一种LDMOS器件结构及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种LDMOS器件结构，包括金属连接层，所述金属连接层将LDMOS器源极从表面连接至衬底，所述LDMOS器件的沟道为浓度渐变沟道。同时也公开了该器件结构的制作方法。本发明专利技术采用多晶硅刻蚀后淀积一层台阶覆盖率高的介质层作为注入阻挡层，解决了光刻对位精度问题，可以实现0.25um以下栅长的自对准注入；同时采用金属连接层将源极从表面连接至衬底，金属连接层工艺在器件形成后进行，从而可以实现0.25um以下的栅长，制造良率和均匀性都可以得到保障。

【技术实现步骤摘要】
201610325621

【技术保护点】
一种LDMOS器件结构，其特征在于：包括金属连接层，所述金属连接层将LDMOS器源极从表面连接至衬底，所述LDMOS器件的沟道为浓度渐变沟道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭虎，张耀辉，莫海锋，
申请(专利权)人：昆山华太电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32