【技术实现步骤摘要】
201610331423
【技术保护点】
Cs2LiPO4化合物,其特征在于:所述的Cs2LiPO4化合物的化学式为Cs2LiPO4。
【技术特征摘要】
1.Cs2LiPO4化合物,其特征在于:所述的Cs2LiPO4化合物的化学式为Cs2LiPO4。2.根据权利要求1所述的Cs2LiPO4化合物的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:将含Cs化合物、含Li化合物和含P化合物以化学计量比均匀混合后,以10~200℃/小时的速率升温到350~450℃,然后保温烧结12小时以上,降至室温后取出研磨均匀,再以10~200℃/小时的速率升温到500~700℃烧结24小时以上,即得纯相的Cs2LiPO4化合物。3.根据权利要求2所述的Cs2LiPO4化合物的制备方法,其特征在于:所述含Cs化合物为Cs2CO3或CsNO3;所述含Li化合物为Li2CO3或LiOH·H2O;所述含P化合物为NH4H2PO4或(NH4)2HPO4。4.Cs2LiPO4非线性光学晶体,其特征在于:所述的Cs2LiPO4非线性光学晶体不含对称中心,属于正交晶系Cmc21空间群。5.根据权利要求4所述的Cs2LiPO4非线性光学晶体,其特征在于:所述晶体的晶胞参数为Z=4。6.根据权利要求4或5所述的Cs2LiPO4非线性光学晶体的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:将所述的Cs2LiPO4化合物置于晶体生长炉中,在750℃以上保温2小时以上,然后降温,得到所述晶体。7.根据权利要求4或5所述的Cs2LiPO4非线性光学晶体的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:1)将所述的Cs2LiPO4化合物置于晶体生长炉中,在750℃以上保温2小时以上,然后...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗军华,沈耀国,赵三根,赵炳卿,
申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所,
类型:发明
国别省市:福建;35
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