一种氮化镓基高电子迁移率晶体管制造技术

本发明专利技术涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次由衬底，GaN缓冲层，沟道层，势垒层，势垒层上的源极、漏极和栅极，栅极与漏极之间的电荷补偿层，电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成，其特征在于：所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料，沟道层和势垒层极化方向相反，势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡，产生了数量相同、类型相反的电荷，形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题，同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题，提升了器件性能。

【技术实现步骤摘要】
201610191581

【技术保护点】
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次主要由衬底(101)，GaN缓冲层(102)，沟道层(103)，势垒层(104)，势垒层(104)上的源极(105)、漏极(106)和栅极(107)，栅极(107)与漏极(106)之间的电荷补偿层(108)，电荷补偿层(108)上的金属电极(110)以及绝缘介质(109)组成，其特征在于：所述的沟道层(103)、势垒层(104)和电荷补偿层(108)均为GaN材料，沟道层(103)和势垒层(104)极化方向相反，势垒层(104)和电荷补偿层(108)极化方向相反。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次主要由衬底(101)，GaN缓冲层(102)，沟道层(103)，势垒层(104)，势垒层(104)上的源极(105)、漏极(106)和栅极(107)，栅极(107)与漏极(106)之间的电荷补偿层(108)，电荷补偿层(108)上的金属电极(110)以及绝缘介质(109)组成，其特征在于：所述的沟道层(103)、势垒层(104)和电荷补偿层(108)均为GaN材料，沟道层(103)和势垒层(104)极化方向相反，势垒层(104)和电荷补偿层(108)极化方向相反。2.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述的沟道层(103)与势垒层(104)之间，势垒层(104)和电荷补偿层(108)之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲兆珠，赵子奇，朱超，张后程，姜涛，胡子阳，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33