具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构及制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构及制备方法，该结构包括：键合衬底；P焊盘，键合于所述键合衬底；具有倾斜侧壁的倒金字塔型发光外延结构，结合于所述P焊盘上，包括依次层叠的P‑GaN层、量子阱层及N‑GaN层，所述N‑GaN层表面形成有粗化结构；以及N焊盘，形成于所述N‑GaN层表面。本发明专利技术主要利用金属自平坦化晶片键合、激光剥离技术及ICP干法刻蚀技术制备的具有倒金字塔型侧壁的垂直结构LED芯片，侧壁做成倒金字塔型可有效地减少器件与空气界面处的全反射，使更多的光以更短的距离传输出去，此种垂直芯片侧壁结构增加了光提取效率，更有利于出光。本发明专利技术结构及方法简单，能大大提高光提取效率，在半导体照明领域具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
201610120654

【技术保护点】
一种具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：步骤1)，提供一生长衬底，于所述生长衬底上形成包括N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层的发光外延结构；步骤2)，刻蚀所述发光外延结构，以形成具有正金字塔型倾斜侧壁的发光外延结构；步骤3)，于所述P‑GaN层表面形成P焊盘；步骤4)，提供一键合衬底，并键合所述键合衬底及P焊盘；步骤5)，剥离所述生长衬底露出所述N‑GaN层，形成固定于所述键合衬底上的具有倒金字塔型倾斜侧壁的发光外延结构；步骤6)，对裸露的N‑GaN层表面进行粗化；步骤7)，于所述N‑GaN层表面形成N焊盘。

【技术特征摘要】
1.一种具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：步骤1)，提供一生长衬底，于所述生长衬底上形成包括N-GaN层、量子阱层及P-GaN层的发光外延结构；步骤2)，刻蚀所述发光外延结构，以形成具有正金字塔型倾斜侧壁的发光外延结构；步骤3)，于所述P-GaN层表面形成P焊盘；步骤4)，提供一键合衬底，并键合所述键合衬底及P焊盘；步骤5)，剥离所述生长衬底露出所述N-GaN层，形成固定于所述键合衬底上的具有倒金字塔型倾斜侧壁的发光外延结构；步骤6)，对裸露的N-GaN层表面进行粗化；步骤7)，于所述N-GaN层表面形成N焊盘。2.根据权利要求1所述的具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤1)中，所述N-GaN层直接生长于所述生长衬底上。3.根据权利要求1所述的具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤2)还包括于所述倾斜侧壁表面形成绝缘层的步骤。4.根据权利要求1所述的具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤3)制作P焊盘包括以下步骤：步骤3-1)，于所述P-GaN层表面制备欧姆接触的ITO层或Ni层；步骤3-2)，于所述ITO层或Ni层表面制作Ag反射镜；步骤3-3)，于所述Ag反射镜表面制作Au/Sn金属键合层。5.根据权利要求1所述的具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤4)所述的键合衬底包括Si衬底、W/Cu衬底及Mo/Cu衬底中的一种。6.根据权利要求1所述的具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：童玲，徐慧文，李起鸣，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31