是本技术的实施方式的半导体装置的主要部分俯视图。图3是示出图2的A部中的上表面布线的配置的图。图4是示出图2的A部中的下表面布线的配置的图。图5是图3的上表面布线的主要部分放大图。图6是本技术的实施方式的半导体装置的主要部分俯视图。具体实施方式(本申请中的记载形式·基本的用语·用法的说明)本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有布线基板、半导体芯片、导线、密封体以及焊球，所述布线基板具有：芯层，具有上表面和下表面；多个球栅，形成在所述芯层的所述下表面；阻焊膜，覆盖所述芯层的所述下表面；过孔导体层，贯通所述芯层，与所述球栅连接；以及上表面布线，形成在所述芯层的所述上表面，在所述上表面布线的一端具有键合区，所述上表面布线的另一端与所述过孔导体层连接，所述半导体芯片配置在所述布线基板之上，且具有键合焊盘，所述导线连接所述键合焊盘与所述键合区，所述密封体对所述半导体芯片和所述导线进行密封，所述焊球与所述球栅连接，所述阻焊膜具有使所述芯层的所述下表面露出的削除部，所述上表面布线具有：细线部，具有第一布线宽度；以及粗线部，具有比所述第一布线宽度大的第二布线宽度，在俯视时所述粗线部与所述削除部重叠。
【技术特征摘要】
2014.12.25 JP 2014-2634871.一种半导体装置，其特征在于，具有布线基板、半导体芯片、导线、密封体以及焊球，所述布线基板具有：芯层，具有上表面和下表面；多个球栅，形成在所述芯层的所述下表面；阻焊膜，覆盖所述芯层的所述下表面；过孔导体层，贯通所述芯层，与所述球栅连接；以及上表面布线，形成在所述芯层的所述上表面，在所述上表面布线的一端具有键合区，所述上表面布线的另一端与所述过孔导体层连接，所述半导体芯片配置在所述布线基板之上，且具有键合焊盘，所述导线连接所述键合焊盘与所述键合区，所述密封体对所述半导体芯片和所述导线进行密封，所述焊球与所述球栅连接，所述阻焊膜具有使所述芯层的所述下表面露出的削除部，所述上表面布线具有：细线部，具有第一布线宽度；以及粗线部，具有比所述第一布线宽度大的第二布线宽度，在俯视时所述粗线部与所述削除部重叠。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述削除部为角部呈圆弧状的大致四边形。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述削除部为圆形。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述上表面布线的延伸方向上，所述上表面布线的所述粗线部横穿所述削除部。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述削除部在俯视时与所述半导体芯片重叠。6.一种半导体装置，其特征在于，具有布线基板、半导体芯片、导线、密封体以及焊球，所述布线基板具有：芯层，具有上表面和下表面；多个球栅，形成在所述芯层的所述下表面；阻焊膜，覆盖所述芯层的所述下表面；过孔导...
【专利技术属性】
技术研发人员：武田博充，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP
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