一种用于透射电子衍射研究的超薄单晶的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于透射电子衍射研究的超薄单晶样品的制备方法，包括以下步骤：1)将超薄单晶置于洁净的衬底上；其中，超薄单晶的厚度小于100nm；2)将新载网倒置于超薄单晶表面，形成新载网‑超薄单晶‑衬底结构；3)在新载网‑超薄单晶‑衬底结构上滴入异丙醇溶液，使异丙醇溶液浸入新载网与超薄单晶的分界面并自然蒸发干；4)将经过步骤3)的新载网‑超薄单晶‑衬底结构放入用于溶解衬底的溶液中，使衬底溶解，超薄单晶与衬底脱离，附着于新载网上，形成新载网‑超薄单晶结构；5)将经过步骤4)形成的新载网‑超薄单晶结构进行多次去离子水冲洗，后自然晾干。本发明专利技术具有操作简单、成本低和可实现快速制样的优点。

【技术实现步骤摘要】
201610200723

【技术保护点】
一种用于透射电子衍射研究的超薄单晶样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将超薄单晶置于洁净的衬底上；其中，超薄单晶的厚度小于100nm；2)将新载网倒置于超薄单晶表面，形成新载网‑超薄单晶‑衬底结构；所述新载网包括多孔碳支撑膜和标准透射电子显微用载网，其中，多孔碳支撑膜放置在标准透射电子显微用载网上；新载网倒置于超薄单晶表面是指多孔碳支撑膜的一面正对超薄单晶表面；3)在新载网‑超薄单晶‑衬底结构上滴入异丙醇溶液，使异丙醇溶液浸入新载网与超薄单晶的分界面并自然蒸发干；4)将经过步骤3)的新载网‑超薄单晶‑衬底结构放入用于溶解衬底的溶液中，使衬底溶解，超薄单晶与衬底脱离，附着于新载网上，形成新载网‑超薄单晶结构；5)将经过步骤4)形成的新载网‑超薄单晶结构进行多次去离子水冲洗，后自然晾干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴，罗端，田进寿，
申请(专利权)人：中国科学院西安光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61