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检测抗原抗体特异性结合的纳米通道及其制备方法和检测方法技术

技术编号:13545393 阅读:91 留言:0更新日期:2016-08-18 10:37
本发明专利技术提供一种纳米笼结构的纳米通道,包括呈三明治结构的顶部SiN薄膜层、中间SiO2夹层和底部SiN薄膜层;所述顶部SiN薄膜层上加工有一个孔面积略大于待测抗原的最大截面小于待测抗体的最小截面的小纳米孔,所述底部SiN薄膜层上与小纳米孔轴向对齐处加工有一个孔径大于小纳米孔的大纳米孔,所述小纳米孔和大纳米孔之间的SiO2被腐蚀成中空纳米笼结构。将纳米笼结构纳米通道的两端连接两个充满离子溶液的液池单元,将抗原和抗体添加同一液池中,即靠近小纳米孔一侧。当在正反向电压下都测得离子电流变化时,说明抗原和抗体没有特异性结合。如果只在正向电压下测得离子电流变化,说明抗原抗体发生特异性结合,由此可以实现对抗原或抗体分子的辨识检测。

【技术实现步骤摘要】
201610243172
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/52/CN105866398.html" title="检测抗原抗体特异性结合的纳米通道及其制备方法和检测方法原文来自X技术">检测抗原抗体特异性结合的纳米通道及其制备方法和检测方法</a>

【技术保护点】
一种纳米笼结构的纳米通道,其特征在于,包括呈三明治结构的顶部SiN薄膜层、中间SiO2夹层和底部SiN薄膜层;所述顶部SiN薄膜层为底部SiN薄膜层的薄膜厚度为中间SiO2夹层的厚度为所述顶部SiN薄膜层上加工有一个孔面积略大于待测抗原的最大截面小于待测抗体的最小截面的小纳米孔,所述底部SiN薄膜层上与小纳米孔轴向对齐处加工有一个孔径大于小纳米孔的大纳米孔,所述小纳米孔和大纳米孔之间的SiO2被腐蚀成中空腔体,所述小纳米孔、中空腔体和大纳米孔呈中空纳米笼结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沙菁石鸿佼陈云飞袁志山
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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