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电子元器件用保护膜制造技术

技术编号:13514565 阅读:62 留言:0更新日期:2016-08-11 22:57
本发明专利技术公开了一种电子元器件用保护膜,属于电子元器件领域,由乙烯‑丙烯酸共聚物、硅烷偶联剂、天然植物胶、草木灰、低品位氧化锌矿、硬脂酸、沸石粉和脂肪酸聚乙二醇酯组成;本发明专利技术制得的厚度为10‑100μm的薄膜或者厚度为30‑100μm的涂覆膜,以200℃×1小时进行处理后的30℃下的拉伸强度达到51MPa以上、伸长率为在5%以下,具有优异的机械性能,可以作为自支撑膜或者复合膜的基膜;其表面电阻值为1×106Ω≤Rs<1×109Ω,非接触防静电电压值达到12kv以上,具有优异的防静电性能,同时,具有优异的耐酸碱耐高温低温性能。

【技术实现步骤摘要】
201610435290

【技术保护点】
一种电子元器件用保护膜,其特征在于,由下述重量百分比计的组分组成:乙烯‑丙烯酸共聚物    35‑45%硅烷偶联剂           3‑5%天然植物胶           15‑25%草木灰               2‑5%低品位氧化锌矿       15‑20%硬脂酸               3‑5%沸石粉               2‑5%脂肪酸聚乙二醇酯     1‑3%;上述组分总计为100%。

【技术特征摘要】
1.一种电子元器件用保护膜,其特征在于,由下述重量百分比计的组分组成:乙烯-丙烯酸共聚物 35-45%硅烷偶联剂 3-5%天然植物胶 15-25%草木灰 2-5%低品位氧化锌矿 15-20%硬脂酸 3-5%沸石粉 2-5%...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:赵月
类型:发明
国别省市:四川;51

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