一种半桥自举驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半桥自举驱动电路，具有双驱动隔离芯片U1、限流电阻R1、NMOS晶体管Q1、NMOS晶体管Q2，还具有自举二极管D1、自举电容C2、自举二极管D1的正极接限流电阻R1的一端，自举二极管D1的负极接双驱动隔离芯片U1的VDDA输出脚，限流电阻R1的另一端接电源VDD2，自举电容C2一端接双驱动隔离芯片U1的VDDA输出脚，自举电容C2另一端接双驱动隔离芯片U1的GNDA输出脚。本实用新型专利技术的半桥自举驱动电路只需一个电源VDD2即可使双驱动隔离芯片U1为不共地的NMOS晶体管Q1与NMOS晶体管Q2提供驱动。本实用新型专利技术有效精简电路，增加电路应用范围。

【技术实现步骤摘要】
201521105703

【技术保护点】
一种半桥自举驱动电路，具有双驱动隔离芯片U1、限流电阻R1、NMOS晶体管Q1、NMOS晶体管Q2，其特征在于：还具有自举二极管D1、自举电容C2、所述自举二极管D1的正极接限流电阻R1的一端，所述自举二极管D1的负极接双驱动隔离芯片U1的VDDA输出脚，所述限流电阻R1的另一端接电源VDD2，所述自举电容C2一端接双驱动隔离芯片U1的VDDA输出脚，所述自举电容C2另一端接双驱动隔离芯片U1的GNDA输出脚。

【技术特征摘要】
1.一种半桥自举驱动电路，具有双驱动隔离芯片U1、限流电阻R1、NMOS晶体管Q1、NMOS晶体管Q2，其特征在于：还具有自举二极管D1、自举电容C2、所述自举二极管D1的正极接限流电阻R1的一端，所述自举二极管D1的负极接双驱动隔离芯片U1的VDDA输出脚，所述限流电阻R1的另一端接电源VDD2，所述自举电容C2一端接双驱动隔离芯片U1的VDDA输出脚，所述自举电容C2另一端接双驱动隔离芯片U1的GNDA输出脚。
2.根据权利要求1所述的一种半桥自举驱动电路，其特征在于：具有旁路滤波电容C1，所述旁路滤波电容C1一端接自举二极管D1的正极，所述旁路滤波电容C1另一端接地。
3.根据权利要求1所述的一种半桥自举驱动电路，其特征在于：具有旁路滤波电容C3，所述旁路滤波电容C3一端接双驱动隔离芯片U1的VDDB输出脚，所述旁路滤波电容C3另一端接地，所述双驱动隔离芯片U1的VDDB输出脚接电源VDD2。
4.根据权利要求1所述的一种半桥自举驱动电路，其特征在于：具有旁路滤波电容C4，所述旁路滤波电容C4一端接双驱动隔离芯片U1的VDDI输出脚，所述旁路滤波电容C4另一端接双驱动隔离芯片U1的GNDI输出脚，所述双驱动隔离芯片U1的VDDI输出脚接电源VDD1。
5.根据权利要求1所述的一种半桥自举驱动电路，其特征在于：所述NMOS晶体管Q1的G极接双驱动隔离芯片U1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：严为人，景晓瑜，
申请(专利权)人：张家港市华为电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32