一种电力IGBT驱动保护电路制造技术

技术编号:13562426 阅读:85 留言:0更新日期:2016-08-19 11:41
本实用新型专利技术公开了一种电力IGBT驱动保护电路,包括二极管D1、电容C1、三极管V1、三极管V2、电阻R1和IGBT管,所述二极管D1正极分别连接电源VCC、电阻R3和电容C2,二极管D1负极分别连接电阻R1、三极管V1发射极和电阻R2,电阻R1另一端分别连接三极管V1基极、二极管D4负极和二极管D5负极,二极管D5正极连接电阻R4,电阻R4另一端分别连接二极管D2正极、电容C1、二极管D6负极和电阻R3另一端,二极管D2负极连接IGBT管的D极。本实用新型专利技术电力IGBT驱动保护电路没有使用任何芯片元件,而是采用三极管配合阻容元件控制,能有效提高IGBT管的关断速度,电路结构简单,成本低,体积小,适用范围广。

【技术实现步骤摘要】
201620114205

【技术保护点】
一种电力IGBT驱动保护电路,包括二极管D1、电容C1、三极管V1、三极管V2、电阻R1和IGBT管,其特征在于,所述二极管D1正极分别连接电源VCC、电阻R3和电容C2,二极管D1负极分别连接电阻R1、三极管V1发射极和电阻R2,电阻R1另一端分别连接三极管V1基极、二极管D4负极和二极管D5负极,二极管D5正极连接电阻R4,电阻R4另一端分别连接二极管D2正极、电容C1、二极管D6负极和电阻R3另一端,二极管D2负极连接IGBT管的D极,所述三极管V1集电极分别连接二极管D4正极和电阻R5,电阻R5另一端分别连接二极管D3正极、电阻R6和三极管V2基极,三极管V2发射极分别连接二极管D3负极和IGBT管的G极,三极管V2集电极连接电容C3,电容C3另一端分别连接电容C2另一端、电阻R2另一端、二极管D6正极、电容C1另一端、电阻R6另一端和IGBT管的S极。

【技术特征摘要】
1.一种电力IGBT驱动保护电路,包括二极管D1、电容C1、三极管V1、三极管V2、电阻R1和IGBT管,其特征在于,所述二极管D1正极分别连接电源VCC、电阻R3和电容C2,二极管D1负极分别连接电阻R1、三极管V1发射极和电阻R2,电阻R1另一端分别连接三极管V1基极、二极管D4负极和二极管D5负极,二极管D5正极连接电阻R4,电阻R4另一端分别连接二极管D2正极、电容C1、二极管D6负极和电阻R3另一端,二极管D2负极连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢海波
申请(专利权)人:长沙民政职业技术学院
类型:新型
国别省市:湖南;43

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