功率半导体元件的电流检测装置制造方法及图纸

技术编号:13547414 阅读:91 留言:0更新日期:2016-08-18 13:03
本发明专利技术提供维持较高的电流检测精度,不会受到干扰噪音的影响,并无需从负电压开始动作的功率半导体元件的电流检测装置。功率半导体元件(10)的电流检测装置具备将传感器IGBT(12)的发射极端子(16)固定为基准电源(50)的1伏以下的电压的运算放大器(20);以及电流电压转换器(40),该电流电压转换器(40)构成为使得与有传感器IGBT(12)的电流流入该运算放大器(20)的电流成比例倍数的电流流过电阻(42)。电流电压转换器(40)具有以大地(17)的电位为基准进行动作的NMOS晶体管(41)和设置于该NMOS晶体管(41)的高侧的电阻(42),并从大地(17)的电位开始动作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201580003577

【技术保护点】
一种功率半导体元件的电流检测装置,该功率半导体元件的电流检测装置具备有主电流流过的主元件和对所述主元件的电流进行检测的电流传感器元件,该功率半导体元件的电流检测装置的特征在于,包括:输出规定的基准电压的基准电源;运算放大器,向其同相输入端子施加有所述基准电压,并且其反相输入端子与输出端子及所述电流传感器元件的电流输出端子相连接;以及电流电压转换器,该电流电压转换器将流过构成所述运算放大器的输出级的器件的电流转换成电压,所述基准电源、所述运算放大器及所述电流电压转换器构成为以接地电位为基准进行动作。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:中森昭
申请(专利权)人:富士电机株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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