半导体模块制造技术

本发明专利技术提供使噪声电流环路极小并增大噪声抑制效果的半导体模块。半导体模块(2)包括电路块，该电路块具有AL绝缘基板(41)、在该AL绝缘基板(41)的一面形成的电路图案(42、42a)和功率用半导体芯片(43、44)；及在AL绝缘基板(41)的另一面形成的散热体(47)。电路块内施加有最大电位及最低电位的电路图案(42)经由电容器(45、46)、电路图案(42a)、及贯通AL绝缘基板(41)而配置的销(50)与散热体(47)进行电连接。由此，电路块内的电路图案的电位变化及图案与散热体间的寄生电容所产生的噪声电流在包含电容器(45、46)及销(50)的极小噪声电流环路中流动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201580003657

【技术保护点】
一种半导体模块，该半导体模块包括：电路块，该电路块具有电绝缘层、在所述电绝缘层的一面由导电性的板或箔形成的多个电路图案和搭载于所述电路图案的功率用半导体；及在所述电绝缘层的另一面由导电性的板形成的散热体，其特征在于，至少1个所述电路图案利用电容器贯通所述电绝缘层并与所述散热体电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.30 JP 2014-1546261.一种半导体模块，该半导体模块包括：电路块，该电路块具有电绝缘层、在所述电绝缘层的一面由导电性的板或箔形成的多个电路图案和搭载于所述电路图案的功率用半导体；及在所述电绝缘层的另一面由导电性的板形成的散热体，其特征在于，至少1个所述电路图案利用电容器贯通所述电绝缘层并与所述散热体电连接。2.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，所述电容器的一端连接到所述电路块内施加有最大电位的所述电路图案。3.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，所述电容器的一端连接到所述电路块内施加有最小电位的所述电路图案。4.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，所述电容器的一端连接到所述电路块内电位变化较大的所述电路图案。5.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，搭载有所述电容器的另一端的所述电路图案利用压入到所述电绝缘层的导电性引脚与所述散热体电连接。6.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，搭载有所述电容器的另一端的所述电路图案利用经由贯通所述电绝缘层而形成的开口部延伸的导电性引线与所述散热体电连接。7.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，搭载有所述电容器的另一端的所述电路图案通过利用贯通所述电绝缘层而配置的导电性螺钉与所述散热体螺纹固定，从而与所述散热体电连接。8.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤忠彦，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP