一种内嵌参考电压的LDO制造技术

本发明专利技术涉及一种内嵌参考电压的LDO，包括启动电路、PTAT电流产生器、跨阻放大器、带有频率补偿的误差放大器、功率驱动管和反馈网络；所述启动电路与PTAT电流产生器连接，所述跨阻放大器对流过反馈网络的电流和PTAT电流产生器产生的电流进行运算，然后转换为电压信号V1，电压信号V1通过误差放大器放大得到控制电压Vc，控制电压信号Vc控制功率驱动管MP的栅极以调整流经反馈网络的电流；所述跨阻放大器与误差放大器的连接端与频率补偿单元的一端连接，所述功率驱动管与反馈网络的连接端与频率补偿单元的另一端连接。反馈网络和PTAT电流产生器在跨阻放大器和误差放大器的控制下能产生基准参考电压，而无需独立的基准参考电压，能降低LDO的静态功耗。

【技术实现步骤摘要】
201610232201

【技术保护点】
一种内嵌参考电压的LDO，其特征在于：包括启动电路、PTAT电流产生器、跨阻放大器、带有频率补偿的误差放大器、功率驱动管和反馈网络；所述启动电路与PTAT电流产生器连接，所述跨阻放大器对流过反馈网络的电流和PTAT电流产生器产生的电流进行运算，然后转换为电压信号V1，电压信号V1通过误差放大器放大得到控制电压Vc，控制电压信号Vc控制功率驱动管MP的栅极以调整流经反馈网络的电流；所述跨阻放大器与误差放大器的连接端与频率补偿单元的一端连接，所述功率驱动管与反馈网络的连接端与频率补偿单元的另一端连接。

【技术特征摘要】
1.一种内嵌参考电压的LDO，其特征在于：包括启动电路、PTAT电流产生器、跨阻放大器、带有频率补偿的误差放大器、功率驱动管和反馈网络；所述启动电路与PTAT电流产生器连接，所述跨阻放大器对流过反馈网络的电流和PTAT电流产生器产生的电流进行运算，然后转换为电压信号V1，电压信号V1通过误差放大器放大得到控制电压Vc，控制电压信号Vc控制功率驱动管MP的栅极以调整流经反馈网络的电流；所述跨阻放大器与误差放大器的连接端与频率补偿单元的一端连接，所述功率驱动管与反馈网络的连接端与频率补偿单元的另一端连接。2.根据权利要求1所述的内嵌参考电压的LDO，其特征在于：所述启动电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2和第一NMOS管MN1；所述第一PMOS管MP1的源极、第二PMOS管MP2的源极接电源VDD，所述第一PMOS管MP1的栅极与第一NMOS管MN1的源极、第一NMOS管MN1的漏极接地；所述第一PMOS管MP1的漏极分别与第一NMOS管MN1的栅极、第二PMOS管MP2的栅极连接，第二PMOS管MP2的漏极与PTAT电流产生器连接。3.根据权利要求2所述的内嵌参考电压的LDO，其特征在于：所述PTAT电流产生器包括第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第五NMOS管MN5和第一电阻器R1；所述第三PMOS管MP3的源极、第四PMOS管MP4的源极与连接电源VDD，所述第三PMOS管MP3的栅极与第四PMOS管MP4的栅极连接，第三PMOS管MP3的栅极与漏极连接；第三PMOS管MP3的漏极与第二NMOS管MN2的漏极连接，第二NMOS管MN2的源极经第一电阻器R1接地；第二PMOS管MP2的漏极分别与第二NMOS管MN2的栅极、第三NMOS管MN3的栅极、第三NMOS管MN3的漏极、第四PMOS管MP4的漏极、第五NMOS管MN5的栅极连接；第三NMOS管MN3的栅极接地，第五NMOS管的源极接地，第五NMOS管的漏极与跨阻放大器连接。4.根据权利要求3所述的内嵌参考电压的LDO，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖鹏飞，张颜林，谭林，雷昕，苏晨，刘伦才，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50