半导体器件及其制造方法以及脂肪族聚碳酸酯技术

本发明专利技术的课题在于提供一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管不必使用在真空下或低压下的各工艺且不必使用昂贵的设备，而对于提供一种能够简便地实现自对准式地形成源极/漏极区域。本发明专利技术的一种半导体器件的制造方法，包括以下的步骤：脂肪族聚碳酸酯层形成步骤，其是将介由栅绝缘层30而被配置在本半导体层20上的栅电极层40、及半导体层20覆盖而形成脂肪族聚碳酸酯层50，此脂肪族聚碳酸酯层50是具有使半导体层20成为n型或p型的半导体层的掺杂剂；及加热步骤，其是在将其掺杂剂导入半导体层20中且于将脂肪族聚碳酸酯层50分解的温度下进行加热。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480067483

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其包含以下的步骤：脂肪族聚碳酸酯层形成步骤，其形成脂肪族聚碳酸酯层，所述脂肪族聚碳酸酯层覆盖介由栅绝缘层而被配置在半导体层上的栅电极层、及所述半导体层，该脂肪族聚碳酸酯层具有使所述半导体层成为n型或p型的半导体层的掺杂剂；及加热步骤，其是在将所述掺杂剂导入所述半导体层中且于将脂肪族聚碳酸酯层分解的温度下进行加热。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上聪，下田达也，藤本信贵，西冈圣司，辛岛修一，
申请(专利权)人：国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学，住友精化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP