基于相变材料的显示器件制造技术

一种显示器件，所述显示器件包括多个像素，每个像素具有固态相变材料的部分(10)，诸如锗‑锑‑碲(GST)或二氧化钒的部分，其中，该相变材料可逆地进入非晶态或晶态并且具有可逆电控制的折射率。设置多个电极(14、16)，这些电极中的至少两个与材料的所述部分(10)接触。设置控制器(19)，该控制器适用于将至少一个电压经由所述电极(14、16)施加至所述材料(10)以改变所述折射率。这种材料的部分的阵列可布置用于制备像素化显示器，例如，容积式立体显示器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480070797

【技术保护点】
一种显示器件，包括：多个电极；固态材料的部分，其中，所述材料具有通过将电压施加至所述电极而能够可逆控制的折射率；以及控制器，所述控制器用于经由所述电极施加至少一个电压以改变所述材料的所述折射率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.23 GB 1322917.4;2014.10.10 GB 1417974.11.一种显示器件，包括：多个电极；固态材料的部分，其中，所述材料具有通过将电压施加至所述电极而能够可逆控制的折射率；以及控制器，所述控制器用于经由所述电极施加至少一个电压以改变所述材料的所述折射率。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述材料通过至少两个所述电极电接触；以及所述控制器用于在所述折射率已变化至选定值时停止向所述材料施加任何电压。3.根据权利要求1或2所述的器件，其中，所述材料为相变材料。4.根据权利要求1、2或3所述的器件，其中，所述材料包括选自以下各组合的清单中的元素组合的化合物或合金：GeSbTe、VOx、NbOx、GeTe、GeSb、GaSb、AgInSbTe、InSb、InSbTe、InSe、SbTe、TeGeSbS、AgSbSe、SbSe、GeSbMnSn、AgSbTe、AuSbTe和AlSb。5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述材料包括所述清单中的元素组合的化合物或合金的混合物。6.根据权利要求4或5所述的器件，其中，所述材料进一步包括至少一种掺杂剂。7.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述材料包括Ge2Sb2Te5。8.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈里什·巴斯卡兰，培曼·胡赛尼，
申请(专利权)人：埃西斯创新有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB