一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法，该薄膜包括复合在一起的CoFe2O4和Bi0.96Sr0.04Fe1‑x‑yMnxCoyO3，x＝0～0.04，y＝0～0.02，且x、y不同时为0。制备时先配制CoFe2O4前驱液和Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液，然后用旋涂法和逐层退火的工艺在FTO基板上制备磁性CoFe2O4薄膜，再在CoFe2O4上制备Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜，形成高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜。本发明专利技术通过离子掺杂和与磁性CoFe2O4薄膜进行复合，大幅度提高了薄膜的介电、铁电和铁磁性能，还有效的降低了薄膜的漏电流密度。

【技术实现步骤摘要】
201610201240

【技术保护点】
一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜，其特征在于：包括复合在一起的上层膜和下层膜，其中下层膜为CoFe2O4晶态膜，上层膜为Bi0.96Sr0.04FeO3基晶态膜，其结构式为Bi0.96Sr0.04Fe1‑x‑yMnxCoyO3，x＝0～0.04，y＝0～0.02，且x、y不同时为0。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谈国强，乐忠威，杨玮，夏傲，任慧君，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61