【技术实现步骤摘要】
201610243172
【技术保护点】
一种纳米笼结构的纳米通道,其特征在于,包括呈三明治结构的顶部SiN薄膜层、中间SiO2夹层和底部SiN薄膜层;所述顶部SiN薄膜层为底部SiN薄膜层的薄膜厚度为中间SiO2夹层的厚度为所述顶部SiN薄膜层上加工有一个孔面积略大于待测抗原的最大截面小于待测抗体的最小截面的小纳米孔,所述底部SiN薄膜层上与小纳米孔轴向对齐处加工有一个孔径大于小纳米孔的大纳米孔,所述小纳米孔和大纳米孔之间的SiO2被腐蚀成中空腔体,所述小纳米孔、中空腔体和大纳米孔呈中空纳米笼结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:沙菁,石鸿佼,陈云飞,袁志山,
申请(专利权)人:东南大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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