一种闪存单元模型的电压分配方法及装置制造方法及图纸

一种闪存单元模型的电压分配方法及装置，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括：一位线电极、一控制栅极及一浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试电流，所述方法包括：根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例pcg计算得到第一电压值V31，其中0＜pcg≤1；根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述第一电压值V31，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。采用上述方案可以提高闪存单元模型的模拟结果精确度。

【技术实现步骤摘要】
201610165004

【技术保护点】
一种闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括：一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括：根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例pcg计算得到第一电压值V31，其中0＜pcg≤1；根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述第一电压值V31，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。

【技术特征摘要】
1.一种闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括：一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括：根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例pcg计算得到第一电压值V31，其中0＜pcg≤1；根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述第一电压值V31，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。2.根据权利要求1所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述第一电压值V31，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，包括：根据输入至所述第一端口的电压V1，按照比例pwl计算得到第二电压值V32；其中，0≤pwl＜1；将所述第二电压值V32与所述第一电压值V31之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。3.根据权利要求2所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。4.根据权利要求1-3任一项所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述比例pcg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。5.根据权利要求1所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括：第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括：第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中：所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第
\t二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括：根据输入至所述第一子端口的电压值V21，按照所述比例pcg计算得到电压值V311，其中0＜pcg≤1；根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述电压值V311，计算得到实际分配至所述第三子端口的电压值V3’，按照所述电压值V3’分配电压至所述第三子端口。6.根据权利要求5所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，还包括：根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照所述比例pcg计算得到电压值V312，其中0＜pcg≤1；根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述电压值V312，计算得到实际分配至所述第四子端口的电压值V3”，按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口。7.一种闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括：一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括：根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例pcg计算得到第一电压值V31，将所述第一电压值V31作为实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口，其中0＜pcg＜1。8.根据权利要求7所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，还包括：根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述第一电压值V31，计算并将得
\t到的计算结果作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。9.根据权利要求8所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述第一电压值V31，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，包括：根据输入至所述第一端口的电压V1，按照比例pwl计算得到第二电压值V32；其中，0≤pwl＜1；将所述第二电压值V32与所述第一电压值V31之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。10.根据权利要求9所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。11.根据权利要求7-10任一项所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述比例pcg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。12.根据权利要求7所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括：第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括：第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中：所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括：根据输入至所述第一子端口的电压值V21，按照比例pcg计算得到电压值V311，将所述电压值V311作为实际分配至所述第三子端口的电压值V3’，其中0＜pcg＜1；按照所述电压值V3’分配电压至所述第三子端口。13.根据权利要求12所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，还包括：根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述电压值V311，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三子端口的电压值V3’。14.根据权利要求13所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，还包括：根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照比例pcg计算得到电压值V312，将所述电压值V312作为实际分配至所述第四子端口的电压值V3”；按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口，其中0＜pcg＜1。15.根据权利要求14所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，还包括：根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述电压值V312，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第四子端口的电压值V3”。16.一种闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括：一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述装置包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖梦星，高超，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31