一种积累型垂直HEMT器件制造技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，涉及一种积累型垂直HEMT器件。本发明专利技术正向导通状态下，绝缘栅极结构侧壁处形成高浓度的电子积累层，大大地降低了器件的导通电阻，从而保证了器件具有很好的正向电流驱动能力；反向阻断状态下，绝缘栅极结构可以有效地改善器件阻挡层与缓冲层界面处的电场集中效应，同时在绝缘栅极结构末端处引入新的电场尖峰，使器件电场分布更加均匀，从而提高器件的关态击穿电压。本发明专利技术所公布的器件制备工艺与传统工艺兼容。

【技术实现步骤摘要】
201610432032

【技术保护点】
一种积累型垂直HEMT器件，包括从下至上依次层叠设置的漏电极(1)、衬底(2)、缓冲层(3)、沟道层(5)和势垒层(6)，所述势垒层(6)上表面两端设置有源电极(7)；所述势垒层(6)上表面中部设置有绝缘栅极结构；所述源电极(7)与绝缘栅极结构之间的势垒层(6)上表面具有介质钝化层(10)；其特征在于，所述衬底(2)、缓冲层(3)、沟道层(5)为N型掺杂；所述缓冲层(3)中存在电流阻挡层(4)，所述阻挡层(4)为P型掺杂；所述绝缘栅极结构的中部沿垂直方向向下延伸，依次贯穿势垒层(6)、沟道层(5)和阻挡层(4)并延伸入缓冲层(3)中，绝缘栅极结构位于势垒层(6)上表面的部分及向下延伸的部分形成“T”型结构；所述绝缘栅极结构由绝缘栅介质(8)和被绝缘栅介质(8)包围栅电极(9)构成；所述阻挡层(4)位于绝缘栅介质(8)的两侧，且与绝缘栅介质(8)之间具有间距，此间距并形成电流孔径；所述源电极(1)和漏电极(7)为欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗小蓉，杨超，吴俊峰，彭富，魏杰，邓思宇，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51