一种结构改进的变频器制造技术

本实用新型专利技术涉及电子产品技术领域，尤其涉及一种结构改进的变频器，包括：箱体，设置在所述箱体内的驱动板，与所述驱动板连接、且设置在所述箱体内的电源，及设置在所述箱体内的散热装置；所述驱动板包括：与所述电源连接的输入模块，与所述输入模块连接的滤波整流模块，与所述滤波整流模块连接的比较器，与所述比较器连接的处理器，及与所述处理器连接的输出模块和驱动光耦；本实用新型专利技术只设置有一个比较器，使得本产品具有反应速度更快、安全系数更高及生产成本较低等特点，从而提高了本实用新型专利技术的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子产品
，尤其涉及一种结构改进的变频器。
技术介绍
变频器(frequency transformer)一般是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。变频器的主电路大体上可分为两类：电压型是将电压源的直流变换为交流的变频器，直流回路的滤波是电容；电流型是将电流源的直流变换为交流的变频器，其直流回路滤波是电感。传统的变频器需要使用多个比较器才能实现对设备内IC的保护功能，从而使得传统的变频器具有生产成本较高的特点，另外，传统的变频器在使用过程中具有运行效率较低，及使用寿命较低的特点。为此，急需提供一种结构改进的变频器来克服上述缺陷。
技术实现思路
本技术为克服上述缺陷而提供了一种结构改进的变频器，只设置有一个比较器，使得本产品具有反应速度更快、安全系数更高及生产成本较低等特点，从而提高了本技术的使用寿命。为实现上述目的，本技术采用如下的技术方案：一种结构改进的变频器，包括：箱体，设置在所述箱体内的驱动板，与所述驱动板连接、且设置在所述箱体内的电源，及设置在所述箱体内的散热装置；所述驱动板包括：与所述电源连接的输入模块，与所述输入模块连接的滤波整流模块，与所述滤波整流模块连接的比较器，与所述比较器连接的处理器，及
与所述处理器连接的输出模块和驱动光耦。优选地，所述比较器呈方型，且所述处理器下方设置有、用于设置在所述驱动板的引脚。优选地，所述比较器的电源范围为2.2V-36V。优选地，所述箱体一面上设置有与所述驱动板连接的显示板，与所述驱动板连接、且设置在所述显示板下方的按键。优选地，所述散热装置包括：设置在所述箱体顶端的冷却风扇及设置在所述箱体内侧壁上、与所述驱动板连接的散热铝片。优选地，所述输出模块包括：分别与所述处理器连接的继电器输出单元和模拟量输出单元。优选地，所述箱体呈中空梯形。优选地，所述箱体的两侧面上还开设有散热孔结构。本技术的有益效果为：本技术的一种结构改进的变频器，包括：箱体，设置在所述箱体内的驱动板，与所述驱动板连接、且设置在所述箱体内的电源，及设置在所述箱体内的散热装置；所述驱动板包括：与所述电源连接的输入模块，与所述输入模块连接的滤波整流模块，与所述滤波整流模块连接的比较器，与所述比较器连接的处理器，及与所述处理器连接的输出模块和驱动光耦；本技术通过在所述驱动板上设置所述比较器，使得本技术在使用过程中具有反应速度较快、保护效果更高及安全系数更高等特点，还降低了本技术的生产成本。通过以下的描述并结合附图，本技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本技术的实施例。附图说明用附图对本技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本技术的任何限制。图1是本技术的一种结构改进的变频器的结构示意图。图2是本技术的一种结构改进的变频器的正视图。图3是本技术的一种结构改进的变频器的比较器的结构示意图。图4是本技术的驱动板的模块框图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的说明，这是本技术的较佳实施例。实施例1：请参考图1至图4，本技术一种结构改进的变频器，包括：箱体1、驱动板2、电源3及散热装置4，其中，所述驱动板2设置在所述箱体1内，所述电源3设置在所述箱体1内、且与所述驱动板2连接，所述散热装置4设置在所述箱体1内。具体地，所述箱体1一面上设置有与所述驱动板2连接的11，与所述驱动板2连接、且设置在所述显示板11下方的按键12，所述箱1的两侧面上还开设有散热孔结构13，每一所述散热孔13呈方形。更具体地，所述箱体1呈中空梯台型。所述驱动板2包括：与所述电源3连接的输入模块21，与所述输入模块21连接的滤波整流模块22，与所述滤波整流模块22连接的比较器23，与所述比较器23连接的处理器24，及与所述处理器24连接的输出模块26和驱动光耦25。具体地，所述输出模块26包括：分别与所述处理器24连接的继电器输出单元261和模拟量输出单元262。所述比较器23呈方型，且所述比较器23下
方设置有、用于设置在所述驱动板2上的引脚，具体地，所述比较器23的电源范围为2.2V-36V。需要说明的是，所述驱动光耦25具有米勒特效应，通过设置所述驱动光耦25，使得本技术能够对本技术的IGBT起到更好的保护效果，另外，也有效提高了本技术的工作效率。所述散热装置4包括：设置在所述箱体1顶端的冷却风扇41及设置在所述箱体1内侧壁上、与所述驱动板2连接的散热铝片。通过所述冷却风扇41及所述散热铝片的设置，使得本技术具有更好的散热功能。从以上描述可以看出，本技术通过在所述驱动板2上设置所述比较器23，使得本技术在使用过程中具有反应速度较快、保护效果更高及安全系数更高等特点，还降低了本技术的生产成本；另外，通过设置具有米勒特效应的驱动光耦，使得本技术具有更好地保护IGBT的功能、从而提高了本技术的使用寿命，另外，本技术还具有更高的运行速率。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对本技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本技术作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的实质和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构改进的变频器，其特征在于，包括：箱体，设置在所述箱体内的驱动板，与所述驱动板连接、且设置在所述箱体内的电源，及设置在所述箱体内的散热装置；所述驱动板包括：与所述电源连接的输入模块，与所述输入模块连接的滤波整流模块，与所述滤波整流模块连接的比较器，与所述比较器连接的处理器，及与所述处理器连接的输出模块和驱动光耦。

【技术特征摘要】
1.一种结构改进的变频器，其特征在于，包括：箱体，设置在所述箱体内的驱动板，与所述驱动板连接、且设置在所述箱体内的电源，及设置在所述箱体内的散热装置；所述驱动板包括：与所述电源连接的输入模块，与所述输入模块连接的滤波整流模块，与所述滤波整流模块连接的比较器，与所述比较器连接的处理器，及与所述处理器连接的输出模块和驱动光耦。2.如权利要求1所述的结构改进的变频器，其特征在于，所述比较器呈方型，且所述处理器下方设置有、用于设置在所述驱动板的引脚。3.如权利要求1和2所述的结构改进的变频器，其特征在于，所述比较器的电源范围为2.2V-36V。4.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳明龙，
申请(专利权)人：东莞市四凌电气有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44