制备硅基纳米图形阵列结构的方法技术

本发明专利技术提供了一种制备硅基纳米图形阵列结构的方法，所述方法包括：设置硅衬底；在硅衬底上沉积阻挡层，在阻挡层上沉积铝膜；利用第一酸溶液对铝膜进行一次阳极氧化处理，以将铝膜的远离硅衬底一侧的表面形成为第一纳米图形阵列结构；利用第二酸溶液去除第一纳米图形阵列结构；利用第三酸溶液对铝膜进行二次阳极氧化处理，以将铝膜形成为氧化铝纳米图形阵列结构；利用氧化铝纳米图形阵列结构作为掩膜来刻蚀阻挡层和硅衬底，以将硅衬底和阻挡层形成为具有与氧化铝纳米图形阵列结构相对应的纳米图形阵列结构；利用缓冲氧化刻蚀剂将硅衬底上的氧化铝纳米图形阵列结构和形成为纳米图形阵列结构的阻挡层去除，从而得到硅基纳米图形阵列结构。

【技术实现步骤摘要】
201510032963

【技术保护点】
一种制备硅基纳米图形阵列结构的方法，其特征在于，所述方法包括：设置硅衬底；在硅衬底上沉积阻挡层，在阻挡层上沉积铝膜；利用第一酸溶液对铝膜进行一次阳极氧化处理，以将铝膜的远离硅衬底一侧的表面形成为第一纳米图形阵列结构；利用第二酸溶液去除第一纳米图形阵列结构；利用第三酸溶液对铝膜进行二次阳极氧化处理，以将铝膜形成为氧化铝纳米图形阵列结构；利用氧化铝纳米图形阵列结构作为掩膜来刻蚀阻挡层和硅衬底，以将硅衬底和阻挡层形成为具有与氧化铝纳米图形阵列结构相对应的纳米图形阵列结构；利用缓冲氧化刻蚀剂将硅衬底上的氧化铝纳米图形阵列结构和形成为纳米图形阵列结构的阻挡层去除，从而得到硅基纳米图形阵列结构。

【技术特征摘要】
1.一种制备硅基纳米图形阵列结构的方法，其特征在于，所述方法包括：设置硅衬底；在硅衬底上沉积阻挡层，在阻挡层上沉积铝膜；利用第一酸溶液对铝膜进行一次阳极氧化处理，以将铝膜的远离硅衬底一侧的表面形成为第一纳米图形阵列结构；利用第二酸溶液去除第一纳米图形阵列结构；利用第三酸溶液对铝膜进行二次阳极氧化处理，以将铝膜形成为氧化铝纳米图形阵列结构；利用氧化铝纳米图形阵列结构作为掩膜来刻蚀阻挡层和硅衬底，以将硅衬底和阻挡层形成为具有与氧化铝纳米图形阵列结构相对应的纳米图形阵列结构；利用缓冲氧化刻蚀剂将硅衬底上的氧化铝纳米图形阵列结构和形成为纳米图形阵列结构的阻挡层去除，从而得到硅基纳米图形阵列结构。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，阻挡层为钛层或铂层并且具有10nm～30nm的厚度，铝膜的厚度为500nm～1000nm。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行一次阳极氧化处理的步骤中，处理温度为0℃～5℃，氧化电压为40v～200v，处理时间为1min～30min处理过程中恒温恒压搅拌，处理后利用去离子水将残余的第一酸溶液和副产物清洗干净，其中，第一酸溶液为浓度是0.1mol/L-1mol/L的草酸溶液，其中，第一纳米图形阵列结构中的每个纳米图形的孔径不小于40nm。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除第一纳米图形阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵迎春，熊敏，董旭，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32