【技术实现步骤摘要】
201610082713
【技术保护点】
一种摄像装置，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有主表面；元件形成区域，其规定在所述半导体衬底上，由第一导电型的第一杂质区域形成；像素区域，其规定在所述元件形成区域上；光电转换部，其形成于所述像素区域；接地区域，其以与所述光电转换部隔着隔离部的方式规定在所述元件形成区域上，与所述光电转换部电连接并且与接地电位电连接；防反射膜，其以至少覆盖所述光电转换部以及所述接地区域的方式形成，用于抑制光的反射；层间绝缘膜，其以覆盖所述防反射膜的方式形成；以及插塞，其以贯穿所述层间绝缘膜以及所述防反射膜的方式形成，与所述接地区域电连接。
【技术特征摘要】
2015.02.10 JP 2015-0240591.一种摄像装置，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有主表面；元件形成区域，其规定在所述半导体衬底上，由第一导电型的第一杂质区域形成；像素区域，其规定在所述元件形成区域上；光电转换部，其形成于所述像素区域；接地区域，其以与所述光电转换部隔着隔离部的方式规定在所述元件形成区域上，与所述光电转换部电连接并且与接地电位电连接；防反射膜，其以至少覆盖所述光电转换部以及所述接地区域的方式形成，用于抑制光的反射；层间绝缘膜，其以覆盖所述防反射膜的方式形成；以及插塞，其以贯穿所述层间绝缘膜以及所述防反射膜的方式形成，与所述接地区域电连接。2.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，所述隔离部利用绝缘膜而被绝缘隔离，在所述接地区域形成有第一导电型的第二杂质区域，该第二杂质区域具有比所述第一杂质区域的杂质浓度更高的杂质浓度。3.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，所述隔离部利用绝缘膜而被绝缘隔离，在位于所述接地区域的所述第一杂质区域的部分与所述光电转换部之间形成有第一导电型的第三杂质浓度区域，该第三杂质浓度区域具有比所述第一杂质区域的杂质浓度更高的杂质浓度。4.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，所述隔离部利用绝缘膜而被绝缘隔离，所述摄像装置具有像素晶体管区域，该像素晶体管区域规定在所述像素区域中的所述光电转换部的侧方，所述接地区域相对于所述像素晶体管区域而配置在从所述光电
\t转换部远离的方向上。5.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，所述隔离部利用绝缘膜而被绝缘隔离，所述光电转换部包括以从所述插塞所接触的所述接地区域的接触部远离的方式后退的部分。6.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，所述隔离部利用pn结而被pn结隔离，在所述接地区域形成有第一导电型的第五杂质区域，该第五杂质区域具有比所述第一杂质区域的杂质浓度更高的杂质浓度，所述光电转换部具有第二导电型的光电转换杂质区域，所述pn结包括第一导电型的所述第五杂质区域与第二导电型的所述光电转换杂质区域之间的结合部分。7.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，所述隔...
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