【技术实现步骤摘要】
201620237509
【技术保护点】
一种低电容低电压半导体过压保护器件，芯片层包括N型衬底、在N型衬底上方和下方对称扩散有P2基区和N型区以及发射极N型掺杂区，其特征在于，在发射极N型掺杂区与P2基区扩散有P1基区，所述P1基区和P2基区为P型变掺杂基区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵海，
申请(专利权)人：昆山海芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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